高性能2～18GHz超宽带MMIC6位数字衰减器 被引量：9

1

作者 戴永胜 李平 +1 位作者 孙宏途 徐利 《微波学报》 CSCD 北大核心 2012年第6期80-83,92,共5页

介绍了一种高性能2～18GHz MMIC 6位GaAs PHEMT数字衰减器的设计、制造和测试结果。研制的单片数字衰减器衰减步进为0.5dB;最大衰减范围为31.5dB;参考态插入损耗<5.71dB;所有衰减态的输入、输出电压驻波比<1.8;衰减精度:+2.31dB/-... 介绍了一种高性能2～18GHz MMIC 6位GaAs PHEMT数字衰减器的设计、制造和测试结果。研制的单片数字衰减器衰减步进为0.5dB;最大衰减范围为31.5dB;参考态插入损耗<5.71dB;所有衰减态的输入、输出电压驻波比<1.8;衰减精度:+2.31dB/-0.51dB;插入相移:+6.28°/-1.53°;64态幅度均方根误差<1.0dB;64态相移均方根误差<1.3°;芯片尺寸:2.89mm×1.22mm×0.1mm。工艺成品率高达85%。 展开更多

关键词 数字衰减器 微波单片集成电路 砷化镓 超宽带 赝配高电子迁移率晶体管

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一种超小型DC^18 GHz MMIC 6 bit数字衰减器 被引量：5

2

作者 谢媛媛 陈凤霞 高学邦 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第8期580-585,共6页

微波单片集成电路(MMIC)数字衰减器的尺寸是芯片成本最主要的决定因素。基于GaAs E/D PHEMT工艺,研制了一款超小型DC^18 GHz 6 bit数字衰减器,芯片上集成了4 bit反相器。重点介绍了数字衰减器拓扑结构的改进及反相器的逻辑单元等电路设... 微波单片集成电路(MMIC)数字衰减器的尺寸是芯片成本最主要的决定因素。基于GaAs E/D PHEMT工艺,研制了一款超小型DC^18 GHz 6 bit数字衰减器,芯片上集成了4 bit反相器。重点介绍了数字衰减器拓扑结构的改进及反相器的逻辑单元等电路设计的关键点。通过在衰减器拓扑中共用接地通孔、合并两个小衰减位、缩小微带线宽度和线间距、缩小薄膜电阻尺寸、减少控制电压压点个数,实现了芯片的超小型化,从而降低了MMIC数字衰减器的成本。测试结果表明,在DC^18 GHz频段内,数字衰减器的插入损耗小于6 d B,全态输入输出驻波比(VSWR)小于1.6,全态均方根误差小于0.7 d B,工作电流小于5 m A。数字衰减器芯片面积为1.45 mm×0.85 mm。 展开更多

关键词 微波单片集成电路(MMIC) 超小型 数字衰减器 GaAs E/D PHEMT 直接耦合场效应晶体管逻辑(DCFL)单元

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Ku波段6 bit数字衰减器MMIC的小型化设计 被引量：7

3

作者 李富强 赵子润 魏洪涛 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第8期612-616,共5页

基于0.25μm GaAs增强/耗尽(E/D)型赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计并实现了一款集成了6 bit并行驱动器的数字衰减器单片微波集成电路(MMIC)。该衰减器采用T型衰减网络结构,不仅缩小了芯片面积,并且可实现较好的衰减精度和衰减... 基于0.25μm GaAs增强/耗尽(E/D)型赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计并实现了一款集成了6 bit并行驱动器的数字衰减器单片微波集成电路(MMIC)。该衰减器采用T型衰减网络结构,不仅缩小了芯片面积,并且可实现较好的衰减精度和衰减附加相移。芯片在片测试结果表明,在-5 V电源电压下驱动器的静态电流为1.8 mA,响应速度为25 ns。在9~18 GHz频率范围内,衰减器芯片的插入损耗不大于3.6 dB,均方根衰减精度不大于0.7 dB,衰减附加相移为-2°~4°,输入电压驻波比(VSWR)不大于1.25∶1,输出VSWR不大于1.5∶1。芯片尺寸为1.6 mm×0.6 mm×0.1 mm。该电路具有响应速度快、功耗低、面积小、衰减附加相移小等优点,可广泛应用于通信设备和微波测量系统中。 展开更多

关键词 单片微波集成电路(MMIC) GaAs 赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 增强/耗尽(E/D)型 数字衰减器 数字驱动器

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Ku波段微波单片集成电路6位数字衰减器设计 被引量：4

4

作者 周守利 张景乐 +2 位作者 吴建敏 周赡成 程元飞 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第12期30-34,共5页

基于GaAs 0.25μm增强/耗尽型(E/D)赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺,研制了一款Ku波段6位数字衰减器微波单片集成电路(MMIC)。该6位数字衰减器由6个基本衰减位级联组成,可实现最大衰减量为31.5 dB、步进为0.5 dB的衰减量控制。采用... 基于GaAs 0.25μm增强/耗尽型(E/D)赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺,研制了一款Ku波段6位数字衰减器微波单片集成电路(MMIC)。该6位数字衰减器由6个基本衰减位级联组成,可实现最大衰减量为31.5 dB、步进为0.5 dB的衰减量控制。采用简化的T型衰减结构,实现了0.5 dB和1 dB的衰减位。16 dB衰减位采用开关型衰减拓扑,在提高衰减平坦度的同时,有效降低其附加相移。测试结果表明,在12~18 GHz的频率内,数字衰减器衰减64态均方根误差(RMS)小于0.25 dB,附加相移为-0.5°^+9.5°,插入损耗小于4.9 dB,输入输出驻波比均小于1.5∶1。芯片尺寸为3.00 mm×0.75 mm。该芯片电路具有宽频带、高衰减精度、小尺寸的特点,主要用于微波相控阵收发组件、无线通讯等领域。 展开更多

关键词 KU波段 砷化镓 数字衰减器 高衰减精度 微波单片集成电路

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GaN MMIC六位数字衰减器的设计 被引量：1

5

作者 齐志华 谢媛媛 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第12期921-925,共5页

基于GaN HEMT工艺成功研制出一款宽带六位数字衰减器,衰减范围为0~31.5 dB。通过研究GaN HEMT开关器件模型及电阻式衰减网络,选取合适的衰减器拓扑,减小了衰减器的插入损耗,提高了衰减精度,缩小了芯片尺寸。测试结果表明,在2~18 GHz频带... 基于GaN HEMT工艺成功研制出一款宽带六位数字衰减器,衰减范围为0~31.5 dB。通过研究GaN HEMT开关器件模型及电阻式衰减网络,选取合适的衰减器拓扑,减小了衰减器的插入损耗,提高了衰减精度,缩小了芯片尺寸。测试结果表明,在2~18 GHz频带内,该衰减器的插入损耗小于4.8 dB,64态衰减精度均方根误差小于0.6 dB,输入回波损耗小于-13 dB,输出回波损耗小于-12.5 dB,附加相移为-14°~4°。在10 GHz下,其1 dB压缩点输入功率达到34.5 dBm。裸片尺寸为2.30 mm×1.10 mm。 展开更多

关键词 GAN 高电子迁移率晶体管(HEMT) 微波单片集成电路(MMIC) 数字衰减器 宽带

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0~21 GHz高精度宽带硅基数字衰减器设计 被引量：2

6

作者 刘美杉 张为 郝东宁 《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第7期1399-1406,共8页

针对射频前端收发系统中衰减结构宽带性能不稳定的问题,提出具有双重电容补偿的新型开关内嵌式衰减结构。该结构基于容性校正网络,在节约核心电路面积的同时通过调节零、极点对频率响应的影响,达到拓展衰减单元工作频带的目的,以满足跨... 针对射频前端收发系统中衰减结构宽带性能不稳定的问题,提出具有双重电容补偿的新型开关内嵌式衰减结构。该结构基于容性校正网络,在节约核心电路面积的同时通过调节零、极点对频率响应的影响,达到拓展衰减单元工作频带的目的,以满足跨频段、宽频域射频通信收发前端的设计需求.基于HHNEC 0.18μm SiGe BiCMOS工艺,采用新型电容补偿结构设计6位步进式数字衰减电路,该衰减器通过6位数控开关实现64种衰减状态,衰减步进0.5 dB,衰减范围0~31.5 dB.仿真结果表明,在0~21 GHz工作频带内衰减误差均方根小于0.23 dB,附加相移均方根小于4.38°,插入损耗最大为−11.05 dB,最小为−4 dB,中心频率处1 dB压缩点17.3 dBm,核心电路版图面积0.86 mm×0.2 mm. 展开更多

关键词 数字步进式衰减器 相控阵雷达 高精度衰减 低附加相移 超宽带 体悬浮技术

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一种数字化可调光衰减器的设计 被引量：4

7

作者 曹钟慧 邹勇卓 吴兴坤 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期17-20,23,共5页

设计了一种具有自锁功能,可实现数字化的电磁驱动可调光衰减器。该衰减器以电磁驱动 微加工齿轮/齿条机构,带动偏心轮以及与偏心轮点接触的移动挡光片,从而实现数字化电控调节光衰减量。性能测试表明该器件的插入损耗小于 0.5 dB,衰减... 设计了一种具有自锁功能,可实现数字化的电磁驱动可调光衰减器。该衰减器以电磁驱动 微加工齿轮/齿条机构,带动偏心轮以及与偏心轮点接触的移动挡光片,从而实现数字化电控调节光衰减量。性能测试表明该器件的插入损耗小于 0.5 dB,衰减动态范围为0～50dB。 展开更多

关键词 数字化电控可调光衰减器 微加工 微位移驱动器 光通信

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微波法原油含水率测量 被引量：24

8

作者 于洋 孙香 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2011年第12期93-95,共3页

原油含水量是油田开采的一个重要指标,不同介电常数的油水混合物对微波信号的吸收率是不同的,基于这个原理设计了一种具有自动定标功能的微波原油含水率测量系统。该系统改进了传统的微波透射法单通道测量方式,采用测量通道和参考通道... 原油含水量是油田开采的一个重要指标,不同介电常数的油水混合物对微波信号的吸收率是不同的,基于这个原理设计了一种具有自动定标功能的微波原油含水率测量系统。该系统改进了传统的微波透射法单通道测量方式,采用测量通道和参考通道的双通道测量方式,利用环形器和PIN调制开关的组合,替代魔T和功分器的使用,降低了系统成本,并且有效地克服了信号源的不稳定性及空间干扰对系统的影响,提高了测量的精确性。该系统实现了0～40%中高含水率油品的精确测量,实验证明该装置具有工作稳定性好,测量精确度高,可在线测量等优点。 展开更多

关键词 微波 调制开关 数字衰减器 自动定标

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微波零平衡相位法检测多层复合材料的粘结缺陷 被引量：2

9

作者 樊明捷 黄勇 +1 位作者 钱鉴 尹秋艳 《微波学报》 CSCD 北大核心 2003年第4期87-91,共5页

提出了一种采用微波零平衡相位法检测多层复合材料 (特别是吸音材料 )粘结缺陷的新方法。该方法的特点是 :使用数字移相器和数字衰减器作为比较基准 ;使用零平衡相位方法检测相位变化 ;使用全局曲线拟合进行数据处理。本文提供的样例试... 提出了一种采用微波零平衡相位法检测多层复合材料 (特别是吸音材料 )粘结缺陷的新方法。该方法的特点是 :使用数字移相器和数字衰减器作为比较基准 ;使用零平衡相位方法检测相位变化 ;使用全局曲线拟合进行数据处理。本文提供的样例试验条件为 :微波源工作频率 1.15GHz ,输出功率 10 0mW ,复合材料厚度 50mm ,粘结层缺陷空气层厚度 3mm ,检测到平均相位变化为 2 .2° ,经过曲线拟合数据处理后 ,平均相位变化可精确到 2 .17°。实验结果表明 :该系统结构简单、使用方便。 展开更多

关键词 微波零平衡相位法 多层复合材料 粘结缺陷 数字移相器 数字衰减器

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基于1 bit时间调制技术的功率控制方法 被引量：2

10

作者 夏雨 刘冬平 +3 位作者 杨柳 陈靖峰 梁仙灵 金荣洪 《电波科学学报》 CSCD 北大核心 2022年第6期948-955,961,共9页

针对传统数控衰减器结构复杂、控制信号路数多的问题,提出了一种基于1 bit时间调制技术的功率控制方法.通过对1 bit移相器0°和180°两种状态占空比的调节,该方法可以有效实现对输入信号基波功率的动态控制,利用带通滤波器抑制... 针对传统数控衰减器结构复杂、控制信号路数多的问题,提出了一种基于1 bit时间调制技术的功率控制方法.通过对1 bit移相器0°和180°两种状态占空比的调节,该方法可以有效实现对输入信号基波功率的动态控制,利用带通滤波器抑制多余谐波后其可具备数控衰减器的功能.还进一步讨论了调制信号时间精度对不同衰减量和不同调制频率的约束.仿真和实验结果验证了所提功率控制方法的有效性.相比于传统数字控制衰减器级联网络和多路控制信号的结构,本文方法只需一个调制模块和两路控制信号即可实现多种衰减状态可调的功能,因此具备结构简单的优势. 展开更多

关键词 1 bit移相器 时间调制技术 数字可调衰减器 占空比 功率调控

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Ramsey-CPT原子频标的高性能小型脉冲微波源研究

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作者 管超 竺小松 +1 位作者 周群 耿钦 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期52-57,共6页

根据Ramsey-CPT原子频标对脉冲微波源高性能小型化的要求,采用直接数字频率合成器激励锁相环频率合成器,再结合可编程数字功率衰减器和阻抗匹配电路,从而实现具有高稳定度、高分辨率、快跳频速度、低相位噪声、小体积、小步长扫描的脉... 根据Ramsey-CPT原子频标对脉冲微波源高性能小型化的要求,采用直接数字频率合成器激励锁相环频率合成器,再结合可编程数字功率衰减器和阻抗匹配电路,从而实现具有高稳定度、高分辨率、快跳频速度、低相位噪声、小体积、小步长扫描的脉冲微波源。比较应用于Ramsey-CPT原子频标的脉冲微波源方案,介绍脉冲微波源的基本原理,简述其具体实现方法,并通过仿真优化得到最佳的输出性能。实现的脉冲微波源具有优良的技术性能,进一步提高了Ramsey-CPT原子频标输出频率的性能。同时,达到了设计小型化的要求,有利于Ramsey-CPT原子频标的便携式应用。 展开更多

关键词 激光物理 原子频标 拉姆齐干涉-相干布居囚禁 脉冲微波源 锁相环 可编程数字功率衰减器

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