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In:Mn:Fe:LiNbO_3晶体光存储性能研究
1
作者
王锐
周楠
+2 位作者
杨春晖
刘欣荣
徐玉恒
《材料科学与工艺》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第3期279-281,286,共4页
在Mn∶Fe∶LiNbO3晶体中加入抗光折变元素铟,使用Czochralski法生长In∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体,并对晶体进行氧化还原处理,测试了晶体紫外-可见吸收光谱.结果表明:铟的掺入使晶体吸收边发生移动,生长态晶体吸收边稍向紫移,氧化处理晶体吸...
在Mn∶Fe∶LiNbO3晶体中加入抗光折变元素铟,使用Czochralski法生长In∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体,并对晶体进行氧化还原处理,测试了晶体紫外-可见吸收光谱.结果表明:铟的掺入使晶体吸收边发生移动,生长态晶体吸收边稍向紫移,氧化处理晶体吸收边紫移程度较大,还原处理晶体吸收边红移.通过二波耦合实验,使用输出功率30 mW的He-Ne激光器进行单光写入与擦除实验,测试了晶体记录过程中的响应时间与擦除时间.研究结果表明:In3+的掺入可通过提高擦除时间与响应时间之比,较大地提高晶体的动态范围;用生长态摩尔分数1%的In∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体进行擦除时,衍射效率达到30%,衍射效率不随时间变化.
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关键词
In:Mn:Fe:LiNb03晶体
响应
时间
擦除时间
动态范围
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职称材料
氦离子注入掺铈铌酸锶钡晶体平面光波导和它的光折变性质
2
作者
卢菲
孟鸣岐
+4 位作者
王克明
王玉荣
蔡履中
沈定予
王雪梅
《量子电子学报》
CAS
CSCD
1998年第1期47-51,共5页
室温下用2.8MeV氦离子注入在掺铈铌酸锶钡晶体上形成了平面光波导。用棱镜耦合法观察到了波导的暗模。计算的折射率分布表明在离子注入产生的损伤层中晶体的折射率减小，其中正常折射率减小约3．42％，反常折射率减小为2．55％。由PIPR...
室温下用2.8MeV氦离子注入在掺铈铌酸锶钡晶体上形成了平面光波导。用棱镜耦合法观察到了波导的暗模。计算的折射率分布表明在离子注入产生的损伤层中晶体的折射率减小，其中正常折射率减小约3．42％，反常折射率减小为2．55％。由PIPR方法拟合的波导中的折射率分布与TRIM’96给出的注入离子的密度分布基本一致。两波耦合实验表明离子注入可以延长折射率光栅的擦除时间。
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关键词
离子注入
折射率分布
擦除时间
光波导
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职称材料
题名
In:Mn:Fe:LiNbO_3晶体光存储性能研究
1
作者
王锐
周楠
杨春晖
刘欣荣
徐玉恒
机构
哈尔滨工业大学应用化学系
出处
《材料科学与工艺》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第3期279-281,286,共4页
基金
哈尔滨市科技攻关资助项目(2005AA5CG058)
文摘
在Mn∶Fe∶LiNbO3晶体中加入抗光折变元素铟,使用Czochralski法生长In∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体,并对晶体进行氧化还原处理,测试了晶体紫外-可见吸收光谱.结果表明:铟的掺入使晶体吸收边发生移动,生长态晶体吸收边稍向紫移,氧化处理晶体吸收边紫移程度较大,还原处理晶体吸收边红移.通过二波耦合实验,使用输出功率30 mW的He-Ne激光器进行单光写入与擦除实验,测试了晶体记录过程中的响应时间与擦除时间.研究结果表明:In3+的掺入可通过提高擦除时间与响应时间之比,较大地提高晶体的动态范围;用生长态摩尔分数1%的In∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体进行擦除时,衍射效率达到30%,衍射效率不随时间变化.
关键词
In:Mn:Fe:LiNb03晶体
响应
时间
擦除时间
动态范围
Keywords
In： Mn： Fe： LiNbO3 crystal
writing time
erasure time
dynamic range
分类号
O734 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
氦离子注入掺铈铌酸锶钡晶体平面光波导和它的光折变性质
2
作者
卢菲
孟鸣岐
王克明
王玉荣
蔡履中
沈定予
王雪梅
机构
山东大学光学系
山东大学物理系
北京大学技物系重离子物理实验室
出处
《量子电子学报》
CAS
CSCD
1998年第1期47-51,共5页
基金
国家教委博士点基金
文摘
室温下用2.8MeV氦离子注入在掺铈铌酸锶钡晶体上形成了平面光波导。用棱镜耦合法观察到了波导的暗模。计算的折射率分布表明在离子注入产生的损伤层中晶体的折射率减小，其中正常折射率减小约3．42％，反常折射率减小为2．55％。由PIPR方法拟合的波导中的折射率分布与TRIM’96给出的注入离子的密度分布基本一致。两波耦合实验表明离子注入可以延长折射率光栅的擦除时间。
关键词
离子注入
折射率分布
擦除时间
光波导
Keywords
ionimplantation, waveguide, refractive index profile, erasure time
分类号
TN252.01 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
In:Mn:Fe:LiNbO_3晶体光存储性能研究
王锐
周楠
杨春晖
刘欣荣
徐玉恒
《材料科学与工艺》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
0
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职称材料
2
氦离子注入掺铈铌酸锶钡晶体平面光波导和它的光折变性质
卢菲
孟鸣岐
王克明
王玉荣
蔡履中
沈定予
王雪梅
《量子电子学报》
CAS
CSCD
1998
0
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