不同梯度掺杂透射式GaAs光电阴极的平均时间衰减常数及瞬态响应理论研究

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作者 蔡志鹏 黄文登 +2 位作者 杨创华 娄本浊 何军锋 《真空科学与技术学报》 北大核心 2025年第5期398-407,共10页

计算了透射式GaAs负电子亲和势光电阴极在不同掺杂梯度下的平均时间衰减常数τ',分析认为,阴极吸收层厚度L、掺杂梯度对τ'影响占主要地位,且随L、掺杂梯度的增大逐渐减小;仿真涉及的两种掺杂方式,吸收层浓度的e指数掺杂方式和... 计算了透射式GaAs负电子亲和势光电阴极在不同掺杂梯度下的平均时间衰减常数τ',分析认为,阴极吸收层厚度L、掺杂梯度对τ'影响占主要地位,且随L、掺杂梯度的增大逐渐减小;仿真涉及的两种掺杂方式,吸收层浓度的e指数掺杂方式和e指数电场掺杂方式,没有发现它们对τ'的影响。当L~0.2-0.5μm较小时,光子能量E_(hv)对τ'的影响较大。随光子能量E_(hv)进一步增大,它对τ'的影响逐渐减小;在L、E_(hv)变化过程中,发现了L、E_(hv)对τ'的影响的动态竞争关系,分析认为,二者竞争的实质是,初时刻表面光电子浓度与体内光电子浓度分布的动态竞争,共同影响了τ'的变化,且这种竞争关系,不是二者简单的叠加关系,而是出现一种复杂的、交替占主导的、此消彼长的变化关系,随着L增大,E_(hv)由主导逐渐过渡到占次要地位,而L由次要地位过渡到占主导地位。同时,基于τ'仿真得到了阴极在不同掺杂方式、不同掺杂梯度下的时间响应特性—T_(m)和FWHM,它们均随掺杂梯度的增大而逐渐减小,而e指数电场掺杂方式具有优异的响应特性。该仿真结果为透射式GaAs光电阴极在高速摄影、电子源、光电倍增管以及像增强器的应用研究提供了必要的理论基础和数据支持。 展开更多

关键词 gaas光电阴极 梯度掺杂 平均时间衰减常数 最优系数因子 时间响应

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Zn、Si掺杂GaAs纳米线的发光性能

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作者 郎天宇 王海珠 +2 位作者 于海鑫 王登魁 马晓辉 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2024年第7期234-241,共8页

为探明掺杂对硅基GaAs纳米线发光性能的影响机理,采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术,以气-液-固(VLS)生长机制为基础,在硅基上实现了Zn和Si掺杂的GaAs纳米线制备。通过变温、变功率光致发光(PL)等表征手段发现,未掺杂与Si掺杂GaAs... 为探明掺杂对硅基GaAs纳米线发光性能的影响机理,采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术,以气-液-固(VLS)生长机制为基础,在硅基上实现了Zn和Si掺杂的GaAs纳米线制备。通过变温、变功率光致发光(PL)等表征手段发现,未掺杂与Si掺杂GaAs纳米线具有更优异的发光质量,带隙随温度的变化规律符合Varshni公式,发光来源为自由激子复合(α>1)。而Zn掺杂纳米线的发光峰出现极大展宽,发光来源为缺陷或杂质相关跃迁(α<1),峰位随激发功率的变化规律与P^(1/3)成正比。结合透射电子显微镜(TEM)测试结果进一步表明,Zn掺杂纳米线中出现了纤锌矿/闪锌矿(WZ/ZB)混合结构,是导致GaAs纳米线发光质量变差的主要原因。 展开更多

关键词 材料 发光性能 金属有机物化学气相沉积 掺杂gaas纳米线

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掺杂n^(+) GaAs的热电式MEMS微波功率传感器在Ka波段的研究

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作者 洪阳 张志强 +2 位作者 孙国琛 郑从兵 刘佳琦 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2022年第2期143-147,共5页

本文主要通过理论设计和性能测试,研究了热电堆的半导体臂n^(+)GaAs的掺杂浓度对热电式MEMS微波功率传感器在Ka波段工作性能的影响。该类传感器基于微波功率-热-电转换原理工作,其中热电堆是由半导体臂n^(+)GaAs和金属臂Au构成。通过建... 本文主要通过理论设计和性能测试,研究了热电堆的半导体臂n^(+)GaAs的掺杂浓度对热电式MEMS微波功率传感器在Ka波段工作性能的影响。该类传感器基于微波功率-热-电转换原理工作,其中热电堆是由半导体臂n^(+)GaAs和金属臂Au构成。通过建立理论分析模型,探究了灵敏度、信噪比与掺杂浓度之间的关系,以指导传感器的结构设计,并基于GaAs MMIC工艺制备了四种n^(+)GaAs掺杂浓度下MEMS微波功率传感器。实验结果表明:当n^(+)GaAs掺杂浓度分别为2.4×10^(18) cm^(-3)、8.5×10^(17) cm^(-3)、3.2×10^(17) cm^(-3)和1.9×10^(17) cm^(-3)时,测量的灵敏度在30 GHz分别为15.21μV/mW、17.86μV/mW、74.36μV/mW和142.34μV/mW,而其在38 GHz分别为10.91μV/mW、17.88μV/mW、48.94μV/mW和98.59μV/mW,该结果表明灵敏度随掺杂浓度增大而减小;信噪比在30 GHz分别为8.58×10^(5) W^(-1)、6.13×10^(5) W^(-1)、1.38×10^(6) W^(-1)和2.08×10^(6) W^(-1),而其在38 GHz分别为6.44×10^(5) W^(-1)、6.13×10^(5) W^(-1)、1.11×10^(6) W^(-1)和1.47×10^(6) W^(-1),该结果表明信噪比随掺杂浓度的增大先减小再增大。 展开更多

关键词 MEMS 微波功率传感器 掺杂n^(+)gaas 灵敏度 信噪比

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MBE梯度掺杂GaAs光电阴极激活实验研究 被引量：8

4

作者 邹继军 常本康 杜晓晴 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期401-404,共4页

本文首次利用分子束外延(MBE)生长了多种由体内到表面掺杂浓度由高到低的梯度掺杂反射式GaAs光电阴极材料,并进行了激活实验,结果表明,表面低掺杂浓度适中,外延层厚度2μm^3μm以及衬底为重掺杂p型GaAs的梯度掺杂GaAs光电阴极能够获得... 本文首次利用分子束外延(MBE)生长了多种由体内到表面掺杂浓度由高到低的梯度掺杂反射式GaAs光电阴极材料,并进行了激活实验,结果表明,表面低掺杂浓度适中,外延层厚度2μm^3μm以及衬底为重掺杂p型GaAs的梯度掺杂GaAs光电阴极能够获得较高灵敏度。在优化激活工艺的条件下,梯度掺杂GaAs光电阴极获得了1798μA/lm的最高积分灵敏度,比采用同样方法制备的均匀掺杂GaAs光电阴极高30%以上。梯度掺杂GaAs光电阴极表面掺杂浓度较均匀掺杂的低,第一次给Cs时间较长,第一次Cs、O交替时要调整好Cs/O比,并在整个激活过程中保持不变。一个高量子效率梯度掺杂GaAs光电阴极的获得依赖于梯度掺杂结构和激活工艺两个方面的优化。 展开更多

关键词 分子束外延 梯度掺杂 gaas光电阴极 量子效率 激活

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不同变掺杂结构GaAs光电阴极的光谱特性分析 被引量：3

5

作者 牛军 乔建良 +2 位作者 常本康 杨智 张益军 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第11期3007-3010,共4页

为定量研究变掺杂结构对阴极量子效率的作用效果,设计生长了两种不同掺杂方式的反射式梯度掺杂GaAs光电阴极,激活后测量了两者的光谱响应曲线。将光谱响应曲线转换为对应的量子效率曲线,对不同入射光波段的量子效率进行了拟合分析,得到... 为定量研究变掺杂结构对阴极量子效率的作用效果,设计生长了两种不同掺杂方式的反射式梯度掺杂GaAs光电阴极,激活后测量了两者的光谱响应曲线。将光谱响应曲线转换为对应的量子效率曲线,对不同入射光波段的量子效率进行了拟合分析,得到了体现变掺杂结构贡献程度的变掺杂系数K值。研究发现,同一阴极材料对不同波段的入射光,其掺杂结构产生的作用效果各不相同。同时,不同掺杂结构光电阴极对于相同波段范围内的入射光,其作用效果也不相同。产生这些差别的根本原因,是由于不同掺杂结构下,材料中内建电场的位置和强度不同而造成的。该研究为评判不同掺杂方式下光电阴极的结构性能提供了有效的分析手段,对研究阴极变掺杂结构的优化设计具有非常重要的应用价值。 展开更多

关键词 gaas光电阴极 变掺杂 内建电场 量子效率

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LED用硅掺杂GaAs晶体的生长与表征(英文) 被引量：4

6

作者 金敏 徐家跃 +3 位作者 房永征 何庆波 周鼎 申慧 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期594-598,共5页

采用坩埚下降法生长了LED用硅掺杂<511>取向的GaAs晶体。选用带籽晶槽的PBN坩埚作为生长容器,密封在石英安瓶中以防止生长过程中As蒸汽挥发。研究了掺杂工艺、固液界面形貌和生长缺陷。结果表明:孪晶化是硅掺杂GaAs晶体生长的主... 采用坩埚下降法生长了LED用硅掺杂<511>取向的GaAs晶体。选用带籽晶槽的PBN坩埚作为生长容器,密封在石英安瓶中以防止生长过程中As蒸汽挥发。研究了掺杂工艺、固液界面形貌和生长缺陷。结果表明:孪晶化是硅掺杂GaAs晶体生长的主要问题。探讨了孪晶形成机理,优化了生长工艺,成功获得了直径2英寸高质量的硅掺杂GaAs晶体,双摇摆曲线显示所得晶体的FWHM为40 arcsec。 展开更多

关键词 gaas 晶体生长 坩埚下降法 硅掺杂 孪晶

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GaAs光电阴极p型掺杂浓度的理论优化 被引量：6

7

作者 杜晓晴 常本康 宗志园 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期195-198,共4页

为了获得高量子效率的GaAs光电阴极 ,要求GaAs材料的电子扩散长度足够长 ,且电子表面逸出几率大 ,这对p型掺杂浓度提出了两个矛盾的要求 ,需要进行优化。本文建立了电子扩散长度与p型掺杂浓度的关系曲线 ,并计算了不同p型掺杂浓度下的... 为了获得高量子效率的GaAs光电阴极 ,要求GaAs材料的电子扩散长度足够长 ,且电子表面逸出几率大 ,这对p型掺杂浓度提出了两个矛盾的要求 ,需要进行优化。本文建立了电子扩散长度与p型掺杂浓度的关系曲线 ,并计算了不同p型掺杂浓度下的电子表面逸出几率 ,在此基础上计算了不同阴极厚度的GaAs光电阴极的理论量子效率随掺杂浓度的变化曲线。计算结果表明 ,p型掺杂浓度在～ 6× 1 0 1 8cm-3 时可获得最大量子效率 ,掺杂浓度对量子效率的限制随阴极厚度的增大而增大。 展开更多

关键词 gaas 光电阴极 掺杂 量子效率 扩散长度 逸出几率 P型

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Sb掺杂闪锌矿GaAs电子结构和光学性质第一性原理研究 被引量：5

8

作者 宿磊 王旭东 姚曼 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第18期142-147,共6页

采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似平面波超软赝势法,计算了不同浓度Sb掺杂闪锌矿GaAs体系GaAs1-xSbx(x=0,0.25,0.5,0.75,1)的电子结构和光学性质,包括能带、态密度、复介电函数和吸收系数。计算结果表明,Sb掺杂导致体系晶... 采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似平面波超软赝势法,计算了不同浓度Sb掺杂闪锌矿GaAs体系GaAs1-xSbx(x=0,0.25,0.5,0.75,1)的电子结构和光学性质,包括能带、态密度、复介电函数和吸收系数。计算结果表明,Sb掺杂导致体系晶格常数线性增大,并使得体系导带和价带组成发生改变,禁带宽度呈二次多项式变化。随着掺杂浓度的增加,体系静态介电常数线性增大,吸收带边出现了明显的红移现象。分析了掺杂Sb诱发GaAs1-xSbx体系的电子和光学性质改变,为Sb掺杂闪锌矿GaAs在光电子学和微电子学方面的实际应用提供了一定的理论依据。 展开更多

关键词 第一性原理 Sb掺杂gaas 电子结构 光学性质

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变掺杂GaAs光电阴极的研究进展 被引量：2

9

作者 陈怀林 牛军 常本康 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第19期99-103,113,共6页

从变掺杂阴极的结构种类、变掺杂GaAs光电阴极的光电发射机理、制备技术以及变掺杂结构对阴极性能的影响等方面介绍了当前国内研究变掺杂GaAs光电阴极的进展。目前该工作还处于起步阶段,理论研究还有待于进一步深入。开展变掺杂阴极研... 从变掺杂阴极的结构种类、变掺杂GaAs光电阴极的光电发射机理、制备技术以及变掺杂结构对阴极性能的影响等方面介绍了当前国内研究变掺杂GaAs光电阴极的进展。目前该工作还处于起步阶段,理论研究还有待于进一步深入。开展变掺杂阴极研究是我国走自主创新道路、提高国内三代微光器件性能的有效途径。 展开更多

关键词 gaas 光电阴极 变掺杂

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低掺杂浓度n型GaAs欧姆接触的研究 被引量：2

10

作者 宋淑芳 赵建建 +1 位作者 谭振 孙浩 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2013年第11期1252-1255,共4页

利用传输线方法(TLM)重点研究了低掺杂浓度(2×1017at/cm3)n型GaAs接触层的欧姆接触,通过改变AuGe/Ni的厚度比、合金化的温度和时间等参数,获得了最优化的制备条件:AuGe/Ni/Au的厚度为50nm/25nm/100 nm,退火温度为400℃,退火时间为1... 利用传输线方法(TLM)重点研究了低掺杂浓度(2×1017at/cm3)n型GaAs接触层的欧姆接触,通过改变AuGe/Ni的厚度比、合金化的温度和时间等参数,获得了最优化的制备条件:AuGe/Ni/Au的厚度为50nm/25nm/100 nm,退火温度为400℃,退火时间为120s时,欧姆接触电阻率为最低3.52×10-4Ωcm-2,这一结果为量子阱结构太赫兹探测器芯片的制备奠定了基础。 展开更多

关键词 n型gaas 欧姆接触 低掺杂浓度

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薄层轻掺杂N-GaAs半导体欧姆接触研究 被引量：1

11

作者 吴武臣 高国 杜金玉 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 1991年第4期26-31,共6页

利用Ni/Ge/Au/Ni/Au和Pd/In两种金属结构成功地对体硅掺杂N-GaAs半导体(Nd=10^(18)cm^(-3))和离子注入N-GaAs半导体(dose=8×10^(12)cm^2,注入有源区深度(d=0.2μm)制成低阻欧姆接触。并对实验结果和接触机理进行了讨论。所得合金... 利用Ni/Ge/Au/Ni/Au和Pd/In两种金属结构成功地对体硅掺杂N-GaAs半导体(Nd=10^(18)cm^(-3))和离子注入N-GaAs半导体(dose=8×10^(12)cm^2,注入有源区深度(d=0.2μm)制成低阻欧姆接触。并对实验结果和接触机理进行了讨论。所得合金接触的接触电阻率分别为10^(-6)Ωcm^2(10^(18)cm^(-3)掺杂),和10^(-3)Ωcm^(-2)(8×10^(12)cm^2注入)数量级并具有长期的稳定性。接触制备方法和GaAs工艺相适。 展开更多

关键词 gaas 半导体 欧姆接触 掺杂

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变掺杂GaAs光电阴极吸收系数的表征 被引量：1

12

作者 牛军 王萍 +1 位作者 钱芸生 常本康 《红外技术》 CSCD 北大核心 2014年第7期592-595,共4页

确定阴极材料的光子吸收系数,是开展变掺杂GaAs光电阴极光电发射性能理论研究的重要条件之一。分析了变掺杂阴极的结构特点,提出了材料等效光子吸收系数的概念,并给出了等效光子吸收系数的计算方法。设计了变掺杂阴极样品并进行了阴极Cs... 确定阴极材料的光子吸收系数,是开展变掺杂GaAs光电阴极光电发射性能理论研究的重要条件之一。分析了变掺杂阴极的结构特点,提出了材料等效光子吸收系数的概念,并给出了等效光子吸收系数的计算方法。设计了变掺杂阴极样品并进行了阴极Cs、O激活实验,理论计算了材料的等效光子吸收系数并对激活后的阴极量子效率进行了拟合仿真,拟合曲线同实验曲线非常一致,证明了该计算方法的有效性。 展开更多

关键词 变掺杂 gaas光电阴极 光子吸收系数 量子效率

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Tb掺杂的非晶碳膜/GaAs/Ag异质结的光敏特性研究 被引量：2

13

作者 翟章印 杜维嘉 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第7期1849-1853,共5页

采用脉冲激光沉积方法在低阻GaAs上制备了Tb掺杂的非晶碳膜(a-C∶Tb)/GaAs p-n结。利用Ag与GaAs之间的肖特基接触特性,构成了a-C∶Tb/GaAs p-n结与Ag/GaAs肖特基结的反向串联结构。该异质结具有红光敏感特性,室温在光强为45 mW/cm^2光... 采用脉冲激光沉积方法在低阻GaAs上制备了Tb掺杂的非晶碳膜(a-C∶Tb)/GaAs p-n结。利用Ag与GaAs之间的肖特基接触特性,构成了a-C∶Tb/GaAs p-n结与Ag/GaAs肖特基结的反向串联结构。该异质结具有红光敏感特性,室温在光强为45 mW/cm^2光照下的光灵敏度达到近1000。Tb掺杂大大提高了光灵敏度。 展开更多

关键词 Tb掺杂的非晶碳膜 gaas 肖特基结 p—n结 光灵敏度

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透射式变掺杂GaAs光电阴极研究

14

作者 陈怀林 常本康 +1 位作者 牛军 张俊举 《应用光学》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期230-234,共5页

为了将变掺杂GaAs材料应用于微光像增强器,开展了透射式变掺杂GaAs光电阴极实验研究,制备了2种反转结构透射式变掺杂GaAs光电阴极。测试了玻璃粘接前后GaAs光电阴极载流子浓度变化,发现高温粘接后载流子浓度增加现象。通过测试高温激活... 为了将变掺杂GaAs材料应用于微光像增强器,开展了透射式变掺杂GaAs光电阴极实验研究,制备了2种反转结构透射式变掺杂GaAs光电阴极。测试了玻璃粘接前后GaAs光电阴极载流子浓度变化,发现高温粘接后载流子浓度增加现象。通过测试高温激活的透射式变掺杂GaAs光电阴极发现,在450nm～550nm波段内,变掺杂GaAs光电阴极仍然具有较高的光谱响应。 展开更多

关键词 gaas光电阴极 变掺杂 光谱响应 透射式

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C掺杂GaAs外延层光学特性分析

15

作者 邢艳辉 李建军 +3 位作者 邓军 韩军 盖红星 沈光地 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期222-224,共3页

对利用EMCORE D125 MOCVD系统生长的以CCl4为掺杂源,分析不同C掺杂浓度的GaAs 外延层光学特性。通过PL、DC XRD测试手段研究了掺C GaAs层,随C掺杂浓度增加,禁带宽度收缩, PL谱峰值半宽增大,晶格常数减小。

关键词 光电子学 gaas掺杂 光荧光谱 X射线衍射

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δ掺杂Si对InAs/GaAs量子点太阳电池的影响

16

作者 王科范 王珊 谷城 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第12期3151-3156,共6页

在In As/Ga As量子点的自组装生长阶段,采用δ掺杂技术对量子点进行不同浓度的Si掺杂,可以使得量子点的室温光致发光峰强度大幅提高,其原因是掺杂的Si原子释放电子钝化了周围的非辐射复合中心。这种掺杂也应用到了量子点太阳电池中,结... 在In As/Ga As量子点的自组装生长阶段,采用δ掺杂技术对量子点进行不同浓度的Si掺杂,可以使得量子点的室温光致发光峰强度大幅提高,其原因是掺杂的Si原子释放电子钝化了周围的非辐射复合中心。这种掺杂也应用到了量子点太阳电池中,结果表明电池开路电压从0.72 V提高到了0.86 V,填充因子从60.4%提高到73.2%,短路电流从26.9 m A/cm2增加到27.4 m A/cm2。优化的Si掺杂可将量子点太阳的电池效率从11.7%提升到17.26%。 展开更多

关键词 INAS/gaas量子点 太阳电池 δ掺杂Si 分子束外延

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指数掺杂GaAs阴极光子增强热电子发射型太阳能转换器转化效率理论计算(英文) 被引量：2

17

作者 唐伟东 杨文正 +2 位作者 杨阳 孙传东 蔡志鹏 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期143-148,共6页

光子增强热电子发射型太阳能转换器是一种理论效率极高的新型太阳能利用技术.提出利用指数掺杂GaAs材料作为光子增强热电子发射型太阳能转换器阴极,基于能量守恒及电子扩散漂移发射模型,理论计算了指数掺杂GaAs阴极光子增强热电子发射... 光子增强热电子发射型太阳能转换器是一种理论效率极高的新型太阳能利用技术.提出利用指数掺杂GaAs材料作为光子增强热电子发射型太阳能转换器阴极,基于能量守恒及电子扩散漂移发射模型,理论计算了指数掺杂GaAs阴极光子增强热电子发射型太阳能转化器的转化效率.结果表明:指数掺杂GaAs可以显著提高光子增强热电子发射效率;指数掺杂GaAs光子增强热电子太阳能转化器转化效率随聚光倍数的增加和阴极表面电子复合速率减小而单调上升;当太阳基数大于200、阴极表面复合小于104 cm/s时,指数掺杂GaAs阴极光子增强热电子发射型太阳能转换器效率可达30%. 展开更多

关键词 PETE 太阳能转化器 指数掺杂 gaas阴极 转化效率

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δ-掺杂Be受主GaAs/AlAs多量子阱的空穴共振隧穿（英文） 被引量：1

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作者 郑卫民 黄海北 +4 位作者 李素梅 丛伟艳 王爱芳 李斌 宋迎新 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第11期1373-1379,共7页

三个具有不同量子阱宽度的GaAs/AlAs多量子阱结构样品通过分子束外延生长设备生长在半绝缘的(100)p-型GaAs衬底上,并且在量子阱层结构的生长过程中,在GaAs阱层中央进行了Be受主的δ-掺杂。基于这3个结构样品,通过光刻技术和半导体加工... 三个具有不同量子阱宽度的GaAs/AlAs多量子阱结构样品通过分子束外延生长设备生长在半绝缘的(100)p-型GaAs衬底上,并且在量子阱层结构的生长过程中,在GaAs阱层中央进行了Be受主的δ-掺杂。基于这3个结构样品,通过光刻技术和半导体加工工艺制备了相应的两端器件。在4~200 K的温度范围内,我们分别测量了器件的电流-电压特征曲线,清楚地观察到了重、轻空穴通过δ-掺杂Be受主GaAs/AlAs多量子阱结构的共振隧穿现象。发现随着GaAs量子阱层宽的逐渐减小,轻空穴的共振隧穿峰向着高电压方向移动,这个结果和通过AlAs/GaAs/AlAs双势垒结构模型计算的结果是一致的。然而,随着测量温度的进一步升高,两个轻空穴共振峰都朝着低电压的方向移动,并且在150 K温度下,其中一个共振遂穿峰表现为一种振动模式。 展开更多

关键词 共振隧穿 重空穴和轻空穴 gaas/AlAs多量子阱 电流-电压特征 δ-掺杂

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Si掺杂对GaAs纳米线发光特性的影响 被引量：1

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作者 李想 亢玉彬 +7 位作者 唐吉龙 方铉 房丹 李科学 王登魁 林逢源 楚学影 魏志鹏 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第5期629-634,共6页

采用分子束外延技术(MBE)在Si(111)衬底上生长了非掺杂和Si掺杂砷化镓(GaAs)纳米线(NWs)。通过扫描电子显微镜(SEM)证实了生长样品的一维性;通过X射线衍射(XRD)测试和拉曼光谱(Raman)证实了掺杂GaAs纳米线中Si的存在;通过光致发光(PL)... 采用分子束外延技术(MBE)在Si(111)衬底上生长了非掺杂和Si掺杂砷化镓(GaAs)纳米线(NWs)。通过扫描电子显微镜(SEM)证实了生长样品的一维性;通过X射线衍射(XRD)测试和拉曼光谱(Raman)证实了掺杂GaAs纳米线中Si的存在;通过光致发光(PL)研究了非掺杂和Si掺杂GaAs纳米线的发光来源,掺杂改变了GaAs纳米线的辐射复合机制。掺杂导致非掺杂纳米线中自由激子发光峰和纤锌矿/闪锌矿(WZ/ZB)混相结构引起的缺陷发光峰消失。 展开更多

关键词 光谱学 gaas纳米线 Si掺杂 光致发光 分子束外延

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δ-掺杂受主的扩散对GaAs/AlAs量子阱子带的影响（英文）

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作者 郑卫民 黄海北 +4 位作者 李素梅 丛伟艳 王爱芳 李斌 宋迎新 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第10期1240-1246,共7页

在15 nm GaAs/5 nm AlAs单量子阱的GaAs阱层中间,分别进行不同浓度剂量的铍受主的δ-掺杂。铍受主在量子阱层中的扩散浓度分布,由扩散方程数值解出。高温下扩散在GaAs阱层中的Be受主将发生电离,成为带负电荷的受主离子,同时也向量子阱... 在15 nm GaAs/5 nm AlAs单量子阱的GaAs阱层中间,分别进行不同浓度剂量的铍受主的δ-掺杂。铍受主在量子阱层中的扩散浓度分布,由扩散方程数值解出。高温下扩散在GaAs阱层中的Be受主将发生电离,成为带负电荷的受主离子,同时也向量子阱价带的子带中引入空穴。带负电荷的扩散受主离子和价带子带中的空穴,它们都是带电粒子在GaAs阱层中按库伦定律激发电场。相比较而言,对于无掺杂同结构量子阱,在空穴的薛定谔中增加了一个额外的微扰势,从而使无掺杂的量子阱价带的子带有所改变。在有效质量和包络函数近似下,通过循环迭代方法,数值求解了既满足薛定谔方程又满足泊松方程的空穴波函数,找出了自洽、收敛的空穴子带的能量本征值。计算发现考虑到这种额外微扰势,重空穴基态子带hh的能量有一个电子伏特变化,并且随着掺杂受主剂量的增加,重空穴基态子带hh向着价带顶红移,计算结果与实验测量符合得很好。 展开更多

关键词 掺杂剂量 δ-掺杂 gaas/AlAs量子阱 受主的扩散分布

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