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SILAR法制备无机化合物薄膜
被引量：
8
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作者
靳正国
刘晓新
+1 位作者
步绍静
程志捷
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
2003年第3期66-68,共3页
介绍了一种新的液相法薄膜制备工艺—SILAR法(连续离子层吸附反应法),该方法设备简单,成本低廉,成膜质量好。解释了它的非均相薄膜生长机理,对它的工艺参数影响以及研究应用情况进行了综合评述。指出了研究发展前景。
关键词
制备
无机化合物薄膜
生长机理
SILAR法
连续离子层吸附反应法
工艺参数
在线阅读
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职称材料
题名
SILAR法制备无机化合物薄膜
被引量：
8
1
作者
靳正国
刘晓新
步绍静
程志捷
机构
先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室天津大学材料学院
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
2003年第3期66-68,共3页
文摘
介绍了一种新的液相法薄膜制备工艺—SILAR法(连续离子层吸附反应法),该方法设备简单,成本低廉,成膜质量好。解释了它的非均相薄膜生长机理,对它的工艺参数影响以及研究应用情况进行了综合评述。指出了研究发展前景。
关键词
制备
无机化合物薄膜
生长机理
SILAR法
连续离子层吸附反应法
工艺参数
Keywords
SILAR method,inorganic compound,preparation of thin films
分类号
TB43 [一般工业技术]
在线阅读
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
SILAR法制备无机化合物薄膜
靳正国
刘晓新
步绍静
程志捷
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
2003
8
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