期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
无压低温烧结纳米银封装电力电子器件的进展与思考
被引量：
8
1
作者
闫海东
梁陪阶
+1 位作者
梅云辉
冯志红
《电源学报》
CSCD
北大核心
2020年第4期15-23,共9页
无压低温银烧结技术是高功率密度SiC器件的无铅化关键互连技术,对SiC功率模块的可靠性提升具有重要的意义。针对典型Si基功率模块封装连接工艺及其可靠性,阐述了当前无压低温纳米银烧封装技术的进展与思考:(1)讨论了电力电子器件封装连...
无压低温银烧结技术是高功率密度SiC器件的无铅化关键互连技术,对SiC功率模块的可靠性提升具有重要的意义。针对典型Si基功率模块封装连接工艺及其可靠性,阐述了当前无压低温纳米银烧封装技术的进展与思考:(1)讨论了电力电子器件封装连接可靠性的典型风险和原因;(2)介绍了无压低温连接技术的最新发展;(3)基于Si基典型功率模块封装向高可靠SiC功率模块转变过程中在封装结构和材料方面的需求,阐述了无压低温银烧结技术在引线型、平面型和双面冷却功率模块封装方面的进展;(4)提出无压低温银烧结技术当前有待解决的技术难题。
展开更多
关键词
纳米
银
焊膏
无压
低温
银
烧结
技术
双面冷却
SIC器件
可靠性
在线阅读
下载PDF
职称材料
无压烧结银-镍互连IGBT电源模块的力、热和电性能
2
作者
王美玉
梅云辉
+1 位作者
李欣
郝柏森
《电源学报》
CSCD
北大核心
2023年第1期195-201,共7页
作为一种应用广泛的基板金属镀层,镍在烧结过程中易发生氧化,形成烧结银-镍高性能互连接头较为困难,相关研究报道较少。提出了一种多尺度银焊膏互连材料和烧结银-镍无压互连工艺,研究了在220~300℃烧结10~60 min对烧结银-镍互连封装的I...
作为一种应用广泛的基板金属镀层,镍在烧结过程中易发生氧化,形成烧结银-镍高性能互连接头较为困难,相关研究报道较少。提出了一种多尺度银焊膏互连材料和烧结银-镍无压互连工艺,研究了在220~300℃烧结10~60 min对烧结银-镍互连封装的IGBT电源模块的力、热和电性能的影响。研究结果表明:得益于多尺度银焊膏的致密堆积烧结,在270~300℃高温烧结30~60 min时镍氧化减缓,在270℃无压烧结30 min互连的芯片抗剪切强度在40 MPa以上,热阻和静态电特性与仿真结果和IGBT芯片数据手册差异性<0.5%,表明无压烧结银-镍互连IGBT芯片具有较高的连接强度、导热和导电性能,可以满足半导体电源模块的互连封装要求。
展开更多
关键词
半导体封装
IGBT电源模块
镀镍基板
无压低温烧结银
多尺度
银
焊膏
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
无压低温烧结纳米银封装电力电子器件的进展与思考
被引量：
8
1
作者
闫海东
梁陪阶
梅云辉
冯志红
机构
桂林电子科技大学机电工程学院
天津大学材料科学与工程学院
河北半导体研究所专用集成电路国家级重点实验室
广西制造系统与先进制造技术重点实验室
出处
《电源学报》
CSCD
北大核心
2020年第4期15-23,共9页
基金
国家自然科学基金资助项目(51922075,51967005)
广西自然科学基金资助项目(2018GXNSFAA294082)
广西制造系统与先进制造技术重点实验室主任课题资助项目(19-050-44-006Z)。
文摘
无压低温银烧结技术是高功率密度SiC器件的无铅化关键互连技术,对SiC功率模块的可靠性提升具有重要的意义。针对典型Si基功率模块封装连接工艺及其可靠性,阐述了当前无压低温纳米银烧封装技术的进展与思考:(1)讨论了电力电子器件封装连接可靠性的典型风险和原因;(2)介绍了无压低温连接技术的最新发展;(3)基于Si基典型功率模块封装向高可靠SiC功率模块转变过程中在封装结构和材料方面的需求,阐述了无压低温银烧结技术在引线型、平面型和双面冷却功率模块封装方面的进展;(4)提出无压低温银烧结技术当前有待解决的技术难题。
关键词
纳米
银
焊膏
无压
低温
银
烧结
技术
双面冷却
SIC器件
可靠性
Keywords
nano-silver paste
pressure-less low-temperature silver sintering
double-sided cooling
SiC device
reliability
分类号
TM921.05 [电气工程—电力电子与电力传动]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
无压烧结银-镍互连IGBT电源模块的力、热和电性能
2
作者
王美玉
梅云辉
李欣
郝柏森
机构
天津大学材料科学与工程学院
中国电子科技集团公司南京电子技术研究所
出处
《电源学报》
CSCD
北大核心
2023年第1期195-201,共7页
基金
国家自然科学基金资助项目(51922075,U1966212,51877147)。
文摘
作为一种应用广泛的基板金属镀层,镍在烧结过程中易发生氧化,形成烧结银-镍高性能互连接头较为困难,相关研究报道较少。提出了一种多尺度银焊膏互连材料和烧结银-镍无压互连工艺,研究了在220~300℃烧结10~60 min对烧结银-镍互连封装的IGBT电源模块的力、热和电性能的影响。研究结果表明:得益于多尺度银焊膏的致密堆积烧结,在270~300℃高温烧结30~60 min时镍氧化减缓,在270℃无压烧结30 min互连的芯片抗剪切强度在40 MPa以上,热阻和静态电特性与仿真结果和IGBT芯片数据手册差异性<0.5%,表明无压烧结银-镍互连IGBT芯片具有较高的连接强度、导热和导电性能,可以满足半导体电源模块的互连封装要求。
关键词
半导体封装
IGBT电源模块
镀镍基板
无压低温烧结银
多尺度
银
焊膏
Keywords
semiconductor packaging
IGBT power module
nickel-metallization
pressureless low-temperature silver sintering
multiscale silver paste
分类号
TM921.05 [电气工程—电力电子与电力传动]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
无压低温烧结纳米银封装电力电子器件的进展与思考
闫海东
梁陪阶
梅云辉
冯志红
《电源学报》
CSCD
北大核心
2020
8
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
无压烧结银-镍互连IGBT电源模块的力、热和电性能
王美玉
梅云辉
李欣
郝柏森
《电源学报》
CSCD
北大核心
2023
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
