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26GS／s单bit量化降速芯片
被引量：
2
1
作者
张有涛
李晓鹏
+2 位作者
张敏
陈新宇
杨磊
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第2期130-134,共5页
基于1μm GaAs HBT工艺设计并实现了一种26GS/s单bit量化降速芯片。芯片采用树形级联架构,集成前端宽带比较器,综合优化各级降速单元拓扑,在功耗、速度各方面达到最优化。测试结果表明,芯片在26GS/s转换速率下,其SFDR大于8dBc,数据带宽...
基于1μm GaAs HBT工艺设计并实现了一种26GS/s单bit量化降速芯片。芯片采用树形级联架构,集成前端宽带比较器,综合优化各级降速单元拓扑,在功耗、速度各方面达到最优化。测试结果表明,芯片在26GS/s转换速率下,其SFDR大于8dBc,数据带宽达13GHz,显示出其在电子对抗及高速数据处理方面的潜力。
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关键词
串转并降速芯片
D触发器
异质结双极晶体管
无杂散噪声动态范围
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职称材料
用于DRFM的4 bit相位量化DAC
被引量：
1
2
作者
张敏
张有涛
+2 位作者
李晓鹏
陈新宇
杨磊
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第1期24-28,共5页
设计了一种应用于DRFM系统的4bit相位量化DAC,采用非线性的电流舵结构在标准半导体工艺下实现,芯片面积2.1mm×1.4mm,功耗420mW。测试结果显示该DAC瞬时带宽高于1GHz,与4bit相位量化ADC级联测试时,SFDR在工作带宽内小于-20dBc,性能...
设计了一种应用于DRFM系统的4bit相位量化DAC,采用非线性的电流舵结构在标准半导体工艺下实现,芯片面积2.1mm×1.4mm,功耗420mW。测试结果显示该DAC瞬时带宽高于1GHz,与4bit相位量化ADC级联测试时,SFDR在工作带宽内小于-20dBc,性能明显优于3bit相位量化DAC。
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关键词
数模转换器
相位量化
数字射频存储器
电流舵
无杂散噪声动态范围
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职称材料
题名
26GS／s单bit量化降速芯片
被引量：
2
1
作者
张有涛
李晓鹏
张敏
陈新宇
杨磊
机构
南京电子器件研究所
微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第2期130-134,共5页
文摘
基于1μm GaAs HBT工艺设计并实现了一种26GS/s单bit量化降速芯片。芯片采用树形级联架构,集成前端宽带比较器,综合优化各级降速单元拓扑,在功耗、速度各方面达到最优化。测试结果表明,芯片在26GS/s转换速率下,其SFDR大于8dBc,数据带宽达13GHz,显示出其在电子对抗及高速数据处理方面的潜力。
关键词
串转并降速芯片
D触发器
异质结双极晶体管
无杂散噪声动态范围
Keywords
DMUX
D flip-flop
HBT
SFDR
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
TN431.2 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
用于DRFM的4 bit相位量化DAC
被引量：
1
2
作者
张敏
张有涛
李晓鹏
陈新宇
杨磊
机构
南京电子器件研究所
南京国博电子有限公司
微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第1期24-28,共5页
文摘
设计了一种应用于DRFM系统的4bit相位量化DAC,采用非线性的电流舵结构在标准半导体工艺下实现,芯片面积2.1mm×1.4mm,功耗420mW。测试结果显示该DAC瞬时带宽高于1GHz,与4bit相位量化ADC级联测试时,SFDR在工作带宽内小于-20dBc,性能明显优于3bit相位量化DAC。
关键词
数模转换器
相位量化
数字射频存储器
电流舵
无杂散噪声动态范围
Keywords
digital-to-analog converter（DAC）
phase digitizing
digital radio frequency memory（DRFM）
current steering
spurious-noise-free dynamic range（SFDR）
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
TN431.2 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
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被引量
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1
26GS／s单bit量化降速芯片
张有涛
李晓鹏
张敏
陈新宇
杨磊
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2013
2
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职称材料
2
用于DRFM的4 bit相位量化DAC
张敏
张有涛
李晓鹏
陈新宇
杨磊
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2014
1
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职称材料
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参考文献
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