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掺硼浓度对金刚石薄膜二次电子发射特性的影响被引量：1: 1; 作者叶勤燕王兵 +3 位作者甘孔银李凯周亮王东《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期38-40,44,共4页; 掺硼金刚石薄膜具有负电子亲和势和良好的电子运输性能且容易制备,作为冷阴极材料在图像显示技术和真空技术等领域都存在巨大的应用价值,引起人们的广泛关注。采用MPCVD法利用氢气、甲烷和硼烷的混合气体,制备出不同浓度的掺硼金刚石薄... 展开更多; 关键词掺硼金刚石薄膜二次电子发射化学气相沉积; 在线阅读下载PDF 职称材料

掺硼金刚石薄膜二次电子发射特性的研究被引量：1: 2; 作者王玉乾王兵 +4 位作者甘孔银李凯潘清黎明王延平《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期82-85,共4页; 掺硼金刚石薄膜具有负电子亲和势和良好的电子运输性能且容易制备,作为冷阴极材料在图像显示技术和真空技术等方面都有着巨大的应用价值,引起人们的注意。从二次电子发射的机理以及影响二次电子发射系数的因素等方面,对如何利用MPCVD法... 展开更多; 关键词掺硼金刚石薄膜二次电子发射化学气相沉积; 在线阅读下载PDF 职称材料

硼源浓度对纳米金刚石薄膜掺硼的影响被引量：4: 3; 作者熊礼威崔晓慧 +2 位作者汪建华龚国华邹伟《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期6-9,24,共5页; 目的研究纳米金刚石薄膜生长掺硼的内在机理,实现对该过程的精确控制。方法采用微波等离子体化学气相沉积法,以氢气稀释的乙硼烷为硼源,进行纳米金刚石薄膜的生长过程掺硼实验,研究硼源浓度对掺硼纳米金刚石薄膜晶粒尺寸、表面粗糙度、... 展开更多; 关键词纳米金刚石薄膜掺硼硼源浓度化学气相沉积; 在线阅读下载PDF 职称材料

硼源浓度对钛基掺硼金刚石薄膜生长的影响被引量：4: 4; 作者王文君汪建华 +3 位作者王均涛辛永磊熊礼威刘峰《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期58-61,共4页; 利用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)在钛基底上制备了掺硼金刚石(BDD)薄膜。研究了硼源浓度对BDD薄膜生长的影响。分别采用扫描电子显微镜,拉曼光谱,X射线衍射技术对薄膜的表面形貌、残余应力、择优取向及TiC含量进行了分析。结果表... 展开更多; 关键词硼浓度掺硼金刚石薄膜钛微波等离子体化学气相沉积; 在线阅读下载PDF 职称材料

壳聚糖修饰掺硼金刚石薄膜电极测定铜离子被引量：2: 5; 作者多思朱宁《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期624-627,共4页; 通过热丝化学气相沉积(HFCVD)的方法,以钽(Ta)为衬底,三氧化二硼(Be2O3)为硼源,制备掺硼金刚石(BDD)薄膜。并采用共价键合法进一步制得壳聚糖修饰BDD薄膜电极。以此修饰电极为工作电极,在0.1mol/L,pH=4的磷酸氢二钠缓冲液中对Cu2+进行... 展开更多; 关键词热丝化学气相沉积掺硼金刚石薄膜壳聚糖铜离子; 在线阅读下载PDF 职称材料

热丝化学气相沉积法制备钛基BDD电极及苯酚降解性能研究被引量：4: 6; 作者苑奎王婷 +1 位作者崔锋倪晋仁《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第5期96-101,共6页; 目的研究硼掺杂对改善金刚石膜的电阻率的影响,制备掺硼金刚石膜。方法采用热丝化学气相沉积系统,以CH4,H2,(CH3O)3B混合气体为反应气,在钛片衬底上沉积制备掺硼金刚石膜电极。对不同生长阶段沉积出的电极进行扫描电镜、EDX光电子能谱... 展开更多; 关键词热丝化学气相沉积金刚石薄膜掺硼拉曼光谱 SEM XRD; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名掺硼浓度对金刚石薄膜二次电子发射特性的影响被引量：1: 1; 作者叶勤燕王兵甘孔银李凯周亮王东; 机构西南科技大学四川省非金属复合与功能材料重点实验室-省部共建国家重点实验室培育基地中国工程物理研究院应用电子学研究所; 出处《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期38-40,44,共4页; 基金国家自然科学基金委员会-中国工程物理研究院联合基金(10876032) 国家863计划强辐射重点实验室基金(20070202); 文摘掺硼金刚石薄膜具有负电子亲和势和良好的电子运输性能且容易制备,作为冷阴极材料在图像显示技术和真空技术等领域都存在巨大的应用价值,引起人们的广泛关注。采用MPCVD法利用氢气、甲烷和硼烷的混合气体,制备出不同浓度的掺硼金刚石薄膜。结果表明,掺硼浓度影响金刚石薄膜的物相结构、组织形貌,进而影响其二次电子发射性能,当硼烷的流量为4mL/min时,制备的金刚石薄膜质量最好,二次电子发射系数约为90。; 关键词掺硼金刚石薄膜二次电子发射化学气相沉积; Keywords B-doped diamond thin films, secondary electron emission, CVD; 分类号 O484 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名掺硼金刚石薄膜二次电子发射特性的研究被引量：1: 2; 作者王玉乾王兵甘孔银李凯潘清黎明王延平; 机构西南科技大学材料学院中物院应用电子学研究所; 出处《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期82-85,共4页; 基金国家自然科学基金(10876032) 国家863计划强辐射重点实验室基金(20070202); 文摘掺硼金刚石薄膜具有负电子亲和势和良好的电子运输性能且容易制备,作为冷阴极材料在图像显示技术和真空技术等方面都有着巨大的应用价值,引起人们的注意。从二次电子发射的机理以及影响二次电子发射系数的因素等方面,对如何利用MPCVD法制备出高二次电子发射系数的掺硼金刚石薄膜进行了综述。论述表明通过合适的工艺条件,对薄膜表面进行适当的处理,是可以制备出高二次电子发射系数的阴极用金刚石薄膜的。; 关键词掺硼金刚石薄膜二次电子发射化学气相沉积; Keywords B-doped diamond thin films, secondary electron emission, CVD; 分类号 O484 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名硼源浓度对纳米金刚石薄膜掺硼的影响被引量：4: 3; 作者熊礼威崔晓慧汪建华龚国华邹伟; 机构武汉工程大学材料科学与工程学院湖北省等离子体化学与新材料重点实验室; 出处《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期6-9,24,共5页; 基金国家自然科学基金项目(11175137) 湖北省教育厅科学技术研究项目(Q20121501) 武汉工程大学科学研究基金(11111051)~~; 文摘目的研究纳米金刚石薄膜生长掺硼的内在机理,实现对该过程的精确控制。方法采用微波等离子体化学气相沉积法,以氢气稀释的乙硼烷为硼源,进行纳米金刚石薄膜的生长过程掺硼实验,研究硼源浓度对掺硼纳米金刚石薄膜晶粒尺寸、表面粗糙度、表面电阻和表面硼原子浓度的影响。结果随着硼源浓度的增加,纳米金刚石薄膜的表面粗糙度和晶粒尺寸增大,表面电阻则先下降,而后趋于平衡。结论纳米金刚石薄膜掺硼后,表面电导性能可获得改善,表面粗糙度和晶粒尺寸则会增大。在700℃条件下掺硼15 min,最佳的硼源浓度(以硼烷占总气体流量的百分比计)为0.02%。; 关键词纳米金刚石薄膜掺硼硼源浓度化学气相沉积; Keywords nano-crystalline diamond film doping boron boron concentration chemical vapor deposition; 分类号 TG174.444 [金属学及工艺—金属表面处理] TB43 [一般工业技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名硼源浓度对钛基掺硼金刚石薄膜生长的影响被引量：4: 4; 作者王文君汪建华王均涛辛永磊熊礼威刘峰; 机构武汉工程大学等离子体化学与新材料重点实验室中船重工; 出处《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期58-61,共4页; 文摘利用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)在钛基底上制备了掺硼金刚石(BDD)薄膜。研究了硼源浓度对BDD薄膜生长的影响。分别采用扫描电子显微镜,拉曼光谱,X射线衍射技术对薄膜的表面形貌、残余应力、择优取向及TiC含量进行了分析。结果表明,硼源浓度升高对金刚石薄膜(111)织构生长有促进作用;随着掺硼浓度的增加,TiC含量和晶粒尺寸皆减小,同时薄膜的张应力增大,缓解薄膜自身在制备过程中形成的压应力,从而更大程度上提高薄膜附着力。; 关键词硼浓度掺硼金刚石薄膜钛微波等离子体化学气相沉积; Keywords boron concentration BDD titanium MPCVD; 分类号 TB43 [一般工业技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名壳聚糖修饰掺硼金刚石薄膜电极测定铜离子被引量：2: 5; 作者多思朱宁; 机构天津理工大学电子信息工程学院; 出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期624-627,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目(50972105) 天津市重大科技攻关资助项目(06YFGZGX00300); 文摘通过热丝化学气相沉积(HFCVD)的方法,以钽(Ta)为衬底,三氧化二硼(Be2O3)为硼源,制备掺硼金刚石(BDD)薄膜。并采用共价键合法进一步制得壳聚糖修饰BDD薄膜电极。以此修饰电极为工作电极,在0.1mol/L,pH=4的磷酸氢二钠缓冲液中对Cu2+进行检测。实验表明,Cu2+在4.0×10-7～1.0×10-3 mol/L浓度范围内与峰电流成良好的线性关系,相关系数为0.9916,检测限达7.0×10-8 mol/L。比较了不同富集方式对Cu2+的检测效果,并分别用未经修饰的BDD电极和经壳聚糖修饰的BDD电极对相同浓度的Cu2+进行电化学检测,发现不仅还原峰电流明显增大而且还原峰电位也发生偏移,这表明经化学修饰的BDD电极能更加灵敏、准确地测定Cu2+,同时也佐证了壳聚糖成功修饰在BDD电极上。; 关键词热丝化学气相沉积掺硼金刚石薄膜壳聚糖铜离子; Keywords HFCVD boron-doped diamond thin-film chitosan copper ion; 分类号 TB43 [一般工业技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名热丝化学气相沉积法制备钛基BDD电极及苯酚降解性能研究被引量：4: 6; 作者苑奎王婷崔锋倪晋仁; 机构北京大学深圳研究生院环境与能源学院北京大学环境工程系深圳盖雅环境科技有限公司; 出处《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第5期96-101,共6页; 基金深圳市科委项目(CXY201106290063A)~~; 文摘目的研究硼掺杂对改善金刚石膜的电阻率的影响,制备掺硼金刚石膜。方法采用热丝化学气相沉积系统,以CH4,H2,(CH3O)3B混合气体为反应气,在钛片衬底上沉积制备掺硼金刚石膜电极。对不同生长阶段沉积出的电极进行扫描电镜、EDX光电子能谱、激光Raman光谱、X射线衍射、电化学性能表征及废水降解应用研究。结果制备出的掺硼金刚石膜呈现出均匀的(111)晶面,Raman光谱图中金刚石特征峰与硼原子特征峰峰型显著,具有较低的背景电流和更宽的电位窗口(3.5 V),对苯酚废水COD降解效果显著。结论有机污染物的吸附量与电极表面的粗糙度正相关,实验室制备的BDD/Ti电极表面粗糙度小,不利于析氢和析氧等副反应的发生,能降低直接电化学氧化作用,从而得到更宽的电势窗口。; 关键词热丝化学气相沉积金刚石薄膜掺硼拉曼光谱 SEM XRD; Keywords HFCVD diamond film boron doping Raman spectra SEM XRD; 分类号 TG174.444 [金属学及工艺—金属表面处理] O646 [理学—物理化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	掺硼浓度对金刚石薄膜二次电子发射特性的影响	叶勤燕王兵甘孔银李凯周亮王东	《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心	2012	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	掺硼金刚石薄膜二次电子发射特性的研究	王玉乾王兵甘孔银李凯潘清黎明王延平	《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心	2009	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	硼源浓度对纳米金刚石薄膜掺硼的影响	熊礼威崔晓慧汪建华龚国华邹伟	《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心	2014	4	在线阅读下载PDF 职称材料
4	硼源浓度对钛基掺硼金刚石薄膜生长的影响	王文君汪建华王均涛辛永磊熊礼威刘峰	《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心	2011	4	在线阅读下载PDF 职称材料
5	壳聚糖修饰掺硼金刚石薄膜电极测定铜离子	多思朱宁	《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心	2011	2	在线阅读下载PDF 职称材料
6	热丝化学气相沉积法制备钛基BDD电极及苯酚降解性能研究	苑奎王婷崔锋倪晋仁	《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心	2015	4	在线阅读下载PDF 职称材料