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面向新型非易失存储器的文件级磨损均衡机制 被引量:2
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作者 蔡涛 张永春 +2 位作者 牛德姣 倪晓蓉 梁东莺 《计算机研究与发展》 EI CSCD 北大核心 2015年第7期1558-1566,共9页
自旋转移力矩磁存储器(spin transfer torque random access memory,STTRAM)和磁阻式随机存储器(magnetic random access memory,MRAM)等新型存储器具有接近于DRAM的访问速度,是构建高性能外存系统和提高计算机系统性能的重要手段,但有... 自旋转移力矩磁存储器(spin transfer torque random access memory,STTRAM)和磁阻式随机存储器(magnetic random access memory,MRAM)等新型存储器具有接近于DRAM的访问速度,是构建高性能外存系统和提高计算机系统性能的重要手段,但有限的写次数是其重要局限之一.设计了文件系统级磨损均衡机制,使用Hash函数分散文件在外存中的存储,避免在创建和删除文件时反复分配某些存储块,通过分配文件空间时选择写次数较低的存储块,避免写操作的集中;使用主动迁移策略,在外存系统I/O负载较低时主动迁移写次数较高的数据块,减少磨损均衡机制对I/O性能的影响.最后在开源的基于对象存储设备Open-osd上实现了面向新型存储器文件系统级磨损均衡机制的原型,使用存储系统通用测试工具filebench和postmark的多个通用数据集进行了测试与分析,验证了基于新型存储器的文件系统级磨损均衡机制能稳定地将存储块写次数差减少到原来的1/20左右,同时最高仅损失了6%的I/O性能和增加了0.5%的额外写操作,具有高效和稳定的特性. 展开更多
关键词 非易失存储器 磨损均衡 文件系统 存储系统 新型存储器
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基于相变存储器的存储系统与技术综述 被引量:21
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作者 张鸿斌 范捷 +1 位作者 舒继武 胡庆达 《计算机研究与发展》 EI CSCD 北大核心 2014年第8期1647-1662,共16页
随着处理器和存储器之间性能差距的不断增大,"存储墙"问题日益突出,但传统DRAM器件的集成度已接近极限,能耗问题也已成为瓶颈,如何设计扎实有效的存储架构解决存储墙问题已成为必须面对的挑战.近年来,以相变存储器(phase chan... 随着处理器和存储器之间性能差距的不断增大,"存储墙"问题日益突出,但传统DRAM器件的集成度已接近极限,能耗问题也已成为瓶颈,如何设计扎实有效的存储架构解决存储墙问题已成为必须面对的挑战.近年来,以相变存储器(phase change memory,PCM)为代表的新型存储器件因其高集成度、低功耗的特点而受到了国内外研究者的广泛关注.特别地,相变存储器因其非易失性及字节寻址的特性而同时具备主存和外存的特点,在其影响下,主存和外存之间的界限正在变得模糊,将对未来的存储体系结构带来重大变化.重点讨论了基于PCM构建主存的结构,分析了其构建主存中的写优化技术、磨损均衡技术、硬件纠错技术、坏块重用技术、软件优化等关键问题,然后讨论了PCM在外存储系统的应用研究以及其对外存储体系结构和系统设计带来的影响.最后给出了PCM在存储系统中的应用研究展望. 展开更多
关键词 新型存储器 非易失存储器 相变存储器 主存 外存
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基于RRAM的混合存储模型 被引量:1
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作者 杜娇 钱育蓉 +1 位作者 侯海耀 张猛 《计算机工程与设计》 北大核心 2018年第10期3068-3072,共5页
传统的DRAM受其存储密度、工艺尺寸限制已不能满足大数据时代对海量信息存储的需求。针对这一问题,提出一种混合存储模型。在传统内存结构的基础上,引入阻变存储器(RRAM)作为同级存储设备,利用其存储密度高、扩展性强、非易失性等特性... 传统的DRAM受其存储密度、工艺尺寸限制已不能满足大数据时代对海量信息存储的需求。针对这一问题,提出一种混合存储模型。在传统内存结构的基础上,引入阻变存储器(RRAM)作为同级存储设备,利用其存储密度高、扩展性强、非易失性等特性提高内存系统的容量和可靠性。通过构建混合内存控制器,合理分发请求,利用DRAM快速的写效率特性弥补新型存储器写延迟的缺点。在测试集PARSEC下对混合内存系统的读写性能进行测试与分析,验证了混合存储模型有效性。 展开更多
关键词 混合存储 新型存储器 阻变存储器 性能评测 内存
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基于电压调控自旋轨道矩器件多数决定逻辑门的存内华莱士树乘法器设计
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作者 惠亚娟 李青朕 +1 位作者 王雷敏 刘成 《电子与信息学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第6期2673-2680,共8页
在使用新型非易失性存储阵列进行存内计算的研究中,存内乘法器的延迟往往随着位宽的增加呈指数增长,严重影响计算性能。该文设计一种电压调控自旋轨道矩磁随机存储器(VGSOT-MRAM)单元交叉阵列,并提出一种存内华莱士树乘法器的电路设计... 在使用新型非易失性存储阵列进行存内计算的研究中,存内乘法器的延迟往往随着位宽的增加呈指数增长,严重影响计算性能。该文设计一种电压调控自旋轨道矩磁随机存储器(VGSOT-MRAM)单元交叉阵列,并提出一种存内华莱士树乘法器的电路设计方法。所提串联存储单元结构通过电阻求和的方式,有效解决磁存储器单元阻值较低的问题;其次提出基于电压调控自旋轨道矩磁存储器单元交叉阵列的存内计算架构,利用在“读”操作期间实现的5输入多数决定逻辑门,进一步降低华莱士树乘法器的逻辑深度。与现有乘法器设计方法相比,所提方法延迟开销从O(n^(2))降低为O(log_(2)n),在大位宽时延迟更低。 展开更多
关键词 存算一体 新型非易失性存储器 自旋轨道矩磁存储器 华莱士树乘法器
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基于忆阻器的图卷积神经网络加速器设计 被引量:1
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作者 李冰 午康俊 +4 位作者 王晶 李森 高岚 张伟功 倪天明 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2023年第1期106-115,共10页
图卷积神经网络(GCN)在社交网络、电子商务、分子结构推理等任务中的表现远超传统人工智能算法,在近年来获得广泛关注。与卷积神经网络(CNN)数据独立分布不同,图卷积神经网络更加关注数据之间特征关系的提取,通过邻接矩阵表示数据关系,... 图卷积神经网络(GCN)在社交网络、电子商务、分子结构推理等任务中的表现远超传统人工智能算法,在近年来获得广泛关注。与卷积神经网络(CNN)数据独立分布不同,图卷积神经网络更加关注数据之间特征关系的提取,通过邻接矩阵表示数据关系,因此其输入数据和操作数相比卷积神经网络而言都更加稀疏且存在大量数据传输,所以实现高效的GCN加速器是一个挑战。忆阻器(ReRAM)作为一种新兴的非易失性存储器,具有高密度、读取访问速度快、低功耗和存内计算等优点。利用忆阻器为CNN加速已经被广泛研究,但是图卷积神经网络极大的稀疏性会导致现有加速器效率低下,因此该文提出一种基于忆阻器交叉阵列的高效图卷积神经网络加速器,首先,该文分析GCN中不同操作数的计算和访存特征,提出权重和邻接矩阵到忆阻器阵列的映射方法,有效利用两种操作数的计算密集特征并避免访存密集的特征向量造成过高开销;进一步地,充分挖掘邻接矩阵的稀疏性,提出子矩阵划分算法及邻接矩阵的压缩映射方案,最大限度降低GCN的忆阻器资源需求;此外,加速器提供对稀疏计算支持,支持压缩格式为坐标表(COO)的特征向量输入,保证计算过程规则且高效地执行。实验结果显示,该文加速器相比CPU有483倍速度提升和1569倍能量节省;相比GPU也有28倍速度提升和168倍能耗节省。 展开更多
关键词 存算一体 新型非易失性存储器 图卷积神经网络 加速器
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