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题名无氨氮化硅薄膜在MEMS硅腐蚀中的应用
被引量：2
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作者
胥超
徐永青
杨志
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机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
专用集成电路重点实验室
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出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2014年第3期194-197,202,共5页
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文摘
研究了等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)生长的无氨氮化硅薄膜作为掩蔽层在MEMS硅腐蚀工艺中的应用。比较了PECVD不同工艺条件(衬底温度和功率)以及不同四甲基氢氧化铵(TMAH)硅腐蚀液温度对无氨氮化硅薄膜硅腐蚀掩蔽效果的影响。通过优化无氨氮化硅薄膜生长条件和硅腐蚀液温度,得到了高质量的氮化硅薄膜,颗粒以及针孔密度较少,0.2μm以上颗粒度小于100,提高了硅腐蚀掩蔽选择比。实验结果显示优化生长条件的氮化硅薄膜(衬底温度350℃,功率30 W),在85℃的TMAH硅腐蚀液中,硅的腐蚀速率为68μm/h,氮化硅薄膜腐蚀速率为33.2 nm/h,硅与氮化硅的腐蚀选择比为2 048,满足MEMS体硅腐蚀工艺对于掩膜特性的要求。
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关键词
无氨氮化硅
硅腐蚀
等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)
腐蚀比
颗粒
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Keywords
N2 free silicon nitride
silicon etch
plasma enhanced chemical vapor deposition （PECVD）
etch ratio
particle
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分类号
TN305.2
[电子电信—物理电子学]
TH703
[机械工程—精密仪器及机械]
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