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题名掺杂对氟化非晶碳膜场发射性能的影响
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作者
刘雄飞
李伯勋
徐根
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机构
中南大学物理科学与技术学院
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第3期228-231,共4页
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文摘
利用射频等离子体增强型化学气相沉积设备(RF-PECVD)在单晶硅基底上沉积含氮的氟化类金刚石薄膜,研究了不同掺氮量下薄膜的场发射特性。通过退火处理,研究了薄膜场发射电流的稳定性,通过原子力显微镜,观察了薄膜退火前后的表面形貌。通过场发射测试表明,随着氮含量的升高,薄膜的阈值电场降低,发射电流逐渐升高。退火后,掺氮薄膜达到稳定的发射电流的时间比未掺氮薄膜大大缩短。表面形貌分析表明,退火后由于薄膜表面微凸的减少,发射电流有所下降。
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关键词
掺氮氟化类金刚石
场发射
稳定性
掺杂
退火
等离子体增强型化学气相淀积
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Keywords
FN-DLC （nitrogen doped fluorinated diamond-like carbon）
field emission
stability
doping
annealing
RF-PECVD
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分类号
TN304.055
[电子电信—物理电子学]
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