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Si(001)衬底上方形3C-SiC岛的LPCVD生长
1
作者
孙国胜
罗木昌
+3 位作者
王雷
朱世荣
李晋闽
林兰英
《材料科学与工艺》
EI
CAS
CSCD
2001年第3期253-255,共3页
Si衬底上SiC的异质外延生长深受关注 ,为了了解Si衬底上SiC的成核及长大过程 ,采用LPCVD方法在Si(0 0 1)衬底上生长出了方形 3C -SiC岛 ,利用Nomarski光学显微镜和扫描电子显微镜 (SEM )观察了SiC岛的形状、尺寸、密度和界面形貌 .结果...
Si衬底上SiC的异质外延生长深受关注 ,为了了解Si衬底上SiC的成核及长大过程 ,采用LPCVD方法在Si(0 0 1)衬底上生长出了方形 3C -SiC岛 ,利用Nomarski光学显微镜和扫描电子显微镜 (SEM )观察了SiC岛的形状、尺寸、密度和界面形貌 .结果表明 ,3C -SiC岛生长所需的Si原子来自反应气源 ,衬底上的Si原子不发生迁移或外扩散 。
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关键词
方形3C-
si
C
LPCVD
si
(
001
)
衬
底
半导体材料
碳化硅
硅
衬
底
异质外延生长
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职称材料
用于单片集成的硅基外延Ⅲ-Ⅴ族量子阱和量子点激光器研究
被引量：
1
2
作者
王俊
葛庆
+11 位作者
刘帅呈
马博杰
刘倬良
翟浩
林枫
江晨
刘昊
刘凯
杨一粟
王琦
黄永清
任晓敏
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2023年第5期766-782,共17页
硅基光电子技术以光电子与微电子的深度融合为特征,是后摩尔时代的核心技术。硅基光电子芯片可以利用成熟的微电子平台实现量产,具有功耗低、集成密度大、传输速率快、可靠性高等优点,广泛应用于数据中心、通信系统等领域。除硅基激光器...
硅基光电子技术以光电子与微电子的深度融合为特征,是后摩尔时代的核心技术。硅基光电子芯片可以利用成熟的微电子平台实现量产,具有功耗低、集成密度大、传输速率快、可靠性高等优点,广泛应用于数据中心、通信系统等领域。除硅基激光器外,硅基光探测器、硅基光调制器等硅基光电子器件技术已经基本成熟,但作为最有希望实现低成本、大尺寸单片集成的硅基外延激光器仍然面临着诸多挑战。在此背景下,本文从直接外延无偏角Ⅲ-Ⅴ/Si(001)衬底、无偏角硅基激光器材料、外延技术,以及单片集成等方面探讨了近些年国内外硅基光源的研究进展,重点介绍了本研究组在硅基外延Ⅲ-Ⅴ族量子阱和量子点激光器方面的研究进展,包括无反相畴GaAs/Si(001)衬底的制备、硅基InGaAs/AlGaAs量子阱激光器材料外延、硅基InAs/GaAs量子点激光器材料外延和新型并联方式共面电极硅基激光器芯片制作等。
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关键词
硅基光电子
硅基外延激光器
无偏
角
si
(
001
)
衬
底
量子阱激光器
量子点激光器
对称负极芯片结构
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职称材料
题名
Si(001)衬底上方形3C-SiC岛的LPCVD生长
1
作者
孙国胜
罗木昌
王雷
朱世荣
李晋闽
林兰英
机构
中国科学院半导体研究所材料科学中心
出处
《材料科学与工艺》
EI
CAS
CSCD
2001年第3期253-255,共3页
基金
国家重点基础研究专项经费资助项目 (G2 0 0 0 0 6 83)
国家自然科学基金资助项目 ( 6 9736 0 2 0 )
文摘
Si衬底上SiC的异质外延生长深受关注 ,为了了解Si衬底上SiC的成核及长大过程 ,采用LPCVD方法在Si(0 0 1)衬底上生长出了方形 3C -SiC岛 ,利用Nomarski光学显微镜和扫描电子显微镜 (SEM )观察了SiC岛的形状、尺寸、密度和界面形貌 .结果表明 ,3C -SiC岛生长所需的Si原子来自反应气源 ,衬底上的Si原子不发生迁移或外扩散 。
关键词
方形3C-
si
C
LPCVD
si
(
001
)
衬
底
半导体材料
碳化硅
硅
衬
底
异质外延生长
Keywords
square shaped 3C-
si
C islands
LPCVD
si
(
001
) substrate
分类号
TN304.24 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
用于单片集成的硅基外延Ⅲ-Ⅴ族量子阱和量子点激光器研究
被引量：
1
2
作者
王俊
葛庆
刘帅呈
马博杰
刘倬良
翟浩
林枫
江晨
刘昊
刘凯
杨一粟
王琦
黄永清
任晓敏
机构
北京邮电大学信息光子学与光通信全国重点实验室
出处
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2023年第5期766-782,共17页
基金
国家重点研发计划重点专项课题(2018YFB2200104)
北京市自然科学基金(4232072)
+4 种基金
北京市科技计划课题(Z191100004819012)
国家创新研究群体科学基金(62021005)
信息光子学与光通信国家重点实验室(北京邮电大学)基金(IPOC2022ZZ01)
高校学科创新引智计划(BP0719012,111基地)
北京邮电大学研究生创新创业项目(2023-YC-A041,2023-YC-A046)。
文摘
硅基光电子技术以光电子与微电子的深度融合为特征,是后摩尔时代的核心技术。硅基光电子芯片可以利用成熟的微电子平台实现量产,具有功耗低、集成密度大、传输速率快、可靠性高等优点,广泛应用于数据中心、通信系统等领域。除硅基激光器外,硅基光探测器、硅基光调制器等硅基光电子器件技术已经基本成熟,但作为最有希望实现低成本、大尺寸单片集成的硅基外延激光器仍然面临着诸多挑战。在此背景下,本文从直接外延无偏角Ⅲ-Ⅴ/Si(001)衬底、无偏角硅基激光器材料、外延技术,以及单片集成等方面探讨了近些年国内外硅基光源的研究进展,重点介绍了本研究组在硅基外延Ⅲ-Ⅴ族量子阱和量子点激光器方面的研究进展,包括无反相畴GaAs/Si(001)衬底的制备、硅基InGaAs/AlGaAs量子阱激光器材料外延、硅基InAs/GaAs量子点激光器材料外延和新型并联方式共面电极硅基激光器芯片制作等。
关键词
硅基光电子
硅基外延激光器
无偏
角
si
(
001
)
衬
底
量子阱激光器
量子点激光器
对称负极芯片结构
Keywords
si
licon photonic
epitaxial lasers on
si
licon
on-axis
si
licon(
001
)substrate
quantum well laser
quantum dot laser
symmetrical negative chip structure
分类号
TN365 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Si(001)衬底上方形3C-SiC岛的LPCVD生长
孙国胜
罗木昌
王雷
朱世荣
李晋闽
林兰英
《材料科学与工艺》
EI
CAS
CSCD
2001
0
在线阅读
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职称材料
2
用于单片集成的硅基外延Ⅲ-Ⅴ族量子阱和量子点激光器研究
王俊
葛庆
刘帅呈
马博杰
刘倬良
翟浩
林枫
江晨
刘昊
刘凯
杨一粟
王琦
黄永清
任晓敏
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2023
1
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职称材料
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