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题名一种新型电吸收调制激光器的优化设计
被引量：1
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作者
孙元新
杨振强
贾华宇
余洁
李灯熬
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机构
太原理工大学电气与动力工程学院
太原理工大学信息与计算机学院
武汉光迅科技股份有限公司
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出处
《光通信研究》
2023年第2期69-78,共10页
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基金
国家重点研发计划资助项目(2018YFB2200900)。
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文摘
针对传统选择性区域生长叠层双有源区电吸收调制激光器(SAG-DSAL-EML)在高频调制环境下的响应速度问题以及改善其远场发散角特性,文章提出利用掺铁掩埋技术对电吸收调制激光器(EML)结构进行优化,设计了InGaAsP/InP材料1310 nm掺铁掩埋结构的SAG-DSAL-EML并制作样本芯片,新型SAG-DSAL-EML有源区变为台面结构,并在其两层外延生长掺铁InP层。同时,利用先进激光二极管模拟器(ALDS)软件和高频结构仿真(HFSS)软件对所设计掺铁掩埋结构的EML和调制器进行数值及仿真分析,结果表明,与传统多量子阱结构相比,SAG-DSAL-EML阈值电流减少了13%;与传统脊波导结构相比,掺铁掩埋结构的侧向限制能力提高52%,激光远场横纵角度之差降低了40%,具有更小的远场发散角;与传统PNPN掩埋结构相比,掺铁掩埋结构的调制器在-3 dB的响应带宽提高了约24%。对样本芯片进行测试,试验表明,SAG-DSAL-EML的阈值电流为14.5 mA,边模抑制比(SMSR)为45.64 dB,70 mA注入电流下,电吸收调制器-3 dB的响应带宽为43 GHz,满足高速激光通信的基本要求。
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关键词
电吸收调制激光器
台面结构
掺铁掩埋技术
调制带宽
远场发散角
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Keywords
electro-absorption modulated laser
mesa structure
iron-doped buried technology
modulation bandwidth
far-field divergence angle
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分类号
TN242
[电子电信—物理电子学]
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