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低压高速大驱动电流BiCMOS模拟开关单元
被引量：
3
1
作者
成立
王振宇
+1 位作者
祝俊
张荣标
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第4期597-601,共5页
从改善速度和电流驱动能力出发,设计了4种BiCMOS模拟开关电路。设计过程中在电路的关键部位配置有限的双极型晶体管(BJT),而在电路的主体部分则设置CMOS器件。推导出电路的传延时间估算式,优选了元器件参数,并采取提速和增大驱动电流的...
从改善速度和电流驱动能力出发,设计了4种BiCMOS模拟开关电路。设计过程中在电路的关键部位配置有限的双极型晶体管(BJT),而在电路的主体部分则设置CMOS器件。推导出电路的传延时间估算式,优选了元器件参数,并采取提速和增大驱动电流的措施。实验结果表明,所设计的BiCMOS开关电路在低电源电压2.6V≤VDD≤4.0V的范围内,综合性能指标——延迟-功耗积DP比CMOS开关电路平均降低了36.52pJ,输出级BJT的驱动电流可达1.40mA以上,因而特别适用于低压、高速、大驱动电流的数字通信系统中。
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关键词
双极互补金属氧化物半导体器件
模拟开关单元
低压
高速度
大驱动电流
数宇通信系统
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职称材料
题名
低压高速大驱动电流BiCMOS模拟开关单元
被引量：
3
1
作者
成立
王振宇
祝俊
张荣标
机构
江苏大学电气与信息工程学院
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第4期597-601,共5页
基金
国家高技术研究发展计划(863计划)(No.2006AA10Z258)
文摘
从改善速度和电流驱动能力出发,设计了4种BiCMOS模拟开关电路。设计过程中在电路的关键部位配置有限的双极型晶体管(BJT),而在电路的主体部分则设置CMOS器件。推导出电路的传延时间估算式,优选了元器件参数,并采取提速和增大驱动电流的措施。实验结果表明,所设计的BiCMOS开关电路在低电源电压2.6V≤VDD≤4.0V的范围内,综合性能指标——延迟-功耗积DP比CMOS开关电路平均降低了36.52pJ,输出级BJT的驱动电流可达1.40mA以上,因而特别适用于低压、高速、大驱动电流的数字通信系统中。
关键词
双极互补金属氧化物半导体器件
模拟开关单元
低压
高速度
大驱动电流
数宇通信系统
Keywords
BiCMOS device
analog switch cell
low-voltage
high-speed
large-drive-current
digital communication system
分类号
TN433 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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作者
出处
发文年
被引量
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1
低压高速大驱动电流BiCMOS模拟开关单元
成立
王振宇
祝俊
张荣标
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2008
3
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