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GaAs基改性高电子迁移率晶体管(MHEMT)的计算机模拟与优化
1
作者 吴旭 陈效建 李拂晓 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期469-474,共6页
讨论了针对GaAs基改性高电子迁移率晶体管(MHEMT)的异质层结构参数的设计优化方法,详细给出了有关的设计步骤与公式。在数值分析与比较的基础上,并综合考虑材料生长与器件工艺的简便性,得到一组优化的MHEMT异质层结构设计参数。模拟所... 讨论了针对GaAs基改性高电子迁移率晶体管(MHEMT)的异质层结构参数的设计优化方法,详细给出了有关的设计步骤与公式。在数值分析与比较的基础上,并综合考虑材料生长与器件工艺的简便性,得到一组优化的MHEMT异质层结构设计参数。模拟所得的器件DC与RF特性充分显示其在功率与低噪声应用上的巨大潜力。验证性的1μm×200μmMHEMT取得的fT=30GHz、fmax=170GHz的结果佐证了理论分析的正确性。 展开更多
关键词 改性高电子迁移率晶体管 计算机辅助设计优化 异质层结构参数 二维电子气
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高电子迁移率晶体管微波损伤仿真与实验研究 被引量：9
2
作者 张存波 王弘刚 张建德 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期59-64,共6页
针对AlGaAs/InGaAs型高电子迁移率晶体管,利用TCAD半导体仿真工具,从器件内部空间电荷密度、电场强度、电流密度和温度分布变化分析出发,研究了从栅极注入1 GHz微波信号时器件内部的损伤过程与机理。研究表明,器件的损伤过程发生在微波... 针对AlGaAs/InGaAs型高电子迁移率晶体管,利用TCAD半导体仿真工具,从器件内部空间电荷密度、电场强度、电流密度和温度分布变化分析出发,研究了从栅极注入1 GHz微波信号时器件内部的损伤过程与机理。研究表明,器件的损伤过程发生在微波信号的正半周,负半周器件处于截止状态;器件内部损伤过程与机理在不同幅值的注入微波信号下是不同的。当注入微波信号幅值较低时,器件内部峰值温度出现在栅极下方靠源极侧栅极与InGaAs沟道间,由于升温时间占整个周期的比例太小,峰值温度很难达到GaAs的熔点;但器件内部雪崩击穿产生的栅极电流比小信号下栅极泄漏电流高4个量级,栅极条在如此大的电流下很容易烧毁熔断。当注入微波信号幅值较高时,在信号正半周的下降阶段,在栅极中间偏漏极下方发生二次击穿,栅极电流出现双峰现象,器件内部峰值温度转移到栅极中间偏漏极下方,峰值温度超过GaAs熔点。利用扫描电子显微镜对微波损伤的高电子迁移率晶体管器件进行表面形貌失效分析,仿真和实验结果符合较好。 展开更多
关键词 高电子迁移率晶体管 微波损伤 击穿 失效分析
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AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管解析模型 被引量：4
3
作者 杨燕 王平 +2 位作者 郝跃 张进城 李培咸 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期205-208,共4页
基于电荷控制理论 ,考虑到极化效应和寄生漏源电阻的影响 ,建立了能精确模拟AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管直流I V特性和小信号参数的解析模型 .计算表明 ,自发极化和压电极化的综合作用对器件特性影响尤为显著 ,2V栅压下 ,栅长为 1μm的... 基于电荷控制理论 ,考虑到极化效应和寄生漏源电阻的影响 ,建立了能精确模拟AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管直流I V特性和小信号参数的解析模型 .计算表明 ,自发极化和压电极化的综合作用对器件特性影响尤为显著 ,2V栅压下 ,栅长为 1μm的Al0 .2 Ga0 .8N/GaNHEMT获得的最大漏电流为 1370mA/mm ;降低寄生源漏电阻可以获得更高的饱和电流、跨导和截至频率 .模拟结果同已有的测试结果较为吻合 ,该模型具有物理概念明确且算法简单的优点 ,适于微波器件结构和电路设计 . 展开更多
关键词 ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管 解析模型 极化效应 寄生源漏电阻
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AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的可靠性 被引量：2
4
作者 冯士维 邓兵 +3 位作者 张亚民 石磊 郭春生 朱慧 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期226-232,共7页
利用正向肖特基结结电压与温度的线性关系,对AlGaN/GaN HEMT器件有源区瞬态温升进行了测量,其热阻为19.6℃/W。比较了不同测温方法和外界环境对器件沟道温升的影响。并研究了栅极施加反向直流阶梯应力对AlGaN/GaN HEMT器件性能的影响,... 利用正向肖特基结结电压与温度的线性关系,对AlGaN/GaN HEMT器件有源区瞬态温升进行了测量,其热阻为19.6℃/W。比较了不同测温方法和外界环境对器件沟道温升的影响。并研究了栅极施加反向直流阶梯应力对AlGaN/GaN HEMT器件性能的影响,结果表明器件在应力作用下电学参数退化,大信号寄生源/漏极电阻RS/RD和栅源正向I-V特性在击穿后能得到恢复。AlGaN势垒层陷阱俘获电子和电子填充栅极表面态是器件参数退化的原因,表面态恢复是器件参数恢复的主要原因。 展开更多
关键词 瞬态温升测量 应力 衰退与恢复特性 可靠性 高电子迁移率晶体管(HEMT)
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一种紧凑的GaN高电子迁移率晶体管大信号模型拓扑 被引量：2
5
作者 韩克锋 蒋浩 +1 位作者 秦桂霞 孔月婵 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第2期501-506,共6页
GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)以其复杂的器件特性使其大信号建模变得十分困难,尽管EEHEMT、Angelov等模型结构曾经成功应用于Ga As HEMT/MESFET的大信号模型,但当它们被用于GaN HEMT建模时却不再准确和完备.面向GaN HEMT器件的大信号模... GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)以其复杂的器件特性使其大信号建模变得十分困难,尽管EEHEMT、Angelov等模型结构曾经成功应用于Ga As HEMT/MESFET的大信号模型,但当它们被用于GaN HEMT建模时却不再准确和完备.面向GaN HEMT器件的大信号模型,本文提出了一种紧凑的模型拓扑,此模型拓扑综合了GaN HEMT器件的直流电压-电流(I-V)特性、非线性电容、寄生参数、栅延迟漏延迟与电流崩塌、自热效应以及噪声等特性.经验证此模型拓扑在仿真中具有很好的收敛性,适用于GaN HEMT器件的大信号模型的建立,满足GaN基微波电路设计对器件模型的需求. 展开更多
关键词 氮化镓高电子迁移率晶体管 大信号模型 非线性 收敛性
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0.5μm栅长HfO_2栅介质的GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管 被引量：1
6
作者 韩克锋 王创国 +1 位作者 朱琳 孔月婵 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第8期72-76,共5页
为了抑制GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的栅极漏电,提出了一种0.5μm栅长的GaN金属氧化物半导体(MOS)高电子迁移率晶体管结构。该结构采用势垒层部分挖槽,并用高介电常数绝缘栅介质的金属氧化物半导体栅结构替代传统GaN HEMT中的肖特基... 为了抑制GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的栅极漏电,提出了一种0.5μm栅长的GaN金属氧化物半导体(MOS)高电子迁移率晶体管结构。该结构采用势垒层部分挖槽,并用高介电常数绝缘栅介质的金属氧化物半导体栅结构替代传统GaN HEMT中的肖特基栅。基于此结构制备出一种GaN MOSHEMT器件,势垒层总厚度为20nm,挖槽深度为15nm,栅介质采用高介电常数的HfO_2,器件栅长为0.5μm。对器件电流电压特性和射频特性的测试结果表明:所制备的GaN MOSHEMT器件最大电流线密度达到0.9 A/mm,开态源漏击穿电压达到75 V;与GaN HEMT器件相比,其栅极电流被大大压制,正向栅压摆幅可提高10倍以上,并达到与同栅长GaN HEMT相当的射频特性。 展开更多
关键词 高电子迁移率晶体管 氮化镓 栅电流 射频特性
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高电子迁移率晶体管材料结构的制备及分析 被引量：1
7
作者 王雪敏 阎大伟 +7 位作者 沈昌乐 赵妍 黎维华 周民杰 罗跃川 彭丽萍 吴卫东 唐永建 《太赫兹科学与电子信息学报》 2013年第4期536-540,共5页
针对高电子迁移率晶体管(HEMT)器件,分析了双δ掺杂GaAs HEMT的结构组成,基于固源分子束外延方法制备了双δ掺杂GaAs HEMT的缓冲层、沟道层、平面掺杂层和隔离层等多层材料结构。采用X-ray射线衍射、透射电镜研究了多层材料的结构。范... 针对高电子迁移率晶体管(HEMT)器件,分析了双δ掺杂GaAs HEMT的结构组成,基于固源分子束外延方法制备了双δ掺杂GaAs HEMT的缓冲层、沟道层、平面掺杂层和隔离层等多层材料结构。采用X-ray射线衍射、透射电镜研究了多层材料的结构。范德堡霍尔测试结果表明,HEMT的2DEG测试浓度为1.82×1012cm-3,电子迁移率大于6 520 cm2·V-1·s-1。 展开更多
关键词 高电子迁移率晶体管 多层结构 双δ掺杂
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GaN基高电子迁移率晶体管的质子辐照效应研究 被引量：2
8
作者 吕玲 林志宇 +2 位作者 张进成 马晓华 郝跃 《空间电子技术》 2013年第3期33-38,共6页
文章研究了A1GaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的质子辐照效应。在3MeV质子辐照下,采用三种不同辐照剂量6×10^(14),4×10^(14)和1×10^(15)protons/cm^2。在最高辐照剂量下,漏极饱和电流下降了20%,最大跨导降低了5%。随着... 文章研究了A1GaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的质子辐照效应。在3MeV质子辐照下,采用三种不同辐照剂量6×10^(14),4×10^(14)和1×10^(15)protons/cm^2。在最高辐照剂量下,漏极饱和电流下降了20%,最大跨导降低了5%。随着剂量增加,阈值电压向正向漂移,栅泄露电流增加。AlGaN/GaN HEMT电学特性的退化主要是由辐照引入的位移损伤引起的。从SRIM软件计算出空位密度,将Ga空位对应的能级引入Silvaco器件仿真软件中,仿真结果与实验结果相匹配。Hall测试结果显示二维电子气(2DEG)浓度和迁移率在辐照后有所降低。 展开更多
关键词 质子辐照 氮化镓高电子迁移率晶体管 Ga空位 二维电子气
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一种新的高电子迁移率晶体管I-V解析模型
9
作者 向兵 侯卫周 《郑州大学学报（工学版）》 CAS 2008年第3期31-34,共4页
随着通信技术的发展,HEMT器件的栅长变得越来越短,而早期的速度-场经验公式随着栅长的不断减小已不能精确地描述这种变化.通过对现有的速度-场经验公式的计算机模拟仿真,发现其与实测的文献数据之间存在一定的误差,因而提出一种改进的速... 随着通信技术的发展,HEMT器件的栅长变得越来越短,而早期的速度-场经验公式随着栅长的不断减小已不能精确地描述这种变化.通过对现有的速度-场经验公式的计算机模拟仿真,发现其与实测的文献数据之间存在一定的误差,因而提出一种改进的速度-场经验公式,在线性电荷控制模型的基础上,考虑沟道长度调制效应,解析出一种新的高电子迁移率晶体管(HEMT)I-V模型.仿真结果表明,该模型具有较高的精度. 展开更多
关键词 高电子迁移率晶体管 模型 二维电子气 速度-场
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GaN高电子迁移率晶体管高频噪声特性的研究 被引量：4
10
作者 陈勇波 周建军 +2 位作者 徐跃杭 国云川 徐锐敏 《微波学报》 CSCD 北大核心 2011年第6期84-88,共5页
基于FUKUI噪声模型,分析了GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的高频噪声特性,结果表明,由于GaN HEMT具有更高的临界电场和更大的电子饱和速度,与第2代半导体器件(GaAs HEMT等)相比具有更优越的噪声性能。对近10多年来国内外在GaN HEMT低... 基于FUKUI噪声模型,分析了GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的高频噪声特性,结果表明,由于GaN HEMT具有更高的临界电场和更大的电子饱和速度,与第2代半导体器件(GaAs HEMT等)相比具有更优越的噪声性能。对近10多年来国内外在GaN HEMT低噪声器件及其低噪声功率放大器单片集成电路(MMIC)方面的研究进行了综述,并分析了GaN HEMT在低噪声应用领域目前存在的主要问题及其发展趋势。 展开更多
关键词 氮化镓(GaN) 高电子迁移率晶体管(HEMT) 高频噪声 低噪声放大器
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漏极注入HPM对高电子迁移率晶体管的损伤机理 被引量：2
11
作者 薛沛雯 方进勇 +1 位作者 李志鹏 孙静 《中国空间科学技术》 EI CSCD 北大核心 2017年第3期93-100,共8页
针对典型GaAs高电子迁移率晶体管(HEMT)低噪声放大器,利用半导体仿真软件Sentaurus-TCAD建立了HEMT低噪声放大器二维电热模型,考虑高电场下的载流子迁移率退化和载流子雪崩产生效应,分析了由漏极注入高功率微波(HPM)情况下器件内部的瞬... 针对典型GaAs高电子迁移率晶体管(HEMT)低噪声放大器,利用半导体仿真软件Sentaurus-TCAD建立了HEMT低噪声放大器二维电热模型,考虑高电场下的载流子迁移率退化和载流子雪崩产生效应,分析了由漏极注入高功率微波(HPM)情况下器件内部的瞬态响应,通过分析器件内部电场强度、电流密度、温度分布随信号作用时间的变化,研究了其损伤效应与机理。研究结果表明,当漏极注入幅值17.5V、频率为14.9GHz的微波信号后,峰值温度随信号作用时间的变化呈现周期性"增加—减小—增加"的规律。在正半周期降温,在负半周期升温,总体呈上升趋势,正半周电场峰值主要出现在漏极,负半周电场峰值主要出现在栅极靠漏侧,端电流在第二周期之后出现明显的双峰现象。由于热积累效应,栅极下方靠漏侧是最先发生熔融烧毁的部位,严重影响了器件的可靠性,而漏极串联电阻可以有效提高器件抗微波损伤能力。最后,对微波信号损伤的HEMT进行表面形貌失效分析,表明仿真与试验结果基本相符。 展开更多
关键词 高功率微波 高电子迁移率晶体管 损伤机理 漏极 失效分析
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高电子迁移率晶体管放大器高功率微波损伤机理 被引量：3
12
作者 闫涛 李平 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第10期70-74,共5页
在TCAD半导体仿真环境中,建立了0.25μm栅长的AlGaAs/InGaAs高电子迁移率晶体管(HEMT)低噪声放大器与微波脉冲作用的仿真模型,基于器件内部的电场强度、电流密度和温度分布的变化,研究了1GHz的微波从栅极和漏极注入的损伤机理。研究结... 在TCAD半导体仿真环境中,建立了0.25μm栅长的AlGaAs/InGaAs高电子迁移率晶体管(HEMT)低噪声放大器与微波脉冲作用的仿真模型,基于器件内部的电场强度、电流密度和温度分布的变化,研究了1GHz的微波从栅极和漏极注入的损伤机理。研究结果表明,从栅极注入约40.1dBm的微波时,HEMT内部峰值温度随着时间的变化振荡上升,最终使得器件失效,栅下靠源侧电流通道和强电场的同时存在使得该位置最容易损伤;从漏极注入微波时,注入功率的高低会使器件内部出现不同的响应过程,注入功率存在一个临界值,高于该值,器件有可能在第一个周期内损伤,损伤位置均在漏极附近。在1GHz的微波作用下,漏极注入比栅极注入更难损伤。 展开更多
关键词 高电子迁移率晶体管 低噪声放大器 高功率微波 不同端口
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不同频率高功率微波对高电子迁移率晶体管的损伤效应 被引量：2
13
作者 薛沛雯 方进勇 +1 位作者 李志鹏 孙静 《电子设计工程》 2017年第19期114-117,共4页
针对典型的Ga As高电子迁移率晶体管(HEMT),研究了不同频率高功率微波从栅极注入HEMT后的影响。利用半导体仿真软件Sentaurus-TCAD建立了HEMT器件二维电热模型,考虑了高电场下的载流子迁移率退化和载流子雪崩产生效应,通过分析器件内部... 针对典型的Ga As高电子迁移率晶体管(HEMT),研究了不同频率高功率微波从栅极注入HEMT后的影响。利用半导体仿真软件Sentaurus-TCAD建立了HEMT器件二维电热模型,考虑了高电场下的载流子迁移率退化和载流子雪崩产生效应,通过分析器件内部电场强度,电流密度,温度分布随信号作用时间的变化来探索其损伤过程及机理,获得了其在不同频率高功率微波作用下的烧毁时间,烧毁位置处的电场强度,电流密度以及温度的变化。研究结果表明,随着注入HPM频率的增大,烧毁时间不断减小,烧毁部位在栅极下方靠源侧,电场强度在栅极靠源侧以及漏侧出现峰值,并随频率增大而增大,电流密度随着频率的增大,先增大后减小,在6 GHz达到最大值,器件的烧毁点在栅极靠源侧,随着频率的增加,发热区逐渐缩小,在6 GHz烧毁点温度达到1 670 K。 展开更多
关键词 高电子迁移率晶体管 高功率微波 频率 损伤效应
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微波GaAs/AlGaAs高电子迁移率晶体管 被引量：1
14
作者 朱旗 王长河 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第1期110-111,共2页
采用国产分子束外延设备及国内外尚未报导的部分工艺,试制出具有微波特性的高电子迁移率品体管,其跨导80～135mS/mm,在4GHz下,最小噪声系数2.49dB,最大功率增益10.2dB。
关键词 电子迁移率 晶体管 微波 GAAS
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8mm高电子迁移率功率晶体管芯片
15
作者 陈新宇 高建峰 +2 位作者 王军贤 郑雪帆 陈效建 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1999年第2期239-239,共1页
南京电子器件研究所研制的８ｍｍ高电子迁移率功率晶体管芯片是国内首次通过设计定型的８ｍｍ波段ＰＨＥＭＴ功率器件，具有频率特性好、增益高、输出功率大、使用方便等优点。为更好地发挥异质结材料的性能，采用ＣＡＤ技术，对以Ａｌ... 南京电子器件研究所研制的８ｍｍ高电子迁移率功率晶体管芯片是国内首次通过设计定型的８ｍｍ波段ＰＨＥＭＴ功率器件，具有频率特性好、增益高、输出功率大、使用方便等优点。为更好地发挥异质结材料的性能，采用ＣＡＤ技术，对以ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ异质结为基础... 展开更多
关键词 功率晶体管 芯片 电子迁移率
全文增补中
f_T为102GHz的蓝宝石衬底AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管
16
作者 沈群力 韩婷婷 +3 位作者 敦少博 吕元杰 顾国栋 冯志红 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期419-422,共4页
研究了一款高性能的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件(HEMT),器件基于在蓝宝石衬底上外延生长的AlGaN/GaN异质结构HEMT材料,器件栅长为86 nm,源漏间距为0.8μm。电子束光刻实现T型栅和源漏,保证了器件小的栅长和高的对准精度。制备的器... 研究了一款高性能的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件(HEMT),器件基于在蓝宝石衬底上外延生长的AlGaN/GaN异质结构HEMT材料,器件栅长为86 nm,源漏间距为0.8μm。电子束光刻实现T型栅和源漏,保证了器件小的栅长和高的对准精度。制备的器件显示了良好的直流特性和射频特性,在栅偏压为0 V时漏电流密度为995 mA/mm,在栅源电压Vgs为-4.5 V时,最大峰值跨导为225 mS/mm;器件的电流增益截止频率fT和最大振荡频率fmax分别为102和147 GHz。高fT值一方面得益于小栅长,另一方面由于小源漏间距减小了源漏沟道电阻。 展开更多
关键词 AlGaNGaN 高电子迁移率晶体管(HEMT) T形栅 源漏间距
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毫米波高电子迁移率晶体管的二维数值模拟
17
作者 张兴宏 杨玉芬 王占国 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期226-230,共5页
建立了高电子迁移晶体管（ＨＥＭＴ）的二维数值模型，并用二维数值模拟的方法讨论了ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＥＭＴ中的ＧａＡｓ沟道层量子阱中二维电子气的物理性质．通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程获得了沟道中的电子浓度和横向... 建立了高电子迁移晶体管（ＨＥＭＴ）的二维数值模型，并用二维数值模拟的方法讨论了ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＥＭＴ中的ＧａＡｓ沟道层量子阱中二维电子气的物理性质．通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程获得了沟道中的电子浓度和横向电场．模拟结果表明栅电压的改变对ＨＥＭＴ器件跨导产生很大的影响． 展开更多
关键词 二维数值模拟 电子气 高电子迁移率 晶体管
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高电子迁移率晶体管的研究进展 被引量：3
18
作者 许俊焯 蒙自明 《科技创新与应用》 2023年第13期99-104,共6页
高电子迁移率晶体管(HEMT)作为半导体功率器件,能够应用在高温、高压和高频等环境。到目前为止,第二代半导体材料GaAs、InP基HEMTs体系的发展已相当成熟,随着第三代半导体GaN基HEMT体系的数据及理论不断完善,其在相关领域的应用正逐渐... 高电子迁移率晶体管(HEMT)作为半导体功率器件,能够应用在高温、高压和高频等环境。到目前为止,第二代半导体材料GaAs、InP基HEMTs体系的发展已相当成熟,随着第三代半导体GaN基HEMT体系的数据及理论不断完善,其在相关领域的应用正逐渐占据市场的主导地位,而随着对超宽禁带半导体Ga2O3理论的完善及无铱工艺的出现,Ga2O3基HEMT器件在电力电子、射频微波等领域展现出巨大的发展潜力。 展开更多
关键词 高电子迁移率晶体管 氮化镓 氧化镓 HEMT 研究进展
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室温下溅射法制备高迁移率氧化锌薄膜晶体管 被引量：3
19
作者 刘玉荣 黄荷 刘杰 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第7期917-922,共6页
为降低氧化锌薄膜晶体管(ZnO TFT)的工作电压,提高迁移率,采用磁控溅射法在氧化铟锡(ITO)导电玻璃基底上室温下依次沉积NbLaO栅介质层和ZnO半导体有源层,制备出ZnO TFT,对器件的电特性进行了表征。该ZnO TFT呈现出优异的器件性能:当栅... 为降低氧化锌薄膜晶体管(ZnO TFT)的工作电压,提高迁移率,采用磁控溅射法在氧化铟锡(ITO)导电玻璃基底上室温下依次沉积NbLaO栅介质层和ZnO半导体有源层,制备出ZnO TFT,对器件的电特性进行了表征。该ZnO TFT呈现出优异的器件性能:当栅电压为5 V、漏源电压为10 V时,器件的饱和漏电流高达2.2 m A;有效场效应饱和迁移率高达107 cm^2/(V·s),是目前所报道的室温下溅射法制备ZnO TFT的最高值,亚阈值摆幅为0.28 V/decade,开关电流比大于107。利用原子力显微镜(AFM)对NbLaO和ZnO薄膜的表面形貌进行了分析,分析了器件的低频噪声特性,对器件呈现高迁移率、低亚阈值摆幅以及迟滞现象的机理进行了讨论。 展开更多
关键词 薄膜晶体管 氧化锌 磁控溅射 高迁移率
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砷化镓高电子迁移率晶体管的贮存试验与失效分析
20
作者 I.De Munari 刘涌 《电子产品可靠性与环境试验》 1996年第1期32-35,共4页
高电子迁移率晶体管(HEMT)能在高频(>60GHz)下工作,具有增益高和噪声系数小的优点,因而成为微波通信和高速微电子应用中的关键器件.今天,这些器件已成功地用于卫星接收器、微波振荡器、混频器和多路转换器中.文献中描述过的限制HEMT... 高电子迁移率晶体管(HEMT)能在高频(>60GHz)下工作,具有增益高和噪声系数小的优点,因而成为微波通信和高速微电子应用中的关键器件.今天,这些器件已成功地用于卫星接收器、微波振荡器、混频器和多路转换器中.文献中描述过的限制HEMT可靠性的失效机理包括:界面和陷阱相关效应、2度泄漏、欧姆与肖特基接点退化、ESD和紫斑.本文的目的是介绍通过商用晶格匹配的AlGaAs/GaAs低噪声HEMT的无偏压贮存试验来鉴别的失效机理。 展开更多
关键词 砷化镓 电子迁移率 晶体管 贮存试验 失效
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