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平面工艺功率型半导体晶体管铝迁移实验
1
作者
吕卫民
胡冬
+1 位作者
谢劲松
翁璐
《北京航空航天大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第12期1515-1518,共4页
在平面工艺制造的功率型半导体晶体管芯片表面,发现高强度电场条件下存在跨越0.05 mm半绝缘硅带的铝迁移现象,对此开展了一系列实验研究.通过开帽物理观察与分析、低温测试与烘干验证、迁移物质分析对比,确定了迁移现象中的迁移物质,同...
在平面工艺制造的功率型半导体晶体管芯片表面,发现高强度电场条件下存在跨越0.05 mm半绝缘硅带的铝迁移现象,对此开展了一系列实验研究.通过开帽物理观察与分析、低温测试与烘干验证、迁移物质分析对比,确定了迁移现象中的迁移物质,同时分别取证环境温度、湿度、芯片表面污染物以及器件局部结构与此迁移现象的关联性,以此提出了迁移机理假说,为在不同的诱发条件下对此迁移机理进行确认和量化研究提供指导.
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关键词
铝迁移
功率型
半
导体晶体管
平面工艺
掺氧半绝缘多晶硅
实验研究
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职称材料
LPCVD制备SIPOS薄膜淀积工艺的研究
被引量：
3
2
作者
刘红侠
郝跃
朱秉升
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第3期309-311,共3页
SIPOS薄膜的含氧量是一个非常重要的工艺参数 .文中研究了用LPCVD法制备SIPOS薄膜的各种特性参数与含氧量的变化关系 ,提出了SIPOS薄膜生长的最佳工艺条件 .为SIPOS薄膜钝化技术的实用化奠定了基础 .
关键词
掺氧半绝缘多晶硅
LPCVD
薄膜淀积
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职称材料
题名
平面工艺功率型半导体晶体管铝迁移实验
1
作者
吕卫民
胡冬
谢劲松
翁璐
机构
北京航空航天大学可靠性与系统工程学院
海军装备部军械保障部
出处
《北京航空航天大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第12期1515-1518,共4页
基金
总装预研基金资助项目(9140A27020210JB1404)
文摘
在平面工艺制造的功率型半导体晶体管芯片表面,发现高强度电场条件下存在跨越0.05 mm半绝缘硅带的铝迁移现象,对此开展了一系列实验研究.通过开帽物理观察与分析、低温测试与烘干验证、迁移物质分析对比,确定了迁移现象中的迁移物质,同时分别取证环境温度、湿度、芯片表面污染物以及器件局部结构与此迁移现象的关联性,以此提出了迁移机理假说,为在不同的诱发条件下对此迁移机理进行确认和量化研究提供指导.
关键词
铝迁移
功率型
半
导体晶体管
平面工艺
掺氧半绝缘多晶硅
实验研究
Keywords
aluminum migration
power silicon transistor
planar process
semi-insulating polycrystalline silicon（SIPOS）
experimental study
分类号
TN405.97 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
LPCVD制备SIPOS薄膜淀积工艺的研究
被引量：
3
2
作者
刘红侠
郝跃
朱秉升
机构
西安电子科技大学微电子所
西安交通大学电子工程系
出处
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第3期309-311,共3页
基金
"八五"国家科技攻关资助项目!(8570 30 1 0 6)
文摘
SIPOS薄膜的含氧量是一个非常重要的工艺参数 .文中研究了用LPCVD法制备SIPOS薄膜的各种特性参数与含氧量的变化关系 ,提出了SIPOS薄膜生长的最佳工艺条件 .为SIPOS薄膜钝化技术的实用化奠定了基础 .
关键词
掺氧半绝缘多晶硅
LPCVD
薄膜淀积
Keywords
SIPOS
LPCVD
oxygen content
分类号
TN305.055 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
平面工艺功率型半导体晶体管铝迁移实验
吕卫民
胡冬
谢劲松
翁璐
《北京航空航天大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
0
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职称材料
2
LPCVD制备SIPOS薄膜淀积工艺的研究
刘红侠
郝跃
朱秉升
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000
3
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职称材料
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