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SRK方程结合超额Gibbs自由能规则预测汽液平衡
被引量：
6
1
作者
吴选军
张光旭
刘相鹏
《化学工程》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第1期63-66,共4页
SRK方程结合范德华混合规则应用于极性体系会产生较大误差,而结合超额Gibbs自由能(GE)型混合规则能得较好的结果。Wong-Sandler(WS型)混合规则是基于无穷大压力的GE型混合规则,文中对提出一种基于常压的改进型WS(MWS型)混合规则,利用SR...
SRK方程结合范德华混合规则应用于极性体系会产生较大误差,而结合超额Gibbs自由能(GE)型混合规则能得较好的结果。Wong-Sandler(WS型)混合规则是基于无穷大压力的GE型混合规则,文中对提出一种基于常压的改进型WS(MWS型)混合规则,利用SRK方程分别结合WS型和MWS型混合规则对多个二元极性体系汽液平衡进行预测。比较结果表明,采用SRK方程结合MWS型混合规则预测汽液平衡结果一般优于WS型混合规则。
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关键词
改进
WS
型
混合
规则
UNIFAC
SRK状态方程
预测
汽液平衡
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职称材料
三维互穿网络结构MoSi_2-RSiC复合材料导电行为的影响因素研究
被引量：
1
2
作者
袁铮
程磊
+3 位作者
刘小磐
高朋召
徐墨雨
肖汉宁
《陶瓷学报》
CAS
北大核心
2019年第1期33-39,共7页
本文以再结晶碳化硅(RSiC)为基体,分别采用直接熔渗(MI)和前驱体浸渍裂解(PIP)-直接熔渗法(MI)来制备了MoSi_2-RSiC复合材料,探究了熔渗温度、基体密度和制备工艺对复合材料组成、微观结构和导电性能的影响。进而引入半定量计算和改进...
本文以再结晶碳化硅(RSiC)为基体,分别采用直接熔渗(MI)和前驱体浸渍裂解(PIP)-直接熔渗法(MI)来制备了MoSi_2-RSiC复合材料,探究了熔渗温度、基体密度和制备工艺对复合材料组成、微观结构和导电性能的影响。进而引入半定量计算和改进型混合规则探讨了复合材料导电行为的影响因素。结果表明:不同方法制备的MoSi_2-RSiC复合材料均为三维互穿网络结构,且PIP-MI法所制备的复合材料中,基体RSiC与MoSi_2界面结合性良好;两种复合材料的体积电阻率都随基体密度的降低和熔渗温度的升高而降低,MS-2.30-2050的体积电阻率为9.67×10^(-3)Ω·cm,为对应基体的1/1180。互穿网络结构对复合材料导电行为的影响较大,当基体密度为2.62 g/cm^3,I1为0.64;界面结合性对复合材料导电行为的影响主要受界面层厚度以及熔渗相体积分数的共同影响,其影响因子先增加后降低。复合材料中三维互穿网络结构对体积电阻率的影响高于界面结合性。
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关键词
MoSi2-RSiC复合材料
导电性能
半定量计算
改进型混合规则
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职称材料
题名
SRK方程结合超额Gibbs自由能规则预测汽液平衡
被引量：
6
1
作者
吴选军
张光旭
刘相鹏
机构
武汉理工大学化学工程学院
出处
《化学工程》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第1期63-66,共4页
文摘
SRK方程结合范德华混合规则应用于极性体系会产生较大误差,而结合超额Gibbs自由能(GE)型混合规则能得较好的结果。Wong-Sandler(WS型)混合规则是基于无穷大压力的GE型混合规则,文中对提出一种基于常压的改进型WS(MWS型)混合规则,利用SRK方程分别结合WS型和MWS型混合规则对多个二元极性体系汽液平衡进行预测。比较结果表明,采用SRK方程结合MWS型混合规则预测汽液平衡结果一般优于WS型混合规则。
关键词
改进
WS
型
混合
规则
UNIFAC
SRK状态方程
预测
汽液平衡
Keywords
modified WS mixing rule
UNIFAC
SRK equation of state
prediction
vapor-liquid equilibrium
分类号
O642.42 [理学—物理化学]
TQ018 [化学工程]
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职称材料
题名
三维互穿网络结构MoSi_2-RSiC复合材料导电行为的影响因素研究
被引量：
1
2
作者
袁铮
程磊
刘小磐
高朋召
徐墨雨
肖汉宁
机构
湖南大学材料科学与工程学院
湖南大学喷射沉积技术及应用湖南省重点实验室
出处
《陶瓷学报》
CAS
北大核心
2019年第1期33-39,共7页
基金
国家自然科学基金(51372078
51302076)
文摘
本文以再结晶碳化硅(RSiC)为基体,分别采用直接熔渗(MI)和前驱体浸渍裂解(PIP)-直接熔渗法(MI)来制备了MoSi_2-RSiC复合材料,探究了熔渗温度、基体密度和制备工艺对复合材料组成、微观结构和导电性能的影响。进而引入半定量计算和改进型混合规则探讨了复合材料导电行为的影响因素。结果表明:不同方法制备的MoSi_2-RSiC复合材料均为三维互穿网络结构,且PIP-MI法所制备的复合材料中,基体RSiC与MoSi_2界面结合性良好;两种复合材料的体积电阻率都随基体密度的降低和熔渗温度的升高而降低,MS-2.30-2050的体积电阻率为9.67×10^(-3)Ω·cm,为对应基体的1/1180。互穿网络结构对复合材料导电行为的影响较大,当基体密度为2.62 g/cm^3,I1为0.64;界面结合性对复合材料导电行为的影响主要受界面层厚度以及熔渗相体积分数的共同影响,其影响因子先增加后降低。复合材料中三维互穿网络结构对体积电阻率的影响高于界面结合性。
关键词
MoSi2-RSiC复合材料
导电性能
半定量计算
改进型混合规则
Keywords
MoSi2-RSiC composites
electrical conductivity
semi-quantitative calculation
modified mixing rule
分类号
TQ174.75 [化学工程—陶瓷工业]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
SRK方程结合超额Gibbs自由能规则预测汽液平衡
吴选军
张光旭
刘相鹏
《化学工程》
CAS
CSCD
北大核心
2010
6
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
三维互穿网络结构MoSi_2-RSiC复合材料导电行为的影响因素研究
袁铮
程磊
刘小磐
高朋召
徐墨雨
肖汉宁
《陶瓷学报》
CAS
北大核心
2019
1
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职称材料
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