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基于同步脉冲补偿的Buck DC/DC变换器共模EMI抑制方法
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作者 罗嗣勇 毕闯 +3 位作者 陈允 张鹏飞 崔博源 成林 《中国电机工程学报》 北大核心 2025年第7期2732-2743,I0024,共13页
碳化硅场效应管(silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,SiC MOSFET)在快速导通关断时会产生高的dv/dt和di/dt,进而对其他设备造成严重的共模电磁干扰(electromagnetic interference,EMI)。因此,为了提高... 碳化硅场效应管(silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,SiC MOSFET)在快速导通关断时会产生高的dv/dt和di/dt,进而对其他设备造成严重的共模电磁干扰(electromagnetic interference,EMI)。因此,为了提高电力电子系统的电磁兼容性,该文通过分析SiC MOSFET同步Buck DC/DC变换器共模EMI产生机理,进而提出一种基于同步脉冲补偿(synchronous pulses compensation,SPC)的新型共模EMI抑制方法。首先,建立基于SiC MOSFET同步Buck DC/DC变换器的共模EMI模型,并得出SiC MOSFET开关波形与共模EMI噪声之间的函数关系;其次,建立SiC MOSFET开关波形简化时域模型并预测共模EMI噪声频谱,同时理论分析基于SPC的共模EMI抑制方法可行性并建立基于FPGA的同步脉冲注入实现方案;然后,在实验中讨论非理想SPC以及共模电感所产生的影响;最后,通过实验验证SiC MOSFET同步Buck DC/DC变换器的共模EMI模型准确性以及基于SPC的共模EMI抑制方法的有效性。 展开更多
关键词 碳化硅场效应管 电磁干扰 共模噪声 数字电磁干扰滤波器 同步脉冲补偿
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