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基于改进准循环码的FPGA抗辐射容错方法
1
作者
陈夏楠
赵亮
《探测与控制学报》
CSCD
北大核心
2024年第5期80-86,共7页
针对SRAM型FPGA在辐射环境中易受高能粒子影响发生单粒子多位翻转的问题,提出一种基于改进位交织技术的(16,8)准循环码抗单粒子多位翻转容错方法。在分析FPGA的典型多位翻转错误图样的基础上,采用软容错中的错误检测与纠正思想将传统的(...
针对SRAM型FPGA在辐射环境中易受高能粒子影响发生单粒子多位翻转的问题,提出一种基于改进位交织技术的(16,8)准循环码抗单粒子多位翻转容错方法。在分析FPGA的典型多位翻转错误图样的基础上,采用软容错中的错误检测与纠正思想将传统的(16,8)准循环码和改进位交织技术相结合来提高编解码的软容错能力。仿真和硬件平台试验表明,该方法可以实现对FPGA中由于单粒子效应所导致的至多五位突发错误的纠正和两位随机错误的检测,同时具有编解码不额外增加冗余位、实现简单和容错能力强的特点,为增强SRAM型FPGA在应用过程中的抗单粒子翻转能力、提高相关系统的辐照可靠性提供了可行途径。
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关键词
SRAM型FPGA
单粒子多位翻转
改进准循环码
错误检测与纠正
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职称材料
题名
基于改进准循环码的FPGA抗辐射容错方法
1
作者
陈夏楠
赵亮
机构
西南科技大学信息工程学院
出处
《探测与控制学报》
CSCD
北大核心
2024年第5期80-86,共7页
基金
国家自然科学基金项目(U183010080)
西南科技大学四川省产教融合示范项目(23cjkc24)
自治区科技支疆项目(2022E02080)。
文摘
针对SRAM型FPGA在辐射环境中易受高能粒子影响发生单粒子多位翻转的问题,提出一种基于改进位交织技术的(16,8)准循环码抗单粒子多位翻转容错方法。在分析FPGA的典型多位翻转错误图样的基础上,采用软容错中的错误检测与纠正思想将传统的(16,8)准循环码和改进位交织技术相结合来提高编解码的软容错能力。仿真和硬件平台试验表明,该方法可以实现对FPGA中由于单粒子效应所导致的至多五位突发错误的纠正和两位随机错误的检测,同时具有编解码不额外增加冗余位、实现简单和容错能力强的特点,为增强SRAM型FPGA在应用过程中的抗单粒子翻转能力、提高相关系统的辐照可靠性提供了可行途径。
关键词
SRAM型FPGA
单粒子多位翻转
改进准循环码
错误检测与纠正
Keywords
SRAM type FPGAs
multiple bits upset
improving quasi-cyclic codes
error detection and correction
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
基于改进准循环码的FPGA抗辐射容错方法
陈夏楠
赵亮
《探测与控制学报》
CSCD
北大核心
2024
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