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SOI高温压力传感器无引线倒装式封装研究
被引量：
9
1
作者
董志超
雷程
+3 位作者
梁庭
薛胜方
宫凯勋
武学占
《传感器与微系统》
CSCD
北大核心
2021年第11期65-68,共4页
绝缘体上硅(SOI)压阻式压力传感器理论工作温度可达450℃,但传统的器件在高温、振动以及高腐蚀环境中电连接容易失效。开展基于无引线倒装式封装芯片方法的研究。首先,在完成SOI压力传感器芯片制备的基础上,提出了基于阳极键合工艺和玻...
绝缘体上硅(SOI)压阻式压力传感器理论工作温度可达450℃,但传统的器件在高温、振动以及高腐蚀环境中电连接容易失效。开展基于无引线倒装式封装芯片方法的研究。首先,在完成SOI压力传感器芯片制备的基础上,提出了基于阳极键合工艺和玻璃通孔填充(TGV)工艺的倒装式封装方案;其次,研究带有图形的硼硅玻璃和SOI阳极键合工艺,以及基于电镀工艺的通孔金属填充工艺,并对键合强度、键合界面、金属填充效果以及电连接性能进行测试;最后,针对封装好的芯片在常温环境下进行传感器气密性、电连接性能、线性度以及重复度等性能进行测试,进一步验证无引线倒装式封装方法的可行性和有效性。
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关键词
绝缘体上硅(SOI)
无引线倒装
阳极键合
玻璃通孔填充(TGV)
气密性
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职称材料
题名
SOI高温压力传感器无引线倒装式封装研究
被引量：
9
1
作者
董志超
雷程
梁庭
薛胜方
宫凯勋
武学占
机构
中北大学仪器与电子学院仪器科学与动态测试教育部重点实验室
出处
《传感器与微系统》
CSCD
北大核心
2021年第11期65-68,共4页
文摘
绝缘体上硅(SOI)压阻式压力传感器理论工作温度可达450℃,但传统的器件在高温、振动以及高腐蚀环境中电连接容易失效。开展基于无引线倒装式封装芯片方法的研究。首先,在完成SOI压力传感器芯片制备的基础上,提出了基于阳极键合工艺和玻璃通孔填充(TGV)工艺的倒装式封装方案;其次,研究带有图形的硼硅玻璃和SOI阳极键合工艺,以及基于电镀工艺的通孔金属填充工艺,并对键合强度、键合界面、金属填充效果以及电连接性能进行测试;最后,针对封装好的芯片在常温环境下进行传感器气密性、电连接性能、线性度以及重复度等性能进行测试,进一步验证无引线倒装式封装方法的可行性和有效性。
关键词
绝缘体上硅(SOI)
无引线倒装
阳极键合
玻璃通孔填充(TGV)
气密性
Keywords
silicon on insulator(SOI)
leadless flip chip
anodic bonding
glass via filling(TGV)
air tightness
分类号
TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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作者
出处
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被引量
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1
SOI高温压力传感器无引线倒装式封装研究
董志超
雷程
梁庭
薛胜方
宫凯勋
武学占
《传感器与微系统》
CSCD
北大核心
2021
9
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