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无支撑优质金刚石膜研制中的相关问题探讨
被引量:
2
1
作者
丁明清
李莉莉
冯进军
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第10期884-888,共5页
无支撑优质金刚石膜在微波真空器件和光学器件中的广泛应用,有赖于制备成本的下降和工艺的完善。结合微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)金刚石膜的工艺研究结果,本文就沉积速率、晶面取向以及内应力的相关问题进行了初步探讨。对于给定...
无支撑优质金刚石膜在微波真空器件和光学器件中的广泛应用,有赖于制备成本的下降和工艺的完善。结合微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)金刚石膜的工艺研究结果,本文就沉积速率、晶面取向以及内应力的相关问题进行了初步探讨。对于给定的设备,沉积速率与多种因素有关,包括膜的质量、膜厚均匀性和有效沉积面积、以及形核的密度。在通常情况下,金刚石膜呈(111)择优取向,而样品位置下移5mm后,观察到(100)取向。对内应力的初步研究表明,CH4/H2比例较低(1.5)时,金刚石膜的内应力趋向于压应力,而(100)取向的出现则有助于使内应力降到最低。
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关键词
微波等离子体化学气相沉积
无支撑优质金刚石膜
沉积速率
晶面择优取向
内应力
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职称材料
题名
无支撑优质金刚石膜研制中的相关问题探讨
被引量:
2
1
作者
丁明清
李莉莉
冯进军
机构
微波电真空器件国家级重点实验室北京真空电子技术研究所
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第10期884-888,共5页
基金
国家级重点实验室基金项目
文摘
无支撑优质金刚石膜在微波真空器件和光学器件中的广泛应用,有赖于制备成本的下降和工艺的完善。结合微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)金刚石膜的工艺研究结果,本文就沉积速率、晶面取向以及内应力的相关问题进行了初步探讨。对于给定的设备,沉积速率与多种因素有关,包括膜的质量、膜厚均匀性和有效沉积面积、以及形核的密度。在通常情况下,金刚石膜呈(111)择优取向,而样品位置下移5mm后,观察到(100)取向。对内应力的初步研究表明,CH4/H2比例较低(1.5)时,金刚石膜的内应力趋向于压应力,而(100)取向的出现则有助于使内应力降到最低。
关键词
微波等离子体化学气相沉积
无支撑优质金刚石膜
沉积速率
晶面择优取向
内应力
Keywords
Microwave plasma chemical vapor deposition, High quality freestanding diamond films, Deposition rate, Film texture, Intrinsic stress
分类号
TB75 [一般工业技术—真空技术]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
无支撑优质金刚石膜研制中的相关问题探讨
丁明清
李莉莉
冯进军
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
2
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