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掺硅类金刚石薄膜的制备与表征
被引量：
7
1
作者
赵飞
李红轩
+3 位作者
吉利
权伟龙
周惠娣
陈建敏
《中国表面工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第4期11-14,共4页
利用射频等离子增强化学气相沉积(R.F.PECVD)与非平衡磁控溅射相结合的技术,通过调节甲烷与氩气的比例,在不锈钢基底上制备了一系列硅含量不同的掺硅类金刚石(Si–DLC)薄膜。通过XPS谱图获得了各Si–DLC薄膜的化学组成及Si元素的相对含...
利用射频等离子增强化学气相沉积(R.F.PECVD)与非平衡磁控溅射相结合的技术,通过调节甲烷与氩气的比例,在不锈钢基底上制备了一系列硅含量不同的掺硅类金刚石(Si–DLC)薄膜。通过XPS谱图获得了各Si–DLC薄膜的化学组成及Si元素的相对含量。采用非接触式三维轮廓仪测量了薄膜的表面形貌、粗糙度和厚度。采用纳米压痕技术获得了各薄膜的纳米硬度。在UMT–2MT摩擦试验机采用划痕法评价了各薄膜的结合强度,并在CSM摩擦试验机上考察了各薄膜在空气及水环境下的摩擦学性能。结果表明,各薄膜的纳米硬度和结合强度有相似的变化规律,其最佳值均出现在CH4/Ar=5/6处;而当CH4/Ar=7/6时,薄膜在水环境下的摩擦学性能能得到显著提高,摩擦因数仅为0.012。
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关键词
R.F.PECVD
掺硅类金刚石薄膜
水环境
结合强度
摩擦因数
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职称材料
SiC靶功率密度对无氢掺硅类金刚石薄膜摩擦学性能的影响
被引量：
1
2
作者
张贺勇
代明江
+3 位作者
胡芳
韦春贝
林松盛
侯惠君
《中国表面工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第2期37-42,共6页
采用直流磁控溅射石墨靶、中频磁控溅射碳化硅靶以及离子源辅助的复合沉积技术,制备出膜层质量优异、摩擦因数和磨损率较低的具有不同Si含量的无氢掺硅类金刚石薄膜。使用XPS、拉曼光谱仪、台阶仪、纳米硬度计、SEM、EDS以及球盘式摩擦...
采用直流磁控溅射石墨靶、中频磁控溅射碳化硅靶以及离子源辅助的复合沉积技术,制备出膜层质量优异、摩擦因数和磨损率较低的具有不同Si含量的无氢掺硅类金刚石薄膜。使用XPS、拉曼光谱仪、台阶仪、纳米硬度计、SEM、EDS以及球盘式摩擦磨损试验仪测试并表征薄膜的微观结构、力学性能和摩擦学性能。研究表明,该技术能够成功制备出无氢掺硅类金刚石薄膜;随着SiC靶功率密度的增加,薄膜中Si的含量和sp3键的含量逐渐增加,其纳米硬度和弹性模量先增大后减小,摩擦因数由0.277降低至0.066,但其磨损率从6.29×10-11 mm3/Nm增加至1.45×10-9 mm3/Nm;当SiC靶功率密度为1.37W/cm2时,薄膜的纳米硬度与弹性模量分别达到最大值16.82GPa和250.2GPa。
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关键词
磁控溅射
无氢
掺硅类金刚石薄膜
摩擦因数
磨损率
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职称材料
题名
掺硅类金刚石薄膜的制备与表征
被引量：
7
1
作者
赵飞
李红轩
吉利
权伟龙
周惠娣
陈建敏
机构
中国科学院兰州化学物理研究所固体润滑国家重点实验室
中国科学院研究生院
出处
《中国表面工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第4期11-14,共4页
基金
国家自然科学基金(50705093及50575217)
国家自然科学基金委创新群体基金(50421502)
国家"973"计划(2007CB607601)
文摘
利用射频等离子增强化学气相沉积(R.F.PECVD)与非平衡磁控溅射相结合的技术,通过调节甲烷与氩气的比例,在不锈钢基底上制备了一系列硅含量不同的掺硅类金刚石(Si–DLC)薄膜。通过XPS谱图获得了各Si–DLC薄膜的化学组成及Si元素的相对含量。采用非接触式三维轮廓仪测量了薄膜的表面形貌、粗糙度和厚度。采用纳米压痕技术获得了各薄膜的纳米硬度。在UMT–2MT摩擦试验机采用划痕法评价了各薄膜的结合强度,并在CSM摩擦试验机上考察了各薄膜在空气及水环境下的摩擦学性能。结果表明,各薄膜的纳米硬度和结合强度有相似的变化规律,其最佳值均出现在CH4/Ar=5/6处;而当CH4/Ar=7/6时,薄膜在水环境下的摩擦学性能能得到显著提高,摩擦因数仅为0.012。
关键词
R.F.PECVD
掺硅类金刚石薄膜
水环境
结合强度
摩擦因数
Keywords
R.F. PECVD
Si-doped DLC
water environment
adhesion strength
friction coefficient
分类号
TB381 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
SiC靶功率密度对无氢掺硅类金刚石薄膜摩擦学性能的影响
被引量：
1
2
作者
张贺勇
代明江
胡芳
韦春贝
林松盛
侯惠君
机构
华南理工大学材料科学与工程学院
广州有色金属研究院新材料研究所
出处
《中国表面工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第2期37-42,共6页
基金
广东省国际合作项目(2011B050400007)
文摘
采用直流磁控溅射石墨靶、中频磁控溅射碳化硅靶以及离子源辅助的复合沉积技术,制备出膜层质量优异、摩擦因数和磨损率较低的具有不同Si含量的无氢掺硅类金刚石薄膜。使用XPS、拉曼光谱仪、台阶仪、纳米硬度计、SEM、EDS以及球盘式摩擦磨损试验仪测试并表征薄膜的微观结构、力学性能和摩擦学性能。研究表明,该技术能够成功制备出无氢掺硅类金刚石薄膜;随着SiC靶功率密度的增加,薄膜中Si的含量和sp3键的含量逐渐增加,其纳米硬度和弹性模量先增大后减小,摩擦因数由0.277降低至0.066,但其磨损率从6.29×10-11 mm3/Nm增加至1.45×10-9 mm3/Nm;当SiC靶功率密度为1.37W/cm2时,薄膜的纳米硬度与弹性模量分别达到最大值16.82GPa和250.2GPa。
关键词
磁控溅射
无氢
掺硅类金刚石薄膜
摩擦因数
磨损率
Keywords
magnetron sputtering
non-hydrogenated silicon doped diamond-like carbon film
friction coefficient
wear rate
分类号
TG174.442 [金属学及工艺—金属表面处理]
TG115.58 [金属学及工艺—物理冶金]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
掺硅类金刚石薄膜的制备与表征
赵飞
李红轩
吉利
权伟龙
周惠娣
陈建敏
《中国表面工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
7
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
SiC靶功率密度对无氢掺硅类金刚石薄膜摩擦学性能的影响
张贺勇
代明江
胡芳
韦春贝
林松盛
侯惠君
《中国表面工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
1
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职称材料
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