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掺氮氟非晶碳膜场发射电流重复性及F-N曲线研究
1
作者
刘雄飞
徐根
李伯勋
《郑州大学学报(工学版)》
CAS
北大核心
2010年第1期52-55,共4页
采用射频等离子体化学增强型气相沉积(rF-PECVD)法沉积了掺氮氟化非晶碳膜.研究了不同射频功率下薄膜样品表面形貌及I-U特性,比较了试样I-U曲线的对称性及零点漂移;分析了直接沉积及硅陈列沉积下膜场发射电流的重复稳定性的差异;研究了...
采用射频等离子体化学增强型气相沉积(rF-PECVD)法沉积了掺氮氟化非晶碳膜.研究了不同射频功率下薄膜样品表面形貌及I-U特性,比较了试样I-U曲线的对称性及零点漂移;分析了直接沉积及硅陈列沉积下膜场发射电流的重复稳定性的差异;研究了不同掺氮流量比下沉积薄膜的Fower-Nord-heim曲线.研究结果表明,氮氟化非晶碳膜是良好的冷阴极发射材料.射频功率的提升,有利于薄膜质量和性能改善;硅陈列沉积FN-DLC膜场测试的场发射电流的重复性能较直接沉积的更加稳定优良;F-N曲线基本为直线,掺氮氟化非晶碳膜的场发射为冷阴极发射,逸出功随着含氮量的升高而增大.
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关键词
掺氮氟化非晶碳膜
表面结构
F-N曲线
重复性
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职称材料
题名
掺氮氟非晶碳膜场发射电流重复性及F-N曲线研究
1
作者
刘雄飞
徐根
李伯勋
机构
中南大学物理科学与技术学院
出处
《郑州大学学报(工学版)》
CAS
北大核心
2010年第1期52-55,共4页
文摘
采用射频等离子体化学增强型气相沉积(rF-PECVD)法沉积了掺氮氟化非晶碳膜.研究了不同射频功率下薄膜样品表面形貌及I-U特性,比较了试样I-U曲线的对称性及零点漂移;分析了直接沉积及硅陈列沉积下膜场发射电流的重复稳定性的差异;研究了不同掺氮流量比下沉积薄膜的Fower-Nord-heim曲线.研究结果表明,氮氟化非晶碳膜是良好的冷阴极发射材料.射频功率的提升,有利于薄膜质量和性能改善;硅陈列沉积FN-DLC膜场测试的场发射电流的重复性能较直接沉积的更加稳定优良;F-N曲线基本为直线,掺氮氟化非晶碳膜的场发射为冷阴极发射,逸出功随着含氮量的升高而增大.
关键词
掺氮氟化非晶碳膜
表面结构
F-N曲线
重复性
Keywords
nitrogen doped fluorinated carbon film
surface structure
F-N curve
repeatability
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
掺氮氟非晶碳膜场发射电流重复性及F-N曲线研究
刘雄飞
徐根
李伯勋
《郑州大学学报(工学版)》
CAS
北大核心
2010
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职称材料
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