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一款GaAs PHEMT超宽带无源双平衡混频器MMIC
被引量：
7
1
作者
王贵德
范举胜
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021年第6期451-455,共5页
混频器是微波系统关键部件之一。微波通信系统的宽带化和小型化发展趋势对混频器性能提出更高要求。基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计了一款超宽带无源双平衡混频器单片微波集成电路(MMIC)。该混频器采用环形肖特基二极...
混频器是微波系统关键部件之一。微波通信系统的宽带化和小型化发展趋势对混频器性能提出更高要求。基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计了一款超宽带无源双平衡混频器单片微波集成电路(MMIC)。该混频器采用环形肖特基二极管结构和两个新颖的螺旋式平行耦合微带线巴伦结构,大大提高了混频器工作带宽,减小了芯片尺寸,提高了本振(LO)到射频(RF)端口的隔离度。在片探针测试结果显示该芯片在上、下变频模式下RF和LO工作频率均为2~22 GHz,中频工作频率为0~4 GHz,变频损耗≤11.5 dB,LO到RF端口隔离度≥37 dB,LO输入功率为15 dBm。芯片尺寸为1.7 mm×1.0 mm。
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关键词
GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)
单片微波集成电路(MMIC)
无源双平衡混频器
超宽带
高隔离度
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职称材料
一种2.8～6GHz单片双平衡无源混频器
被引量：
3
2
作者
李垚
朱晓维
《微波学报》
CSCD
北大核心
2019年第6期26-30,共5页
采用WIN 0.15μm GaAs pHEMT工艺研制了2.8~6 GHz的片上双平衡无源混频器。混频器在本振端和射频端均采用不同尺寸的螺旋型Marchand巴伦结构,不仅大大缩小了芯片尺寸,并且在没有外加补偿电路的情况下,在2.8~6 GHz频带范围内均取得良好...
采用WIN 0.15μm GaAs pHEMT工艺研制了2.8~6 GHz的片上双平衡无源混频器。混频器在本振端和射频端均采用不同尺寸的螺旋型Marchand巴伦结构,不仅大大缩小了芯片尺寸,并且在没有外加补偿电路的情况下,在2.8~6 GHz频带范围内均取得良好匹配。测试结果表明,混频器的变频损耗小于8 dB,射频端口反射系数小于-10 dB,LO到RF的隔离度大于40 dB,输入1 dB压缩点大于10 dBm,输入三阶交调阻断点大于17 dBm。仿真与实测结果对应良好,芯片总面积为1.4 mm×1.1 mm。
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关键词
无源双平衡混频器
单片微波集成电路
宽带
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职称材料
基于CMOS的电子传感接收电路的设计与实现
被引量：
1
3
作者
邱小群
张钢
《现代电子技术》
北大核心
2017年第18期124-126,共3页
当前电子传感接收电路具有能耗高、性能参数不符合要求的弊端。为此,设计一种新的基于CMOS的电子传感接收电路,并介绍了电子传感接收电路设计方案。依据设计方案,选用源级负反馈电感匹配结构对低噪声放大器的基本电路结构进行设计;为达...
当前电子传感接收电路具有能耗高、性能参数不符合要求的弊端。为此,设计一种新的基于CMOS的电子传感接收电路,并介绍了电子传感接收电路设计方案。依据设计方案,选用源级负反馈电感匹配结构对低噪声放大器的基本电路结构进行设计;为达到性能指标和降低功耗,混频器电路结构选用无源双平衡混频器结构;为了降低整个电子传感接收电路的能耗,令无源双平衡混频器的开关MOS管在无电流偏置的情况下运行。给出了复数滤波器设计的基本思想,通过反馈系统对编程增益放大器的增益进行管理,实现可编程放大器的设计。实验结果表明,所设计电路性能符合设计要求。
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关键词
CMOS
电子传感接收电路
复数滤波器
无源双平衡混频器
编程增益放大器
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职称材料
题名
一款GaAs PHEMT超宽带无源双平衡混频器MMIC
被引量：
7
1
作者
王贵德
范举胜
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021年第6期451-455,共5页
文摘
混频器是微波系统关键部件之一。微波通信系统的宽带化和小型化发展趋势对混频器性能提出更高要求。基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计了一款超宽带无源双平衡混频器单片微波集成电路(MMIC)。该混频器采用环形肖特基二极管结构和两个新颖的螺旋式平行耦合微带线巴伦结构,大大提高了混频器工作带宽,减小了芯片尺寸,提高了本振(LO)到射频(RF)端口的隔离度。在片探针测试结果显示该芯片在上、下变频模式下RF和LO工作频率均为2~22 GHz,中频工作频率为0~4 GHz,变频损耗≤11.5 dB,LO到RF端口隔离度≥37 dB,LO输入功率为15 dBm。芯片尺寸为1.7 mm×1.0 mm。
关键词
GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)
单片微波集成电路(MMIC)
无源双平衡混频器
超宽带
高隔离度
Keywords
GaAs pseudomorphic high electron mobility transistor(PHEMT)
monolithic microwave integrated circuit(MMIC)assive double balanced mixer
ultra wideband
high isolation
分类号
TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
一种2.8～6GHz单片双平衡无源混频器
被引量：
3
2
作者
李垚
朱晓维
机构
东南大学毫米波国家重点实验室
出处
《微波学报》
CSCD
北大核心
2019年第6期26-30,共5页
基金
国家自然科学基金(61671149,61701110)
文摘
采用WIN 0.15μm GaAs pHEMT工艺研制了2.8~6 GHz的片上双平衡无源混频器。混频器在本振端和射频端均采用不同尺寸的螺旋型Marchand巴伦结构,不仅大大缩小了芯片尺寸,并且在没有外加补偿电路的情况下,在2.8~6 GHz频带范围内均取得良好匹配。测试结果表明,混频器的变频损耗小于8 dB,射频端口反射系数小于-10 dB,LO到RF的隔离度大于40 dB,输入1 dB压缩点大于10 dBm,输入三阶交调阻断点大于17 dBm。仿真与实测结果对应良好,芯片总面积为1.4 mm×1.1 mm。
关键词
无源双平衡混频器
单片微波集成电路
宽带
Keywords
passive double balanced mixer
monolithic microwave integrated circuit(MMIC)
wideband
分类号
TN773 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
基于CMOS的电子传感接收电路的设计与实现
被引量：
1
3
作者
邱小群
张钢
机构
珠海城市职业技术学院电子信息工程学院
广东工业大学自动化学院
出处
《现代电子技术》
北大核心
2017年第18期124-126,共3页
基金
国家自然科学基金项目(11101094)
广东省自然科学基金项目(S2013040012898)
珠海城市职业技术学院课题(20151201)
文摘
当前电子传感接收电路具有能耗高、性能参数不符合要求的弊端。为此,设计一种新的基于CMOS的电子传感接收电路,并介绍了电子传感接收电路设计方案。依据设计方案,选用源级负反馈电感匹配结构对低噪声放大器的基本电路结构进行设计;为达到性能指标和降低功耗,混频器电路结构选用无源双平衡混频器结构;为了降低整个电子传感接收电路的能耗,令无源双平衡混频器的开关MOS管在无电流偏置的情况下运行。给出了复数滤波器设计的基本思想,通过反馈系统对编程增益放大器的增益进行管理,实现可编程放大器的设计。实验结果表明,所设计电路性能符合设计要求。
关键词
CMOS
电子传感接收电路
复数滤波器
无源双平衡混频器
编程增益放大器
Keywords
CMOS
electronic sensing receiving circuit
complex filter
passive double balanced mixer
programmablegain amplifier
分类号
TN99-34 [电子电信—信号与信息处理]
TP393 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一款GaAs PHEMT超宽带无源双平衡混频器MMIC
王贵德
范举胜
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021
7
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
一种2.8～6GHz单片双平衡无源混频器
李垚
朱晓维
《微波学报》
CSCD
北大核心
2019
3
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
基于CMOS的电子传感接收电路的设计与实现
邱小群
张钢
《现代电子技术》
北大核心
2017
1
在线阅读
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职称材料
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