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基于SOI的E型膜结构耐高温压力芯片的设计与制造
被引量：
4
1
作者
李闯
赵立波
+2 位作者
王尊敬
张磊
殷振
《仪表技术与传感器》
CSCD
北大核心
2021年第1期20-24,共5页
文中设计了一种基于SOI材料的E型膜结构无引线倒封装压力芯片。SOI材料的选用解决了高温环境下漏电流的问题,可以满足目前航空发动机对于高温使用环境的要求。E型膜结构与传统C型膜结构相比解决了灵敏度与线性度无法同时满足需求的难题...
文中设计了一种基于SOI材料的E型膜结构无引线倒封装压力芯片。SOI材料的选用解决了高温环境下漏电流的问题,可以满足目前航空发动机对于高温使用环境的要求。E型膜结构与传统C型膜结构相比解决了灵敏度与线性度无法同时满足需求的难题。通过无引线倒封装工艺,实现了传感器小型化、轻量化的设计需求。设计的压力传感器量程为0~1.5 MPa,400℃输出灵敏度为80 mV/MPa,线性度0.17%FS,综合精度0.18%FS。传感器最大外廓尺寸为S10 mm×20 mm,传感器质量为15.5 g。
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关键词
耐高温压力传感器
绝缘体上硅SOI
E型可动膜片
无引线倒封装
高精度
小体积
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职称材料
题名
基于SOI的E型膜结构耐高温压力芯片的设计与制造
被引量：
4
1
作者
李闯
赵立波
王尊敬
张磊
殷振
机构
苏州长风航空电子有限公司传感器事业部
西安交通大学机械学院
苏州科技大学机械工程学院
出处
《仪表技术与传感器》
CSCD
北大核心
2021年第1期20-24,共5页
基金
博士后国际交流计划引进项目(博管办[2018]115号)
中国博士后科学基金第65批面上资助(2019M651934)
2019江苏省资助招收博士后项目(苏人社发[2019]155号)。
文摘
文中设计了一种基于SOI材料的E型膜结构无引线倒封装压力芯片。SOI材料的选用解决了高温环境下漏电流的问题,可以满足目前航空发动机对于高温使用环境的要求。E型膜结构与传统C型膜结构相比解决了灵敏度与线性度无法同时满足需求的难题。通过无引线倒封装工艺,实现了传感器小型化、轻量化的设计需求。设计的压力传感器量程为0~1.5 MPa,400℃输出灵敏度为80 mV/MPa,线性度0.17%FS,综合精度0.18%FS。传感器最大外廓尺寸为S10 mm×20 mm,传感器质量为15.5 g。
关键词
耐高温压力传感器
绝缘体上硅SOI
E型可动膜片
无引线倒封装
高精度
小体积
Keywords
high temperature pressure sensor
silicon on insulator SOI
E-type membrane
leadless packaging
high accuracy
small volume
分类号
TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
基于SOI的E型膜结构耐高温压力芯片的设计与制造
李闯
赵立波
王尊敬
张磊
殷振
《仪表技术与传感器》
CSCD
北大核心
2021
4
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