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Ni包覆Al_2O_3粉体的RCVD法制备及机理研究 被引量:2
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作者 葛梦妮 李亚辉 +2 位作者 周华思 郭珈旭 张建峰 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第4期78-83,共6页
金属Ni包覆于陶瓷粉体的表面,可以促进其烧结、提高导电性或赋予新的功能性质.本文采用旋转化学气相沉积法(RCVD),利用二茂镍(NiCp_2)前驱体的热分解,借助载体氢气对反应的催化促进作用,在Al_2O_3粉体表面包覆了均匀分散的Ni纳米粒子,... 金属Ni包覆于陶瓷粉体的表面,可以促进其烧结、提高导电性或赋予新的功能性质.本文采用旋转化学气相沉积法(RCVD),利用二茂镍(NiCp_2)前驱体的热分解,借助载体氢气对反应的催化促进作用,在Al_2O_3粉体表面包覆了均匀分散的Ni纳米粒子,并研究了包覆温度和原料供应速率对反应产物物相、粒度和形貌的影响规律.研究表明,在包覆温度为450~550℃、前驱体二茂镍(NiCp_2)供给速率为(0.6~2.0)×10^(-6)kg/s条件下,通过对反应过程中镍纳米粒子的包覆温度和前驱体二茂镍(NiCp_2)供给速率调控可对镍纳米粒子的粒径大小和包覆层数进行调控.结合实验结果,分析了载体氢气对二茂镍反应的催化促进作用,阐述了旋转化学气相沉积条件下Ni纳米粒子在Al_2O_3粉体表面均匀包覆的过程与机制.通过调控包覆温度和原料供应速率,可以影响前驱体二茂镍的分解行为,从而调控镍纳米粒子在Al_2O_3粉体表面的包覆状态. 展开更多
关键词 AL2O3粉体 镍纳米粒子 粉体包覆 旋转化学气相沉积法(RCVD) 包覆机理 包覆层
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石墨烯-铜基复合材料的原位合成制备、组织及性能研究 被引量:1
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作者 肖俏 易晓鸥 +4 位作者 姜波 秦泽华 江勇 刘会群 易丹青 《矿冶工程》 CSCD 北大核心 2017年第6期121-124,130,共5页
采用旋转化学气相沉积法和真空热压烧结工艺原位制备了综合性能优良的石墨烯-铜基复合材料。利用拉曼光谱仪、扫描电子显微镜和光学显微镜等仪器,并通过测试材料维氏硬度、导电性和导热性,分析了复合粉体的结构和形貌以及石墨烯添加对... 采用旋转化学气相沉积法和真空热压烧结工艺原位制备了综合性能优良的石墨烯-铜基复合材料。利用拉曼光谱仪、扫描电子显微镜和光学显微镜等仪器,并通过测试材料维氏硬度、导电性和导热性,分析了复合粉体的结构和形貌以及石墨烯添加对复合材料组织和性能的影响。结果表明,在旋转化学气相沉积过程中,通过改变甲烷气体的浓度(由0.17%提高到0.67%),结合真空热压烧结工艺,成功制备出石墨烯含量为0.015%和0.026%的铜基复合材料。2种复合材料均接近完全致密(≥99.0%);铜基体晶粒尺寸由于石墨烯的添加而明显细化:纯铜块体材料的平均晶粒直径约为46.8μm,而石墨烯含量为0.015%和0.026%的复合材料的平均晶粒直径分别为22.7和17.9μm;复合材料的硬度显著提高,相比纯铜样品均增长了约30%;随着石墨烯含量增加,复合材料导电性和导热性逐渐降低,但下降幅度较小,与纯铜样品接近。 展开更多
关键词 石墨烯 铜基复合材料 旋转化学气相沉积 真空热压烧结 原位合成 微观组织
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