掺杂Sb对SnO_2透明导电膜导电性的影响分析 被引量：2

1

作者 于长凤 朱小平 +2 位作者 张脉官 凌青 戴静 《陶瓷学报》 CAS 2006年第4期363-369,共7页

采用溶胶凝胶法制备透明导电膜,并考察了Sb的掺杂量、热处理温度对薄膜方块电阻以及对薄膜透光率的影响。在SnO_2掺杂1．0%(wt)Sb能显著提高薄膜的电导性,制得的透明导电膜表面电阻率最低为ρ=16×10^(-3)Ω·cm,且薄膜的连续... 采用溶胶凝胶法制备透明导电膜,并考察了Sb的掺杂量、热处理温度对薄膜方块电阻以及对薄膜透光率的影响。在SnO_2掺杂1．0%(wt)Sb能显著提高薄膜的电导性,制得的透明导电膜表面电阻率最低为ρ=16×10^(-3)Ω·cm,且薄膜的连续性、致密性好,透光率达到90%以上。 展开更多

关键词 掺杂sb SNO2薄膜 透明导电膜 导电性

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溶胶凝胶法制备Sb掺杂SnO_2透明导电膜的结构与性能研究 被引量：8

2

作者 郭锐 张华利 《科学技术与工程》 2007年第3期360-363,共4页

在乙醇溶剂中,以无机金属盐SnCl2.2H2O和SbCl3为原料,采用溶胶-凝胶法制备了Sb掺杂的SnO2透明导电薄膜(ATO),研究了Sb掺杂量和热处理温度对薄膜结构和性能的影响。结果表明,热处理温度为500℃、Sb掺杂摩尔百分比为15%～20%时,薄膜具有... 在乙醇溶剂中,以无机金属盐SnCl2.2H2O和SbCl3为原料,采用溶胶-凝胶法制备了Sb掺杂的SnO2透明导电薄膜(ATO),研究了Sb掺杂量和热处理温度对薄膜结构和性能的影响。结果表明,热处理温度为500℃、Sb掺杂摩尔百分比为15%～20%时,薄膜具有较好的结晶性能、好的导电性能、较高的可见光区透射率和红外光区反射率。 展开更多

关键词 SNO2 透明导电膜 溶胶凝胶法 掺杂sb

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CVD法制备Sb掺杂SnO_2薄膜的结构与性能研究 被引量：7

3

作者 谢莲革 沃银花 +4 位作者 汪建勋 沈鸽 翁文剑 刘起英 韩高荣 《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期1824-1828,共5页

采用化学气相沉积法(CVD)制备了Sb掺杂SnO2薄膜(ATO),研究了Sb掺杂量对ATO薄膜结构和性能的影响.利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)等分析手段对所制得薄膜的结构、形貌、成分等进行了表征,XRD结果表明在基板温... 采用化学气相沉积法(CVD)制备了Sb掺杂SnO2薄膜(ATO),研究了Sb掺杂量对ATO薄膜结构和性能的影响.利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)等分析手段对所制得薄膜的结构、形貌、成分等进行了表征,XRD结果表明在基板温度为665℃时能够制得结晶性能较好的多晶薄膜,XPS分析确定掺杂后的Sb以Sb5+离子形式存在.讨论了Sb掺杂量对方块电阻、透射率和反射率等薄膜性质的影响,结果表明,当Sb掺杂量为2%时取得最小方块电阻为7.8Ω/□,在可见光区薄膜的透射率和反射率随着Sb掺杂量的增加呈下降趋势.最后探讨了Sb掺杂SnO2薄膜的显色特性,认为Sb5+离子的本征吸收是薄膜显色的主要原因. 展开更多

关键词 化学气相沉积(CVD) sb掺杂SnO2薄膜 掺杂量

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Sb掺杂闪锌矿GaAs电子结构和光学性质第一性原理研究 被引量：5

4

作者 宿磊 王旭东 姚曼 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第18期142-147,共6页

采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似平面波超软赝势法,计算了不同浓度Sb掺杂闪锌矿GaAs体系GaAs1-xSbx(x=0,0.25,0.5,0.75,1)的电子结构和光学性质,包括能带、态密度、复介电函数和吸收系数。计算结果表明,Sb掺杂导致体系晶... 采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似平面波超软赝势法,计算了不同浓度Sb掺杂闪锌矿GaAs体系GaAs1-xSbx(x=0,0.25,0.5,0.75,1)的电子结构和光学性质,包括能带、态密度、复介电函数和吸收系数。计算结果表明,Sb掺杂导致体系晶格常数线性增大,并使得体系导带和价带组成发生改变,禁带宽度呈二次多项式变化。随着掺杂浓度的增加,体系静态介电常数线性增大,吸收带边出现了明显的红移现象。分析了掺杂Sb诱发GaAs1-xSbx体系的电子和光学性质改变,为Sb掺杂闪锌矿GaAs在光电子学和微电子学方面的实际应用提供了一定的理论依据。 展开更多

关键词 第一性原理 sb掺杂GaAs 电子结构 光学性质

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Sb掺杂ZnTe薄膜结构及其光电性能 被引量：2

5

作者 邹凯 李蓉萍 +2 位作者 刘永生 田磊 冯松 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第3期35-41,共7页

采用真空蒸发工艺在玻璃衬底上制备了ZnTe和掺Sb-ZnTe多晶薄膜,并在氮气气氛中对薄膜进行热处理。分别利用XRD、SEM、紫外-可见分光光度计、霍尔效应测试仪对薄膜的晶体结构、表面形貌、元素组成以及光学、电学性能进行表征,研究Sb掺杂... 采用真空蒸发工艺在玻璃衬底上制备了ZnTe和掺Sb-ZnTe多晶薄膜,并在氮气气氛中对薄膜进行热处理。分别利用XRD、SEM、紫外-可见分光光度计、霍尔效应测试仪对薄膜的晶体结构、表面形貌、元素组成以及光学、电学性能进行表征,研究Sb掺杂量和热处理对薄膜性能的影响。结果表明:未掺杂薄膜为沿(111)晶面择优生长的立方相闪锌矿结构,导电类型为P型。Sb掺杂并未改变ZnTe薄膜晶体结构和导电类型,但衍射峰强度降低;Sb含量直接影响着Sb在ZnTe中的存在形式,掺Sb后抑制了薄膜中Te和Zn的结合,使薄膜中Te的含量增加;室温下薄膜的光学透过率和光学带隙取决于掺Sb浓度和退火温度,并且掺Sb后ZnTe薄膜的载流子浓度显著增加,导电能力明显增强。 展开更多

关键词 ZnTe薄膜 sb掺杂 真空蒸发 光学性能 电学性能

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Sb掺杂对ATO薄膜光电性能的影响 被引量：3

6

作者 季燕青 高延敏 +1 位作者 李思莹 代仕梅 《武汉科技大学学报》 CAS 2013年第2期122-125,共4页

以无水SnCl4和SbCl3为原料,采用溶胶-凝胶浸渍提拉镀膜法制备锑掺杂二氧化锡(ATO)导电薄膜,并采用XRD、SEM、霍尔效应(Halleffect)、四探针法、UV-Vis等测试手段表征不同Sb掺杂量对ATO薄膜结构及其光电性能的影响。结果表明,Sb的掺杂提... 以无水SnCl4和SbCl3为原料,采用溶胶-凝胶浸渍提拉镀膜法制备锑掺杂二氧化锡(ATO)导电薄膜,并采用XRD、SEM、霍尔效应(Halleffect)、四探针法、UV-Vis等测试手段表征不同Sb掺杂量对ATO薄膜结构及其光电性能的影响。结果表明,Sb的掺杂提高了ATO薄膜的导电性能和光学性能;Sb掺杂量为8%时ATO薄膜的电阻率低达0.048Ω.cm,平均光透射率高达84%,薄膜的综合性能达到最佳。 展开更多

关键词 ATO薄膜 sb掺杂 光电性能

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纳米晶Sb掺杂SnO_2(ATO)粉体的合成与表征 被引量：22

7

作者 张建荣 高濂 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第9期1544-1547,共4页

以Sn粉和Sb_2O_3为原料.采用共沉淀法制备了纳米ATO粉.TG-DSC及FTIR结果表明.450℃以前前驱体已失去全部水分.并完全转化为氧化物.XRD测量结果表明.所得ATO粉具有四方金红石结构.500℃焙烧后粉体的粒径为12 nm.随着焙烧温度的升高.粉体... 以Sn粉和Sb_2O_3为原料.采用共沉淀法制备了纳米ATO粉.TG-DSC及FTIR结果表明.450℃以前前驱体已失去全部水分.并完全转化为氧化物.XRD测量结果表明.所得ATO粉具有四方金红石结构.500℃焙烧后粉体的粒径为12 nm.随着焙烧温度的升高.粉体的粒径增加.TEM测定结果表明,粉体的分散性很好.团聚很少.粉体的烧结性能良好,950℃时烧结5 h即达到理论密度的97.3％.用霍尔系数法测定粉体的导电行为.表明该粉体具有良好的导电性能. 展开更多

关键词 纳米晶 sb掺杂 Sn02粉体 合成 表征 纳米粉体 半导体 制备 二氧化锡

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Sb掺杂的V2O5-P2O5系统封接玻璃的形成能力与热稳定性 被引量：4

8

作者 何威 姜宏 +2 位作者 李长久 俞琳 夏文宝 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期869-872,共4页

采用差热(Differential Thermal Analysis,DTA)和X射线衍射(X-ray Diffraction,XRD)对xV2O5-(100-x)P2O5(摩尔比,70≤x≤90)和(80-x)V2O5-20P2O5-xSb2O3(摩尔比,1≤x≤10)系列玻璃试样进行了分析,并采用修正的Kissinger方程对玻璃的形... 采用差热(Differential Thermal Analysis,DTA)和X射线衍射(X-ray Diffraction,XRD)对xV2O5-(100-x)P2O5(摩尔比,70≤x≤90)和(80-x)V2O5-20P2O5-xSb2O3(摩尔比,1≤x≤10)系列玻璃试样进行了分析,并采用修正的Kissinger方程对玻璃的形成能力和热稳定性进行了表征,发现:V2O5-P2O5系封接玻璃在析晶温度处理后,晶相为V2O5,随着Sb2O3引入量的逐渐增大,玻璃转变温度(Glass Transition Temperature,Tg)变化较小(≤20.5K),而玻璃的稳定性因子|Tcs-Tg|(Tcs,Low Limit Crystallization Temperature)逐渐从72.0K增大到157.2K,析晶活化能由126.9KJ/mol逐渐增大到193.0KJ/mol,说明Sb2O3的引入能增大玻璃的形成能力与热稳定性。 展开更多

关键词 sb掺杂 V2O5-P2O5系统封接玻璃 形成能力 热稳定性

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溶胶凝胶法制备Sb掺杂Ti/SnO_2电极及其电催化性能 被引量：4

9

作者 陈野 许维超 +1 位作者 温青 段体岗 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期14-17,69,共5页

采用溶胶凝胶法制备了Sb掺杂Ti/SnO2电极,通过XRD,SEM,EDS及电化学测试、氧化物总量测试、加速寿命测试等技术手段,研究了Sb的掺杂对电极结构、形貌、电催化性能、使用寿命的影响。结果表明:Sb的掺入能有效改善电极的表面晶体结构和形貌... 采用溶胶凝胶法制备了Sb掺杂Ti/SnO2电极,通过XRD,SEM,EDS及电化学测试、氧化物总量测试、加速寿命测试等技术手段,研究了Sb的掺杂对电极结构、形貌、电催化性能、使用寿命的影响。结果表明:Sb的掺入能有效改善电极的表面晶体结构和形貌,降低电极的苯酚氧化电位和液界电阻,提高电极的电催化效率;当制备的溶胶中锡锑比为9∶1时,制得的电极表面形貌平整、致密,稳定性和电催化效果最好。 展开更多

关键词 溶胶凝胶法 Ti/SnO2电极 sb掺杂 电催化性能

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Sb掺杂二氧化钛光电极的制备与性能研究 被引量：3

10

作者 顾明广 苏芳 《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2022年第8期172-176,共5页

采用水热法制备了Sb掺杂的二氧化钛纳米棒(Sb-TNR)光电极材料,分析了TNR和Sb掺杂TNR的微观结构和光电化学性能。结果表明,Sb部分取代了TNR中Ti的位点,从而形成Sb均匀掺杂的Sb-TNR晶体结构。TNR和Sb-TNR具有较好的光电流稳定性,且Sb掺杂... 采用水热法制备了Sb掺杂的二氧化钛纳米棒(Sb-TNR)光电极材料,分析了TNR和Sb掺杂TNR的微观结构和光电化学性能。结果表明,Sb部分取代了TNR中Ti的位点,从而形成Sb均匀掺杂的Sb-TNR晶体结构。TNR和Sb-TNR具有较好的光电流稳定性,且Sb掺杂有助于提升电荷转移效率和提高光电催化效率与光电活性,Sb-TNR具有更好的光电化学性能。掺杂Sb的TNR的光电流密度要高于未掺杂Sb的TNR,且掺杂5%Sb的TNR具有最高的光电流密度,即具有最佳的光电响应特性。 展开更多

关键词 sb掺杂 二氧化钛 微观结构 光电化学性能

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Sb掺杂ZnO薄膜的缺陷和光学性质研究 被引量：1

11

作者 陈小庆 孙利杰 傅竹西 《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期72-75,共4页

采用磁控溅射方法在6H-SiC单晶片上制备了锑(Sb)掺杂的氧化锌(ZnO)薄膜.利用X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)对样品的结晶质量和成分进行了测试.结果表明所得到的ZnO∶Sb薄膜结晶质量良好,掺Sb浓度为原子数分数1%,并且掺入的Sb原... 采用磁控溅射方法在6H-SiC单晶片上制备了锑(Sb)掺杂的氧化锌(ZnO)薄膜.利用X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)对样品的结晶质量和成分进行了测试.结果表明所得到的ZnO∶Sb薄膜结晶质量良好,掺Sb浓度为原子数分数1%,并且掺入的Sb原子处于Zn原子的位置.利用低温及变温光致发光谱(PL)研究了ZnO∶Sb薄膜的光学性质,观察到了与Sb有关的A0X发射,并且计算得到其受主能级为150meV.分析认为掺Sb的ZnO薄膜中受主来源于SbZn-2VZn复合缺陷. 展开更多

关键词 sb掺杂 低温PL谱 ZNO A0X

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钛掺杂对Ge_2Sb_2Te_5薄膜相变特性的改善（英文）

12

作者 张颖 魏慎金 +5 位作者 易歆雨 程帅 陈坤 朱焕锋 李晶 吕磊 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期658-662,共5页

利用椭偏光谱术与XRD对钛掺杂Ge_2Sb_2Te_5薄膜中钛元素对体系的光学性质及其微结构的影响进行了实验研究.进而对该薄膜进行变温阻抗实验表明,钛掺杂Ge_2Sb_2Te_5薄膜与未掺杂的薄膜相比具有更好的热稳定性.基于对薄膜样品的数据保持能... 利用椭偏光谱术与XRD对钛掺杂Ge_2Sb_2Te_5薄膜中钛元素对体系的光学性质及其微结构的影响进行了实验研究.进而对该薄膜进行变温阻抗实验表明,钛掺杂Ge_2Sb_2Te_5薄膜与未掺杂的薄膜相比具有更好的热稳定性.基于对薄膜样品的数据保持能力测试的实验数据,经阿伦纽斯外推处理可知,钛掺杂Ge_2Sb_2Te_5薄膜样品的10年数据保持温度要高于未掺杂Ge_2Sb_2Te_5薄膜样品.本文的实验结果均证实,钛掺杂Ge_2Sb_2Te_5薄膜更适合应用于相变随机存取存储器中. 展开更多

关键词 钛掺杂Ge2sb2Te5薄膜 相变特性 热稳定性 数据保持能力

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Sb^(3+)掺杂的PLZT电光陶瓷的水热合成与性能研究

13

作者 何聚 宿杰 +1 位作者 王立群 余大书 《天津师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2007年第3期13-15,共3页

水热合成法制备Sb3+掺杂的PLZT电光陶瓷.用XRD、拉曼光谱等分析方法研究发现,Sb3+含量的增加有助于PLZT的铁电相变及介电性能的改善,当Sb3+掺杂量(摩尔分数)为2.4%时,其介电性能最佳.

关键词 锆钛酸铅镧 水热合成 电光陶瓷 sb3+掺杂

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Sb^(3+)掺杂Li_(0.02)(Na_(0.53)K_(0.48))_(0.98)Nb_(0.8)Ta_(0.2)O_3无铅压电陶瓷的电学性能

14

作者 李慧 孙彩霞 +2 位作者 陈贺 王博 张洋洋 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期794-798,804,共6页

用传统的固相反应烧结法制备了Li_(0.02)(Na_(0.53)K_(0.48))_(0.98)Nb_(0.8)Ta_(0.2)O_3-xSb_2O_3(LNKNT-xSb_2O_3)无铅压电陶瓷,研究了Sb^(3+)掺杂对陶瓷晶体结构、显微结构及压电性能的影响。研究结果表明,Sb3+掺杂LNKNT陶瓷属于明显... 用传统的固相反应烧结法制备了Li_(0.02)(Na_(0.53)K_(0.48))_(0.98)Nb_(0.8)Ta_(0.2)O_3-xSb_2O_3(LNKNT-xSb_2O_3)无铅压电陶瓷,研究了Sb^(3+)掺杂对陶瓷晶体结构、显微结构及压电性能的影响。研究结果表明,Sb3+掺杂LNKNT陶瓷属于明显的"软性"掺杂,少量掺杂Sb3+能显著提高陶瓷的烧结及压电性能。当烧结温度为1100℃,掺杂量为2wt%时,LNKNT-0.02Sb陶瓷达到最好的压电性能:d33=193 pC/N,КP=49.5%,εr=779,Pr=16μC/cm2,应变达到2.3%,但机械品质因数QM从110.97降低到了85,介电损耗tanδ从1.66%增加到了2.01%。 展开更多

关键词 无铅压电陶瓷 压电性能 (KNa)NbO3 sb3+掺杂

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Sb^(5+)掺杂TiO_2纳米带的制备及其乙醇气敏性能研究

15

作者 陈枫 肖奇 《中南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第7期2176-2181,共6页

采用水热法制备纯的及Sb5+掺杂的TiO2纳米带,并用XRD和TEM对样品进行表征。研究结果表明:700℃焙烧的TiO2纳米带依然保持为锐钛矿相;掺杂后TiO2纳米带的形貌基本保持不变,是长5~10μm,宽100~300 nm的纳米带结构。在最佳工作温度下,TiO2... 采用水热法制备纯的及Sb5+掺杂的TiO2纳米带,并用XRD和TEM对样品进行表征。研究结果表明:700℃焙烧的TiO2纳米带依然保持为锐钛矿相;掺杂后TiO2纳米带的形貌基本保持不变,是长5~10μm,宽100~300 nm的纳米带结构。在最佳工作温度下,TiO2纳米带对乙醇气体具有快速的响应和恢复特性;Sb5+掺杂不仅可以提高TiO2纳米带的灵敏度,而且降低最佳工作温度,由掺杂前的400℃降低为掺杂后的300℃;在n(Sb)/n(Ti)=7.5%的最佳掺杂量下,对体积分数为100×10-6的乙醇气体的响应时间为19 s,恢复时间为11 s,灵敏度为13.82,且检测下限可达到1×10-6。 展开更多

关键词 TIO2纳米带 sb5+掺杂 气敏 乙醇

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Sb^(3+)掺杂对Bi_2Ti_2O_7薄膜性能的影响

16

作者 王趱 姜伟 李三喜 《辽宁工程技术大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2017年第8期836-839,共4页

采用Sol-gel法,以Pt/Ti/SiO_2/Si为衬底在700℃下退火20 min制备了Sb^(3+)摩尔含量分别为0.1、0.2、0.3、0.4、0.5和0.6的Bi_(2-x)Sb_xTi_2O_7薄膜.通过对薄膜进行XRD、SEM和C-V、J-V曲线测试,详细讨论了不同Sb^(3+)含量对Bi2Ti2O7薄膜... 采用Sol-gel法,以Pt/Ti/SiO_2/Si为衬底在700℃下退火20 min制备了Sb^(3+)摩尔含量分别为0.1、0.2、0.3、0.4、0.5和0.6的Bi_(2-x)Sb_xTi_2O_7薄膜.通过对薄膜进行XRD、SEM和C-V、J-V曲线测试,详细讨论了不同Sb^(3+)含量对Bi2Ti2O7薄膜在结构、表面形貌、电容和漏电流等方面的影响.研究结果表明:Sb^(3+)的掺杂在没有改变Bi_2Ti_2O_7薄膜焦绿石结构的基础上提高了薄膜的稳定性;Sb^(3+)的掺杂提高了薄膜的电容值,尤其是当Sb^(3+)摩尔含量为0.3时,电容峰值达到3.8×10^(-9)F;同时,Sb^(3+)的掺杂显著改善了薄膜的漏电流性能,使薄膜的漏电流密度可以低至1.1×10^(-10)A/cm^2. 展开更多

关键词 sb3+掺杂 Sol—gel技术 Bi2-xsbxTi2O7薄膜 C-V曲线 J-V曲线 漏电流密度.

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Sb掺杂ZnO薄膜电学、光学性能研究 被引量：9

17

作者 丁萍 潘新花 叶志镇 《重庆理工大学学报（自然科学）》 CAS 2010年第5期50-53,共4页

采用氧等离子体辅助脉冲激光沉积(PLD)法,在n-Si(001)衬底上制备出性能良好的Sb掺杂p型ZnO薄膜,其电阻率为44.18Ω.cm,空穴浓度为3.78×1016cm-3,霍尔迁移率为3.74 cm2V-1s-1,ZnO薄膜在室温下放置9个月,其p型性能基本保持不变。Ⅰ-... 采用氧等离子体辅助脉冲激光沉积(PLD)法,在n-Si(001)衬底上制备出性能良好的Sb掺杂p型ZnO薄膜,其电阻率为44.18Ω.cm,空穴浓度为3.78×1016cm-3,霍尔迁移率为3.74 cm2V-1s-1,ZnO薄膜在室温下放置9个月,其p型性能基本保持不变。Ⅰ-V曲线显示良好的整流特性,进一步证明了Sb掺杂ZnO薄膜的p型导电性。进行低温光致发光(PL)谱测试,确认Sb掺杂p型ZnO薄膜存在2种受主态,其受主能级分别为161和336 meV,分析认为336 meV深受主为Zn空位;161 meV浅受主为由于Sb掺杂产生的SbZn-2VZn缺陷复合体。 展开更多

关键词 P型ZNO sb掺杂 脉冲激光沉积

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Sb掺杂Sn_2S_3薄膜的表征及电学特性 被引量：5

18

作者 柴燕华 李健 卢建丽 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期89-94,共6页

真空蒸发制备Sb掺杂Sn2S3多晶薄膜。研究不同比例Sb掺杂对Sn2S3薄膜的电学、结构、表面形貌、化学组分的影响,实验给出掺Sb5%薄膜经380℃热处理30 min可获得结构良好正交晶系的Sn2S3∶Sb多晶薄膜,薄膜的电阻率从未掺杂时的79kΩ.cm降到2... 真空蒸发制备Sb掺杂Sn2S3多晶薄膜。研究不同比例Sb掺杂对Sn2S3薄膜的电学、结构、表面形貌、化学组分的影响,实验给出掺Sb5%薄膜经380℃热处理30 min可获得结构良好正交晶系的Sn2S3∶Sb多晶薄膜,薄膜的电阻率从未掺杂时的79kΩ.cm降到23.7Ω.cm,下降了三个数量级。Sn2S3薄膜表面为颗粒状,体内化学计量比Sn/S为1∶1.49,与标准计量比非常接近;掺Sb(5%)后为1∶0.543,Sn过量。Sn和S以Sn2+,Sn4+,S2-形式存在于薄膜中;Sb元素显示正5价,部分Sb5+进入晶格替位Sn4+。 展开更多

关键词 真空蒸发 热处理 Sn2S3薄膜 sb掺杂 电学特性

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Sb掺杂二氧化锡单片纳米带的气敏特性研究 被引量：5

19

作者 艾鹏 龚乃良 刘应开 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第14期87-90,共4页

利用热蒸发法制备了纯净的SnO2纳米带及Sb掺杂SnO2纳米带。通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和气敏测试仪器对其结构和性能进行了表征和测试。结果表明纳米带表面光滑,厚度约为50nm。纯净SnO2纳米带为理... 利用热蒸发法制备了纯净的SnO2纳米带及Sb掺杂SnO2纳米带。通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和气敏测试仪器对其结构和性能进行了表征和测试。结果表明纳米带表面光滑,厚度约为50nm。纯净SnO2纳米带为理想的单晶结构,掺杂Sb后并没有改变二氧化锡的晶体结构和晶胞参数。使用单根Sb掺杂和纯净的SnO2纳米带制作成传感器并进行气敏性能测试,结果显示:Sb掺杂SnO2纳米带对乙二醇和丙酮的最佳响应温度为180℃,在100×10-6浓度下对乙二醇和丙酮的气敏响应分别为10倍和1.2倍;对乙醇的最佳响应温度为200℃,响应为2.6倍。在最佳响应温度,随乙二醇浓度的增加器件气敏响应增强,其响应时间随乙二醇浓度的增加而缩短,在50×10-6及100×10-6时,其响应时间分别为15s和14s。 展开更多

关键词 sb掺杂SnO2 单片纳米带 气体传感器 乙二醇

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Sb掺杂Sn_2S_3薄膜的制备及光学特性 被引量：2

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作者 王艳 李健 卢建丽 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第B04期320-324,共5页

真空蒸发制备Sb掺杂Sn2S3多晶薄膜（玻璃衬底），研究不同比例Sb掺杂对Sn2S3薄膜的结构、表面形貌、化学组分及光学特性的影响。实验给出5％掺Sb的薄膜经380℃热处理30min（氮气保护）得到正交晶系的Sn2S3；Sb多晶薄膜，薄膜表面颗粒大... 真空蒸发制备Sb掺杂Sn2S3多晶薄膜（玻璃衬底），研究不同比例Sb掺杂对Sn2S3薄膜的结构、表面形貌、化学组分及光学特性的影响。实验给出5％掺Sb的薄膜经380℃热处理30min（氮气保护）得到正交晶系的Sn2S3；Sb多晶薄膜，薄膜表面颗粒大小均匀，膜面致密有轻微颗粒聚集现象。薄膜体内Sn与S化学计量比为1：1．49，掺Sb后为1：0．543，薄膜中Sn、S、SB分别以Sn2＋、Sn4＋、S2-、Sb5＋存在。纯Sn2S3薄膜的光透过率在350～500nm波长范围内基本为零，随着波长增大，光透过率增加，其直接光学带隙为2．2eV，吸收边为564nm；掺Sb后薄膜的光透率明显降低，光学带隙为1．395eV比未掺杂时减小0．805eV，吸收边发生红移为889nm。 展开更多

关键词 真空蒸发 热处理 Sn2S3薄膜 sb掺杂 光学特性

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