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MOS表面反型层少子时变效应研究
被引量：
1
1
作者
刘艳红
魏希文
+1 位作者
许铭真
谭长华
《大连理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第6期661-663,共3页
为深入研究半导体表面过程 ,主要针对 Zerbst方程 ,用数值拟合法 ,给出脉冲电压作用下 MOS器件半导体表面耗尽层宽度随时间变化近似解析解 ,进而得出与实验结果符合较好的表面少子时变关系解析式 ;分析了表面少子时变过程 ,为表面电荷...
为深入研究半导体表面过程 ,主要针对 Zerbst方程 ,用数值拟合法 ,给出脉冲电压作用下 MOS器件半导体表面耗尽层宽度随时间变化近似解析解 ,进而得出与实验结果符合较好的表面少子时变关系解析式 ;分析了表面少子时变过程 ,为表面电荷转移器件的模拟分析提供了有力的工具 .
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关键词
少数载流子
数值解/mos结构
时变效应
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职称材料
题名
MOS表面反型层少子时变效应研究
被引量：
1
1
作者
刘艳红
魏希文
许铭真
谭长华
机构
大连理工大学物理系
北京大学微电子研究所
出处
《大连理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第6期661-663,共3页
文摘
为深入研究半导体表面过程 ,主要针对 Zerbst方程 ,用数值拟合法 ,给出脉冲电压作用下 MOS器件半导体表面耗尽层宽度随时间变化近似解析解 ,进而得出与实验结果符合较好的表面少子时变关系解析式 ;分析了表面少子时变过程 ,为表面电荷转移器件的模拟分析提供了有力的工具 .
关键词
少数载流子
数值解/mos结构
时变效应
Keywords
minority carriers
numerical solutions
/mos
structure
time-dependent effect
分类号
O472.1 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
MOS表面反型层少子时变效应研究
刘艳红
魏希文
许铭真
谭长华
《大连理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000
1
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