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a-C:N膜的制备及结构分析
被引量：
2
1
作者
张贵锋
张建宏
+2 位作者
耿东生
刘正堂
郑修麟
《材料工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第3期10-12,共3页
采用射频溅射法在锗衬底上沉积无定形碳氮膜 (a- C:N) ,用 X射线光电子谱 (XPS)、傅立叶变换红外光谱 (FT- IR)和喇曼光谱 (RS)分析了膜的成分与结构。结果表明 ,氮是以化学键的形式存在于膜中 ,且有三种不同的 C- N键合状态。随着反应...
采用射频溅射法在锗衬底上沉积无定形碳氮膜 (a- C:N) ,用 X射线光电子谱 (XPS)、傅立叶变换红外光谱 (FT- IR)和喇曼光谱 (RS)分析了膜的成分与结构。结果表明 ,氮是以化学键的形式存在于膜中 ,且有三种不同的 C- N键合状态。随着反应气体中氮气分压的增加 ,a- C:N膜中氮浓度增加 ,C≡N键的含量增加。
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关键词
射频溅射
无定形碳氮膜
结构
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职称材料
题名
a-C:N膜的制备及结构分析
被引量：
2
1
作者
张贵锋
张建宏
耿东生
刘正堂
郑修麟
机构
西北工业大学材料科学与工程学院
出处
《材料工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第3期10-12,共3页
基金
航空科学基金!(CB40 133)
香港蒋氏基金!(RC92 119)的资助
文摘
采用射频溅射法在锗衬底上沉积无定形碳氮膜 (a- C:N) ,用 X射线光电子谱 (XPS)、傅立叶变换红外光谱 (FT- IR)和喇曼光谱 (RS)分析了膜的成分与结构。结果表明 ,氮是以化学键的形式存在于膜中 ,且有三种不同的 C- N键合状态。随着反应气体中氮气分压的增加 ,a- C:N膜中氮浓度增加 ,C≡N键的含量增加。
关键词
射频溅射
无定形碳氮膜
结构
Keywords
rf sputtering amorphous carbon nitride films structure
分类号
TB43 [一般工业技术]
O484.1 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
a-C:N膜的制备及结构分析
张贵锋
张建宏
耿东生
刘正堂
郑修麟
《材料工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997
2
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