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纳米Bi_2O_3-Y_2O_3快离子导体的制备
被引量：
1
1
作者
甄强
何伟明
+1 位作者
刘建强
潘庆谊
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第2期393-400,共8页
以共沉淀法制备的纳米(75mol％Bi2O3+25mol％Y2O3)混合粉体作为原料,通过无 压反应烧结工艺制备了纳米Bi2O3-Y2O3快离子导体.对烧结过程中高导电相(纳米δ-Bi2O3) 的形成规律研究表明:固溶反应发生在烧结过程的初期,在烧结过程中晶粒生...
以共沉淀法制备的纳米(75mol％Bi2O3+25mol％Y2O3)混合粉体作为原料,通过无 压反应烧结工艺制备了纳米Bi2O3-Y2O3快离子导体.对烧结过程中高导电相(纳米δ-Bi2O3) 的形成规律研究表明:固溶反应发生在烧结过程的初期,在烧结过程中晶粒生长规律符合 (D-D0)2=K·t抛物线方程.用模式识别技术对δ-Bi2O3相生成的工艺条件进行优化的工艺 参数优化区为:Y>-1.846X+3.433(X=0.0059T+0.0101t,Y=-0.0059T+0.0101t,式中, T为烧结温度,t为烧结时间).在T=600℃,t=2h无压反应烧结条件下,纳米晶Bi2O3-Y2O3 快离子导体材料的相对密度可达96％以上,并且微观结构致密均匀,很少有残留气孔和裂纹, 平均晶粒尺寸在100nm以下.
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关键词
共沉淀法
无压反应烧结
纳米晶Bi2O3-Y2O3快离子导体
工艺优化
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职称材料
题名
纳米Bi_2O_3-Y_2O_3快离子导体的制备
被引量：
1
1
作者
甄强
何伟明
刘建强
潘庆谊
机构
上海大学材料学院
上海大学理学院
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第2期393-400,共8页
基金
国家自然科学基金(20101006)
文摘
以共沉淀法制备的纳米(75mol％Bi2O3+25mol％Y2O3)混合粉体作为原料,通过无 压反应烧结工艺制备了纳米Bi2O3-Y2O3快离子导体.对烧结过程中高导电相(纳米δ-Bi2O3) 的形成规律研究表明:固溶反应发生在烧结过程的初期,在烧结过程中晶粒生长规律符合 (D-D0)2=K·t抛物线方程.用模式识别技术对δ-Bi2O3相生成的工艺条件进行优化的工艺 参数优化区为:Y>-1.846X+3.433(X=0.0059T+0.0101t,Y=-0.0059T+0.0101t,式中, T为烧结温度,t为烧结时间).在T=600℃,t=2h无压反应烧结条件下,纳米晶Bi2O3-Y2O3 快离子导体材料的相对密度可达96％以上,并且微观结构致密均匀,很少有残留气孔和裂纹, 平均晶粒尺寸在100nm以下.
关键词
共沉淀法
无压反应烧结
纳米晶Bi2O3-Y2O3快离子导体
工艺优化
Keywords
coprecipitation method
pressureless reactive sintering
nanocrystalline Bi2O3-Y2O3 fast ionic conductor
technique optimization
分类号
O646 [理学—物理化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
纳米Bi_2O_3-Y_2O_3快离子导体的制备
甄强
何伟明
刘建强
潘庆谊
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
1
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