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MOD法制备掺钐钛酸铋铁电薄膜
被引量：
2
1
作者
韩辉
王民
+2 位作者
王弘
王卓
许效红
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2004年第5期408-410,共3页
利用 MOD法在电阻率为 5～ 6Ω· cm的 n- Si(10 0 )衬底采用旋转甩膜工艺制备了 Sm0 .85Bi3.1 5Ti3O1 2(SBT- 0 .85 )铁电薄膜 ,研究了薄膜的结晶性能和电学性能。结果表明 ,在 70 0°C下退火 1h得到的 Sm0 .85Bi3.1 5Ti3O1 2...
利用 MOD法在电阻率为 5～ 6Ω· cm的 n- Si(10 0 )衬底采用旋转甩膜工艺制备了 Sm0 .85Bi3.1 5Ti3O1 2(SBT- 0 .85 )铁电薄膜 ,研究了薄膜的结晶性能和电学性能。结果表明 ,在 70 0°C下退火 1h得到的 Sm0 .85Bi3.1 5Ti3O1 2 薄膜具有良好的铁电、介电和绝缘性能。在± 5 V的范围内 ,电容 -电压 (C- V)曲线记忆窗口宽度为 3.6 V;在室温 10 0 0 k Hz下 ,其介电常数为 4 5 ,介电损耗为 0 .0 4 ;在 3V电压下 ,薄膜的漏电流为 3× 10 - 8A。
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关键词
MOD
电容-电压(C-V)曲线
旋转甩膜
铁电薄
膜
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职称材料
题名
MOD法制备掺钐钛酸铋铁电薄膜
被引量：
2
1
作者
韩辉
王民
王弘
王卓
许效红
机构
山东大学晶体材料国家重点实验室
山东大学化学院
出处
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2004年第5期408-410,共3页
文摘
利用 MOD法在电阻率为 5～ 6Ω· cm的 n- Si(10 0 )衬底采用旋转甩膜工艺制备了 Sm0 .85Bi3.1 5Ti3O1 2(SBT- 0 .85 )铁电薄膜 ,研究了薄膜的结晶性能和电学性能。结果表明 ,在 70 0°C下退火 1h得到的 Sm0 .85Bi3.1 5Ti3O1 2 薄膜具有良好的铁电、介电和绝缘性能。在± 5 V的范围内 ,电容 -电压 (C- V)曲线记忆窗口宽度为 3.6 V;在室温 10 0 0 k Hz下 ,其介电常数为 4 5 ,介电损耗为 0 .0 4 ;在 3V电压下 ,薄膜的漏电流为 3× 10 - 8A。
关键词
MOD
电容-电压(C-V)曲线
旋转甩膜
铁电薄
膜
Keywords
MOD
C-V curve
spin-coating
ferroelectric thin films
分类号
TB43 [一般工业技术]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
MOD法制备掺钐钛酸铋铁电薄膜
韩辉
王民
王弘
王卓
许效红
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2004
2
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