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高迁移率透明导电In_2O_3:Mo薄膜被引量：11: 1; 作者李喜峰缪维娜 +3 位作者张群黄丽章壮健华中一《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期142-145,149,共5页; 用直流磁控溅射法成功制备了高价态差掺钼氧化铟(IMO)透明导电薄膜。研究了氧分压,基板温度以及溅射电流对IMO薄膜结构和性能的影响。获得的IMO薄膜的最低电阻率为3.65×10-4Ω·cm,载流子迁移率高达50cm2V-1s-1,可见光区域的... 展开更多; 关键词 IN2O3 载流子迁移率直流磁控溅射法 Mo 透明导电薄膜掺钼氧化铟结构和性能 IMO 基板温度低电阻率玻璃基底可见光区氧分压透射率结晶性 cm 散射; 在线阅读下载PDF 职称材料

新型透明导电薄膜In_2O_3∶Mo 被引量：9: 2; 作者孟扬杨锡良 +4 位作者陈华仙沈杰蒋益明章壮健华中一《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2000年第5期331-335,共5页; MoO3的饱和蒸气压较高 ,可以直接用热反应蒸发法制备In2 O3∶Mo(IMO)透明导电薄膜。XPS和XRD测试结果证明 ,IMO薄膜中的Mo是以Mo6+ 离子形式取代了In2 O3 晶格中的In3+ 离子而存在的 ,没有形成新的化合物 ,也没有改变In2 O3 的体心立方... 展开更多; 关键词透明导电薄膜掺钼氧化铟反应蒸发电导率; 在线阅读下载PDF 职称材料

透明导电IMO薄膜的载流子迁移率研究被引量：6: 3; 作者孟扬章壮健华中一《真空科学与技术》 EI CSCD 北大核心 2002年第4期265-269,共5页; 采用van der Pauw法、等离子振荡波长法和光谱拟合法等三种方法对IMO(In2 O3 ∶Mo)薄膜和ITO(In2 O3 ∶Sn)薄膜的载流子迁移率进行了测量和比较。结果表明 ,IMO薄膜的载流子迁移率高达 10 0cm2 V-1s-1以上 ,远超过已报导的其他掺杂透明... 展开更多; 关键词载流子迁移率掺钼氧化铟复合效应透明导电IMO薄膜; 在线阅读下载PDF 职称材料

臭氧在热反应蒸发法低温制备透明导电薄膜IMO中的作用被引量：2: 4; 作者孟扬杨锡良 +4 位作者陈华仙沈杰蒋益明章壮健华中一《真空科学与技术》 EI CSCD 北大核心 2001年第4期259-262,268,共5页; 虽然采用常规的热反应蒸发法就可以在约 35 0℃的玻璃基底上制备出性能优良的In2 O3∶Mo(IMO)薄膜 ,但是随着基底温度的降低 ,IMO薄膜的电导率和可见光透射比都迅速减小。通过高频放电在反应气体中加入O3 后 ,可以在室温下将In充分氧化... 展开更多; 关键词透明导电薄膜掺钼氧化铟热反应蒸发臭氧制备玻璃基底电阻率透射比; 在线阅读下载PDF 职称材料

沉积温度对IMO透明导电薄膜光电性能的影响被引量：3: 5; 作者袁果黎建明 +2 位作者张树玉刘伟闫兰琴《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期676-679,共4页; 采用射频磁控反应溅射法在K9玻璃衬底上制备了掺钼氧化铟(Mo:In2O3,IMO)透明导电薄膜,研究了不同沉积温度条件下IMO薄膜的晶体结构、形貌及光电性能。结果表明:不同沉积温度下IMO薄膜均具有(222)择优取向。随着沉积温度的升高,IMO薄膜... 展开更多; 关键词掺钼氧化铟薄膜射频磁控反应溅射电学性能光学性能; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高迁移率透明导电In_2O_3:Mo薄膜被引量：11: 1; 作者李喜峰缪维娜张群黄丽章壮健华中一; 机构复旦大学材料科学系; 出处《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期142-145,149,共5页; 基金国家自然科学基金(No.60376010)资助; 文摘用直流磁控溅射法成功制备了高价态差掺钼氧化铟(IMO)透明导电薄膜。研究了氧分压,基板温度以及溅射电流对IMO薄膜结构和性能的影响。获得的IMO薄膜的最低电阻率为3.65×10-4Ω·cm,载流子迁移率高达50cm2V-1s-1,可见光区域的平均透射率(含玻璃基底)高于80%。X ray衍射(XRD)研究表明IMO薄膜具有良好的结晶性。分析认为IMO薄膜的载流子迁移率主要受晶界散射的控制。; 关键词 IN2O3 载流子迁移率直流磁控溅射法 Mo 透明导电薄膜掺钼氧化铟结构和性能 IMO 基板温度低电阻率玻璃基底可见光区氧分压透射率结晶性 cm 散射; Keywords Carrier mobility Electric conductivity Film growth Indium compounds Magnetron sputtering Molybdenum; 分类号 TN304.21 [电子电信—物理电子学] TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名新型透明导电薄膜In_2O_3∶Mo 被引量：9: 2; 作者孟扬杨锡良陈华仙沈杰蒋益明章壮健华中一; 机构复旦大学材料科学系; 出处《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2000年第5期331-335,共5页; 文摘 MoO3的饱和蒸气压较高 ,可以直接用热反应蒸发法制备In2 O3∶Mo(IMO)透明导电薄膜。XPS和XRD测试结果证明 ,IMO薄膜中的Mo是以Mo6+ 离子形式取代了In2 O3 晶格中的In3+ 离子而存在的 ,没有形成新的化合物 ,也没有改变In2 O3 的体心立方晶格结构。在不进行退火、放电等工艺处理的情况下 ,用常规的反应蒸发法 ,在约 35 0℃ ,1 2mm厚的载玻片上制备的IMO薄膜在可见光区域的平均透射比 (含玻璃基底 )可超过 0 80 ,同时电阻率可以低至 1 7× 10 -4 Ωcm。; 关键词透明导电薄膜掺钼氧化铟反应蒸发电导率; Keywords Transparent conductive films,Molybdenum doped indium oxide,Reactive evaporation,Electrical conductivity,Spectral transmittance; 分类号 O484.42 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名透明导电IMO薄膜的载流子迁移率研究被引量：6: 3; 作者孟扬章壮健华中一; 机构复旦大学材料科学系; 出处《真空科学与技术》 EI CSCD 北大核心 2002年第4期265-269,共5页; 文摘采用van der Pauw法、等离子振荡波长法和光谱拟合法等三种方法对IMO(In2 O3 ∶Mo)薄膜和ITO(In2 O3 ∶Sn)薄膜的载流子迁移率进行了测量和比较。结果表明 ,IMO薄膜的载流子迁移率高达 10 0cm2 V-1s-1以上 ,远超过已报导的其他掺杂透明导电氧化物 (TCO)薄膜的载流子迁移率 ;IMO薄膜的载流子有效质量约为电子静止质量的 0 35倍 ;IMO薄膜的高载流子迁移率主要是由于载流子受到的散射作用较弱所引起。这无法用通常的掺杂TCO薄膜的载流子散射理论来解释 ,为此引入复合效应进行分析。在ITO薄膜中 ,每形成一个电中性复合粒子 ,就会使两个掺杂的Sn4+ 失去贡献载流子的电活性 ;而在IMO薄膜中 ,即使一个掺杂Mo6+ 与晶格间隙中的一个O2 -结合成复合离子后 ,该复合离子仍然会贡献出一个载流子 ,故薄膜中形成的电中性复合粒子数目较少 ,从而导致价态差为 3的IMO薄膜中的电中性复合粒子对载流子的散射远低于价态差为 1的ITO薄膜 ,因此。; 关键词载流子迁移率掺钼氧化铟复合效应透明导电IMO薄膜; Keywords Conductive films Indium compounds Molybdenum Scattering; 分类号 O484 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名臭氧在热反应蒸发法低温制备透明导电薄膜IMO中的作用被引量：2: 4; 作者孟扬杨锡良陈华仙沈杰蒋益明章壮健华中一; 机构复旦大学材料科学系; 出处《真空科学与技术》 EI CSCD 北大核心 2001年第4期259-262,268,共5页; 文摘虽然采用常规的热反应蒸发法就可以在约 35 0℃的玻璃基底上制备出性能优良的In2 O3∶Mo(IMO)薄膜 ,但是随着基底温度的降低 ,IMO薄膜的电导率和可见光透射比都迅速减小。通过高频放电在反应气体中加入O3 后 ,可以在室温下将In充分氧化成In2 O3,极大地改善了IMO薄膜的透明性。而且 ,IMO薄膜的结晶程度也得到了小幅度提高 ,这有利于提高薄膜电导率。在不加热基底的情况下 (约 30℃ ) ,制备的约 40 0nm厚的IMO薄膜的电阻率小于 5× 10 - 2 Ω·cm ;在基底温度为10 0℃时电阻率可以小于 2× 10 - 3 Ω·cm ;同时它们在可见光区域的总平均透射比 (含 1 2mm厚载玻片基底 )都超过 0 8。; 关键词透明导电薄膜掺钼氧化铟热反应蒸发臭氧制备玻璃基底电阻率透射比; Keywords Conductive materials Doping (additives) Indium Low temperature engineering Ozone; 分类号 O484 [理学—固体物理] TB43 [一般工业技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名沉积温度对IMO透明导电薄膜光电性能的影响被引量：3: 5; 作者袁果黎建明张树玉刘伟闫兰琴; 机构北京国晶红外光学科技有限公司北京有色金属研究总院; 出处《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期676-679,共4页; 文摘采用射频磁控反应溅射法在K9玻璃衬底上制备了掺钼氧化铟(Mo:In2O3,IMO)透明导电薄膜,研究了不同沉积温度条件下IMO薄膜的晶体结构、形貌及光电性能。结果表明:不同沉积温度下IMO薄膜均具有(222)择优取向。随着沉积温度的升高,IMO薄膜的载流子浓度增大、载流子迁移率增大、电阻率减小;沉积温度为350℃时,薄膜的最低电阻率为6.9×10-4Ω.cm,载流子浓度为2.15×1020cm-3,迁移率为45 cm2V-1s-1。在可见及近红外区,IMO薄膜的平均透过率大于80%以上。在近红外区,薄膜透过率随沉积温度的升高而增大;在中红外区,由于载流子的吸收,薄膜透过率迅速下降。; 关键词掺钼氧化铟薄膜射频磁控反应溅射电学性能光学性能; Keywords Mo-doped indium oxide thin films Radio frequency reactive magnetron sputtering Electrical properties Optical properties; 分类号 O484 [理学—固体物理] TB43 [一般工业技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	高迁移率透明导电In_2O_3:Mo薄膜	李喜峰缪维娜张群黄丽章壮健华中一	《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2005	11	在线阅读下载PDF 职称材料
2	新型透明导电薄膜In_2O_3∶Mo	孟扬杨锡良陈华仙沈杰蒋益明章壮健华中一	《真空科学与技术》 CSCD 北大核心	2000	9	在线阅读下载PDF 职称材料
3	透明导电IMO薄膜的载流子迁移率研究	孟扬章壮健华中一	《真空科学与技术》 EI CSCD 北大核心	2002	6	在线阅读下载PDF 职称材料
4	臭氧在热反应蒸发法低温制备透明导电薄膜IMO中的作用	孟扬杨锡良陈华仙沈杰蒋益明章壮健华中一	《真空科学与技术》 EI CSCD 北大核心	2001	2	在线阅读下载PDF 职称材料
5	沉积温度对IMO透明导电薄膜光电性能的影响	袁果黎建明张树玉刘伟闫兰琴	《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2010	3	在线阅读下载PDF 职称材料