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题名整平剂JGB对局部电化学沉积铜微柱的影响
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作者
吴国强
徐登国
卿启新
黄炎光
朱挺
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机构
广西科技大学自动化学院
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出处
《表面技术》
北大核心
2025年第12期186-194,共9页
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基金
国家自然科学基金(62363001)
广西科技大学博士基金(22Z30)。
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文摘
目的研究不同健那绿B(JGB)浓度对局部电化学沉积(LECD)铜微柱形貌、直径尺寸、沉积速率的影响。方法采用扫描电镜表征不同JGB浓度下沉积的铜微柱微观形貌;通过软件采集沉积时间参数来计算沉积速率,Measure软件测量铜微柱直径。结果JGB质量浓度低于平衡浓度12mg/L,随着JGB浓度的增大,加速了铜微柱沉积;JGB质量浓度高于平衡浓度12mg/L,随着JGB浓度的增大,JGB抑制铜微柱沉积,起到整平抑制的作用;同时JGB整平抑制作用还依赖于沉积电压,在低电压下,对铜微柱的形貌直径影响最大的JGB质量浓度在240 mg/L,但沉积速率最低,而中高电压下JGB的整平抑制作用最佳质量浓度为60 mg/L,沉积速率分别为2.22μm/s和6.67μm/s,提高沉积电压,降低了JGB浓度,增强了JGB的整平抑制效果,提高了沉积速率,节省了沉积时间;通过JGB浓度与沉积电压的关系,建立JGB电迁移与分解消耗机理来揭示JGB浓度对LECD制造铜微柱的作用机制。结论JGB浓度对LECD沉积铜微柱的形貌、直径、沉积速率有显著的影响,在大于平衡浓度情况下,JGB对铜微柱的整平抑制效果最佳沉积电压为3.6 V,质量浓度为60 mg/L。
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关键词
健那绿B
局部电化学沉积
铜微柱
形貌
整平抑制作用
机理
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Keywords
Janus green B
LECD
copper microcolumn
morphology
leveling inhibition effect
mechanism
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分类号
TQ153
[化学工程—电化学工业]
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