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小电流晶闸管静电放电损伤特性研究
被引量：
1
1
作者
简勋
张希军
杨洁
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第3期229-233,共5页
为了研究小电流晶闸管(SCR)在机械模型静电放电(MM ESD)作用下的损伤特性和失效模式,选取ON Semiconductor公司生产的2N5061型小电流晶闸管作为研究对象,开展了机械模型静电放电注入试验,并对试验结果进行了理论分析。研究结果表明:从K...
为了研究小电流晶闸管(SCR)在机械模型静电放电(MM ESD)作用下的损伤特性和失效模式,选取ON Semiconductor公司生产的2N5061型小电流晶闸管作为研究对象,开展了机械模型静电放电注入试验,并对试验结果进行了理论分析。研究结果表明:从K+G-端对注入MM ESD时最易导致小电流晶闸管损伤,这是由于在晶闸管内部形成的3个pn结中,J3结结深最浅,并且pn结处于反偏状态时更易发生击穿以及热损伤;机械模型静电放电注入后损伤的小电流晶闸管失效模式为门极失去控制作用。该研究结果对于提高电子器件抗静电能力具有一定的工程指导意义。
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关键词
小电流晶闸管(SCR)
静电放电(ESD)
损伤特性
敏感注入端对
失效模式
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职称材料
题名
小电流晶闸管静电放电损伤特性研究
被引量：
1
1
作者
简勋
张希军
杨洁
机构
军械工程学院静电与电磁防护研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第3期229-233,共5页
基金
装备预研共用技术基金资助项目(9140A33010314JB34467)
国防科技重点实验室基金资助项目(9140C87010213JB34005)
文摘
为了研究小电流晶闸管(SCR)在机械模型静电放电(MM ESD)作用下的损伤特性和失效模式,选取ON Semiconductor公司生产的2N5061型小电流晶闸管作为研究对象,开展了机械模型静电放电注入试验,并对试验结果进行了理论分析。研究结果表明:从K+G-端对注入MM ESD时最易导致小电流晶闸管损伤,这是由于在晶闸管内部形成的3个pn结中,J3结结深最浅,并且pn结处于反偏状态时更易发生击穿以及热损伤;机械模型静电放电注入后损伤的小电流晶闸管失效模式为门极失去控制作用。该研究结果对于提高电子器件抗静电能力具有一定的工程指导意义。
关键词
小电流晶闸管(SCR)
静电放电(ESD)
损伤特性
敏感注入端对
失效模式
Keywords
small current silicon controlled rectifier（SCR）
electrostatic discharge（ESD）
damage characteristic
sensitive injection pins
failure mode
分类号
TN34 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
小电流晶闸管静电放电损伤特性研究
简勋
张希军
杨洁
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016
1
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