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无杂质空位诱导InGaAs/InP量子阱结构的光荧光研究: 1; 作者张晓丹赵杰王永晨《天津师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2001年第3期33-35,45,共4页; 用光荧光谱 ( PL)方法研究了无杂质空位诱导 ( IFVD) In Ga As/In P多量子阱 ( MQWs)结构的带隙蓝移 .实验中选用 Si3 N4 作为电介质层 ,用以产生空位 ,并经快速热退火处理 ,产生扩散 .实验结果表明 ,带隙蓝移同退火温度和退火时间有关 ... 展开更多; 关键词无杂质空位诱导无序量子阱光荧光谱二次离子质谱 INGAAS/INP 光电集成电路生长工艺; 在线阅读下载PDF 职称材料

无杂质空位扩散法造成InGaAsP/InP多量子阱结构带隙蓝移规律的研究被引量：1: 2; 作者张晓丹赵杰 +1 位作者王永晨金鹏《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期119-123,共5页; 采用光荧光谱 (PL)和光调制反射谱 (PR)的方法 ,研究了由Si3 N4 、SiO2 电介质盖层引起的无杂质空位(IFVD)诱导的InGaAsP四元化合物半导体多量子阱 (MQWs)结构的带隙蓝移。实验中Si3 N4 、SiO2 作为电介质盖层 ,用来产生空位 ,再经过快... 展开更多; 关键词无杂质空位诱导无序光荧光谱光调制反射谱铟镓砷磷化合物磷化铟多量子阱结构单片集成光电器件; 在线阅读下载PDF 职称材料

InGaAs(P)/InP量子阱混合处理对其光电特性的影响被引量：3: 3; 作者赵杰王永晨《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期540-548,共9页; 用离子注入诱导无序(IICD)和无杂质空位扩散诱导无序(IFVD)方法研究了InGaAs(P)/InP量子阱结构的混合造成材料光电特性变化、带隙蓝移的规律。研究结果发现,IICD造成的带隙蓝移与离子注入的种类、剂量、注入后退火温度、时间有关,也和... 展开更多; 关键词 InGaAs(P)/InP 量子阱混合处理光电特性超晶格离子注入无杂质空位扩散半导体光电器件砷镓铟三元化合物磷化铟; 在线阅读下载PDF 职称材料

带有非吸收窗口的大功率915nm半导体激光器被引量：2: 4; 作者姚南赵懿昊 +1 位作者刘素平马骁宇《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第8期596-600,共5页; 为了实现大功率输出,应用无杂质空位诱导量子阱混合(IFVD)方法制备带有非吸收窗口结构的915 nm半导体激光器单管。通过实验确定促进和抑制量子阱混合的Si O2和Si3N4薄膜的厚度分别为300和500 nm,退火条件为800℃,90 s。最终制备出的带... 展开更多; 关键词半导体激光器无杂质空位诱导量子阱混合(ifvd) 非吸收窗口高温退火灾变性光学损伤(COD); 在线阅读下载PDF 职称材料

题名无杂质空位诱导InGaAs/InP量子阱结构的光荧光研究: 1; 作者张晓丹赵杰王永晨; 机构天津师范大学物理与电子信息学院; 出处《天津师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2001年第3期33-35,45,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目 (698860 0 1); 文摘用光荧光谱 ( PL)方法研究了无杂质空位诱导 ( IFVD) In Ga As/In P多量子阱 ( MQWs)结构的带隙蓝移 .实验中选用 Si3 N4 作为电介质层 ,用以产生空位 ,并经快速热退火处理 ,产生扩散 .实验结果表明 ,带隙蓝移同退火温度和退火时间有关 ,最佳退火条件是 80 0℃ ,1 0 s.同时二次离子质谱 ( SIMS)的分析表明 ,电介质盖层 Si3 N4 和快速热退火 ( RTA)导致量子阱中阱和垒之间元素互扩。; 关键词无杂质空位诱导无序量子阱光荧光谱二次离子质谱 INGAAS/INP 光电集成电路生长工艺; Keywords impurity free vacancy disordering quantum well photoluminescence secondary ion mass spectrum; 分类号 TN491 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名无杂质空位扩散法造成InGaAsP/InP多量子阱结构带隙蓝移规律的研究被引量：1: 2; 作者张晓丹赵杰王永晨金鹏; 机构天津师范大学物理与电子信息学院南开大学物理系; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期119-123,共5页; 基金国家自然科学基金资助项目 ( 6 9886 0 0 1); 文摘采用光荧光谱 (PL)和光调制反射谱 (PR)的方法 ,研究了由Si3 N4 、SiO2 电介质盖层引起的无杂质空位(IFVD)诱导的InGaAsP四元化合物半导体多量子阱 (MQWs)结构的带隙蓝移。实验中Si3 N4 、SiO2 作为电介质盖层 ,用来产生空位 ,再经过快速热退火处理 (RTA)。实验结果表明 :多量子阱结构带隙蓝移和退火温度、复合盖层的组合有关。带隙蓝移随退火温度的升高而加大。InP、Si3 N4 复合盖层产生的带隙蓝移量大于InP、SiO2 复合盖层。而InGaAs、SiO2 复合盖层产生的带隙蓝移量则大于InGaAs、Si3 N4 复合盖层。同时 ,光调制反射谱的测试结果与光荧光测试的结果基本一致 ,因此。; 关键词无杂质空位诱导无序光荧光谱光调制反射谱铟镓砷磷化合物磷化铟多量子阱结构单片集成光电器件; Keywords impurity free vacancy disordering photoluminescence photoreflectance; 分类号 O472.3 [理学—半导体物理] TN36 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名InGaAs(P)/InP量子阱混合处理对其光电特性的影响被引量：3: 3; 作者赵杰王永晨; 机构天津师范大学物理与电子信息学院; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期540-548,共9页; 基金国家自然科学基金资助项目(69886001); 文摘用离子注入诱导无序(IICD)和无杂质空位扩散诱导无序(IFVD)方法研究了InGaAs(P)/InP量子阱结构的混合造成材料光电特性变化、带隙蓝移的规律。研究结果发现,IICD造成的带隙蓝移与离子注入的种类、剂量、注入后退火温度、时间有关,也和样品存在的应力有关。具有压应力的样品产生的蓝移量比具有张应力的大。IFVD方法造成的带隙蓝移量与介质膜的种类、后继退火温度、退火时间有关。同时还发现,蓝移量与半导体盖层成分和介质层成分的组合有关,InGaAs与SiO2组合产生的蓝移比InGaAs与Si3N4组合产生的蓝移大;与此相反,InP与Si3N4组合产生的蓝移比InP与SiO2组合的大。介质层的掺杂也影响蓝移量,掺P的SiOxPyNz可以产生高达224meV的蓝移,目前尚未见其他报道。二次离子质谱(SIMS)研究说明,量子阱层元素的互扩散可能是造成带隙蓝移的主要原因。; 关键词 InGaAs(P)/InP 量子阱混合处理光电特性超晶格离子注入无杂质空位扩散半导体光电器件砷镓铟三元化合物磷化铟; Keywords superlattice quantum well ion implantation impurity-free vacancy diffusion; 分类号 O472.3 [理学—半导体物理] TN36 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名带有非吸收窗口的大功率915nm半导体激光器被引量：2: 4; 作者姚南赵懿昊刘素平马骁宇; 机构中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第8期596-600,共5页; 基金中国科学院支撑项目(61501060206); 文摘为了实现大功率输出,应用无杂质空位诱导量子阱混合(IFVD)方法制备带有非吸收窗口结构的915 nm半导体激光器单管。通过实验确定促进和抑制量子阱混合的Si O2和Si3N4薄膜的厚度分别为300和500 nm,退火条件为800℃,90 s。最终制备出的带有非吸收窗口的激光器,与普通激光器的阈值电流和斜率效率几乎一样。但普通激光器在电流为10 A时发生灾变性光学损伤(COD)并失效,而带有非吸收窗口的激光器在电流达到13 A时仍然可以正常工作,相比普通激光器其最大输出功率增加了15%。每种器件各20个在20℃,电流为9 A时进行直流老化试验,普通激光器在老化时间达到100 h时全部失效,而带非吸收窗口器件在老化200 h时仅有两个失效,这表明非吸收窗口结构显著提高了器件的抗COD能力。; 关键词半导体激光器无杂质空位诱导量子阱混合(ifvd) 非吸收窗口高温退火灾变性光学损伤(COD); Keywords semiconductor laser impurity-free vacancy disordering （ifvd） non-absorbing win- dow rapid thermal annealing catastrophic optical damage （COD）; 分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	无杂质空位诱导InGaAs/InP量子阱结构的光荧光研究	张晓丹赵杰王永晨	《天津师范大学学报（自然科学版）》 CAS	2001	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	无杂质空位扩散法造成InGaAsP/InP多量子阱结构带隙蓝移规律的研究	张晓丹赵杰王永晨金鹏	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2002	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	InGaAs(P)/InP量子阱混合处理对其光电特性的影响	赵杰王永晨	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2002	3	在线阅读下载PDF 职称材料
4	带有非吸收窗口的大功率915nm半导体激光器	姚南赵懿昊刘素平马骁宇	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2015	2	在线阅读下载PDF 职称材料