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掺杂薄膜制备及光电学性能的研究进展
1
作者 杨涛 周细应 +2 位作者 答建成 张有为 周涛 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2016年第14期19-22,共4页
掺杂对于薄膜光电学性能的改善具有重要意义,通过不同的掺杂,可实现不同的光电学性能需求。综述了掺杂薄膜的制备方法和光电学性能方面的研究进展,并结合目前的研究现状,对其今后可能的发展方向进行了展望。
关键词 掺杂薄膜 制备 光电学性能
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脉冲准分子激光沉积Mg/Ag掺杂薄膜 被引量：1
2
作者 胡少六 江超 王又青 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期68-69,共2页
基于梯度掺杂功能薄膜材料在工业应用中的需要、通过金属掺杂对新材料改性研究的需要 ,用单束激光交替作用于两相异靶材 ,制备了Mg Ag组分比为 0 .
关键词 梯度掺杂功能薄膜 金属掺杂 Mg/Ag掺杂 单束激光交替沉积
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2Cr13基体表面粗糙度对Ti掺杂MoS_(2)薄膜摩擦磨损性能的影响
3
作者 丁子珊 赖泽标 +4 位作者 李一治 江小辉 刘京周 吉利 Ermakov Boris Sergeevich 《表面技术》 北大核心 2025年第13期96-106,共11页
目的探究基体表面粗糙度对Ti掺杂MoS_(2)薄膜摩擦磨损性能的影响及其磨损机理,为后续2Cr13基体配磨副表面状态设计提供参考。方法通过磁控溅射法在表面粗糙度(Ra)范围为0.2~0.7μm的2Cr13基体表面制备Ti掺杂的MoS_(2)薄膜,并在大气环境... 目的探究基体表面粗糙度对Ti掺杂MoS_(2)薄膜摩擦磨损性能的影响及其磨损机理,为后续2Cr13基体配磨副表面状态设计提供参考。方法通过磁控溅射法在表面粗糙度(Ra)范围为0.2~0.7μm的2Cr13基体表面制备Ti掺杂的MoS_(2)薄膜,并在大气环境下进行干摩擦摩擦磨损实验。通过扫描电子显微镜、金相显微镜、能谱仪、白光干涉仪对实验后的薄膜磨痕形貌及对摩球的磨斑形貌进行观察分析。结果通过分析基体粗糙度为0.2μm的薄膜的磨痕表面形貌可知,主要为黏着磨损,其平均摩擦因数和对摩球磨斑面积最大,而其磨损率在所有试样中处于居中位置;当基体的粗糙度增至0.5~0.6μm范围时,其平均摩擦因数、薄膜磨损率及对摩球磨斑面积都最小;当基体粗糙度进一步升至0.7μm时,薄膜的磨损率(8.79301×10^(-7)mm^(3)·N^(-1)·m^(-1))最大,而其平均摩擦因数(0.092)较小,对摩球磨斑面积(4.125×10^(4)μm^(2))略有升高,但比Ra 0.2μm下的对摩球的磨斑面积小。结论基于分子-机械摩擦理论,揭示了基体不同粗糙度对镀膜后表面摩擦磨损的影响机制,在低粗糙度(0.2μm)下,分子间的作用力主导摩擦阻力,黏着磨损显著;在中粗糙度(0.4~0.6μm),工件在不同摩擦阻力的作用下,其磨损机制为黏着磨损和磨粒磨损,其中Ra 0.4μm的工件仍以黏着磨损为主。随着基体粗糙度的增加,Ra 0.6μm工件表面的磨损机制逐渐转变为以磨粒磨损为主,在Ra 0.5~0.6μm范围内制备的Ti掺杂MoS_(2)薄膜展现出最优的综合性能;在高粗糙度(0.7μm)下,由机械啮合阻力主导,薄膜磨损剧烈,磨损机制主要为磨粒磨损。在不同基体表面粗糙度状态下,薄膜的摩擦磨损机制存在显著差别,为提升以摩擦磨损性能为目标的基体表面状态提供了关键依据。 展开更多
关键词 基体表面粗糙度 Ti掺杂MoS_(2)薄膜 2Cr13基体 摩擦磨损 磨损机制 干摩擦
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同位靶磁控溅射法制备Al掺杂CdSe薄膜 被引量：1
4
作者 何惠江 宣乐 +2 位作者 毛高翔 刘辉 王春海 《热加工工艺》 北大核心 2024年第16期159-162,共4页
为增加掺杂薄膜的元素均匀性,基于磁控溅射技术,设计了靶材同位共溅射制备掺杂薄膜的方法,并用于制备Al掺杂CdSe薄膜,获得了Al均匀掺杂的CdSe薄膜。结果表明:制备的薄膜为富Se状态,呈现明显的(111)择优取向。Al掺杂后的CdSe薄膜方块电阻... 为增加掺杂薄膜的元素均匀性,基于磁控溅射技术,设计了靶材同位共溅射制备掺杂薄膜的方法,并用于制备Al掺杂CdSe薄膜,获得了Al均匀掺杂的CdSe薄膜。结果表明:制备的薄膜为富Se状态,呈现明显的(111)择优取向。Al掺杂后的CdSe薄膜方块电阻由5.2 kΩ/□升高至544.5 kΩ/□。随着Al掺杂量的增加,薄膜的方块电阻下降。当共溅射Al片为6片时,薄膜方块电阻为7.7 kΩ/□,薄膜半导体类型由p型转变为n型。掺杂薄膜体电导率分别为192.4(未掺杂)、2.01×10^(4)(Al片数1)、506.9(Al片数2)、384.8(Al片数4)、284.9 mΩ·cm(Al片数6)。掺杂薄膜样品的禁带宽度Eg分别为1.82(未掺杂)、1.97(Al片数1)、1.75(Al片数2)、1.78(Al片数4)、1.82 eV(Al片数6)。 展开更多
关键词 同位靶磁控溅射 Al掺杂CdSe薄膜 电学行为
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基于铝离子掺杂二氧化钛薄膜的染料敏化太阳能电池的光电性能(英文) 被引量：8
5
作者 刘秋平 黄慧娟 +3 位作者 周洋 段彦栋 孙庆文 林原 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2012年第3期591-595,共5页
采用水热法制备出Al3+掺杂二氧化钛薄膜,通过玻璃棒涂于导电玻璃上,在450°C的温度下烧结并将其用N3染料敏化制成染料敏化太阳能电池(DSSCs).通过X射线光电子能谱(XPS)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)及DSSCs测试系统对其进行了测... 采用水热法制备出Al3+掺杂二氧化钛薄膜,通过玻璃棒涂于导电玻璃上,在450°C的温度下烧结并将其用N3染料敏化制成染料敏化太阳能电池(DSSCs).通过X射线光电子能谱(XPS)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)及DSSCs测试系统对其进行了测试表征,研究了Al3+掺杂对TiO2晶型及染料敏化太阳能电池的光电性能影响.XPS数据显示Al3+成功掺杂到了TiO2晶格内,由于Al3+的存在,对半导体内电子和空穴的捕获及阻止电子/空穴对的复合发挥重要作用.莫特-肖特基曲线显示掺杂Al3+后二氧化钛平带电位发生正移,并导致电子从染料注入到TiO2的驱动力提高.DSSCs系统测试结果表明,Al3+掺杂的TiO2薄膜光电效率达到6.48%,相对于无掺杂的纯二氧化钛薄膜光电效率(5.58%),其光电效率提高了16.1%,短路光电流密度从16.5mA·cm-2提高到18.2mA·cm-2. 展开更多
关键词 二氧化钛 铝掺杂薄膜 水热法 X射线光电子能谱 光电性能 平带电位
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脉冲激光沉积Al/Ag掺杂功能梯度薄膜 被引量：1
6
作者 胡少六 江超 +1 位作者 何建平 王又青 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期463-465,468,共4页
为了寻找制备梯度金属薄膜的新方法和新工艺 ,采用脉冲准分子激光扫描沉积技术 ,在Si(10 0 )单晶衬底上沉积了Al/Ag掺杂功能梯度薄膜 ,并采用SEM和XPS对制备的薄膜进行了微观分析。分析结果表明 ,运用合适的激光参数和辅助放电 ,在沉积... 为了寻找制备梯度金属薄膜的新方法和新工艺 ,采用脉冲准分子激光扫描沉积技术 ,在Si(10 0 )单晶衬底上沉积了Al/Ag掺杂功能梯度薄膜 ,并采用SEM和XPS对制备的薄膜进行了微观分析。分析结果表明 ,运用合适的激光参数和辅助放电 ,在沉积温度 30 0℃时 ,制备出了Al/Ag组分比近似为 5∶1的掺杂梯度薄膜。该实验方法说明 ,利用脉冲激光与金属掺杂靶相互作用沉积梯度金属薄膜是可行的。 展开更多
关键词 Al/Ag掺杂薄膜 脉冲激光沉积 微观分析 工艺参数
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Ni、S单掺杂及共掺杂TiO_2薄膜的制备及光生阴极保护性能研究 被引量：3
7
作者 李海莹 刘峥 +2 位作者 李庆伟 黄秋梅 张淑芬 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第11期11113-11120,11126,共9页
将离子掺杂TiO_2涂层方法和耦合另外一种具有电子储存能力的半导体氧化物方法相结合,在碳钢/Ni-P-SnO_2、碳钢/Ni-P-WO_3表面制备Ni、S掺杂TiO_2涂层,在可见光条件下,对碳钢进行光生阴极保护作用的研究。首先在不锈钢基体上制备不同摩... 将离子掺杂TiO_2涂层方法和耦合另外一种具有电子储存能力的半导体氧化物方法相结合,在碳钢/Ni-P-SnO_2、碳钢/Ni-P-WO_3表面制备Ni、S掺杂TiO_2涂层,在可见光条件下,对碳钢进行光生阴极保护作用的研究。首先在不锈钢基体上制备不同摩尔比的Ni、S掺杂及其共掺杂薄膜,通过光电测试,最佳提拉层数为3层、Ni、S最佳掺杂摩尔比分别是0.001,0.005。在此基础上,利用镀膜提拉技术,在碳钢/Ni-P-SnO_2、碳钢/Ni-PWO_3表面制备Ni、S掺杂TiO_2涂层,并对其进行SEM、XRD等表征,研究其对碳钢光生阴极保护作用,结果发现Ni、S最佳掺杂摩尔比及其最佳Ni、S共掺杂摩尔比呈现了最好的光生阴极保护性能。 展开更多
关键词 光生阴极保护 TIO2 溶胶凝胶法 掺杂薄膜 碳钢
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Ag掺杂ZnO薄膜光催化降解苯酚的试验研究 被引量：9
8
作者 王英连 叶君耀 +1 位作者 吴汉水 胡跃辉 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期1033-1036,共4页
本文采用溶胶-凝胶法在石英玻璃基底上制备出性能优良的Ag掺杂的纳米ZnO薄膜,并通过XRD、AFM和UV-Vis吸收光谱对薄膜的结构及光吸收特性进行表征。以苯酚为被降解物,进一步研究了不同掺杂浓度对其光催化性能的影响。结果表明,ZnO:Ag摩... 本文采用溶胶-凝胶法在石英玻璃基底上制备出性能优良的Ag掺杂的纳米ZnO薄膜,并通过XRD、AFM和UV-Vis吸收光谱对薄膜的结构及光吸收特性进行表征。以苯酚为被降解物,进一步研究了不同掺杂浓度对其光催化性能的影响。结果表明,ZnO:Ag摩尔比为30∶1的样品催化效果最佳。 展开更多
关键词 Ag掺杂ZnO薄膜 溶胶-凝胶 光催化 苯酚
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In掺杂和退火对磁控溅射制备ZnO薄膜的结构和光电性质的影响 被引量：7
9
作者 彭丽萍 方亮 +4 位作者 杨小飞 周科 黄秋柳 吴芳 阮海波 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期680-684,共5页
用射频磁控溅射技术在石英玻璃衬底上制备出ZnO和In掺杂的ZnO(ZnO∶In)薄膜,研究了In的掺杂和退火对薄膜的结构和光电性质的影响。所制备的薄膜为纤锌矿结构的ZnO相,In的掺杂有利于ZnO薄膜的c轴择优生长,并且使其表面更加致密平整,退火... 用射频磁控溅射技术在石英玻璃衬底上制备出ZnO和In掺杂的ZnO(ZnO∶In)薄膜,研究了In的掺杂和退火对薄膜的结构和光电性质的影响。所制备的薄膜为纤锌矿结构的ZnO相,In的掺杂有利于ZnO薄膜的c轴择优生长,并且使其表面更加致密平整,退火提高了薄膜的结晶行为,但使得薄膜的表面有部分团聚形成。由于In3+替代了Zn2+,提供了一个多余的电子,ZnO薄膜的电阻率从28.9Ω.cm降低到4.3×10-3Ω.cm。由于载流子浓度的增加和晶格尺寸的拉长,In的掺杂使得ZnO薄膜的禁带宽度增加;空气中退火后薄膜的载流子浓度降低和晶格尺寸的减小,使得禁带宽度降低。ZnO薄膜在可见光范围的透光率在90%以上,受In的掺杂和退火的影响不大。室温下用325 nm的激发光源测试了样品的光致发光(PL)谱,发现In的掺杂对薄膜的PL谱影响不大,而退火后的ZnO薄膜在446 nm处的蓝光发射明显增强,更适合于作为蓝色发光器件。 展开更多
关键词 透明导电薄膜 磁控溅射 In掺杂ZnO薄膜 光电性能
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溶胶-凝胶法制备Mg掺杂ZnO薄膜的微结构与光学性质 被引量：9
10
作者 黄凯 吕建国 +1 位作者 刘先松 唐震 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期1171-1175,共5页
采用溶胶-凝胶技术在Si(111)和石英玻璃衬底上制备了Mg掺杂ZnO薄膜。用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电镜(SEM)和紫外-可见(UV-Vis)分光光度计测试薄膜的微结构、表面形貌和光学性质。结果表明:所得Mg掺杂ZnO薄膜仍为六角... 采用溶胶-凝胶技术在Si(111)和石英玻璃衬底上制备了Mg掺杂ZnO薄膜。用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电镜(SEM)和紫外-可见(UV-Vis)分光光度计测试薄膜的微结构、表面形貌和光学性质。结果表明:所得Mg掺杂ZnO薄膜仍为六角纤锌矿型结构,呈c轴方向择优生长,随着退火温度升高,薄膜的晶格常数c由0.5288 nm减小到0.5278 nm,粗糙度从3.8 nm增大到6.5 nm,光学带隙由3.26 eV增大到3.31 eV。 展开更多
关键词 Mg掺杂ZnO薄膜 溶胶-凝胶法 微结构 光学性质
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F掺杂SnO_2透明导电薄膜微结构及性能研究 被引量：10
11
作者 莫建良 陈华 +4 位作者 曹涯雁 刘起英 汪建勋 翁文剑 韩高荣 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期152-156,共5页
通过实验测量常压热分解CVD工艺制备的F掺杂SnO2薄膜的方块电阻、膜厚、形貌、微结构、中远红外反射率等性质,详细研究了基板温度对SnO2薄膜微结构的影响和微结构与薄膜电学、光学性能之间的关系。研究发现,将基板温度从375℃提高到525... 通过实验测量常压热分解CVD工艺制备的F掺杂SnO2薄膜的方块电阻、膜厚、形貌、微结构、中远红外反射率等性质,详细研究了基板温度对SnO2薄膜微结构的影响和微结构与薄膜电学、光学性能之间的关系。研究发现,将基板温度从375℃提高到525℃以上,薄膜结晶程度大大提高,薄膜厚度从25nm提高到近300nm,方块电阻下降了两个数量级,中远红外的反射率达到了85%以上。 展开更多
关键词 CVD F掺杂SnO2薄膜 微结构 性能
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铬掺杂氧化锌薄膜的超声喷雾法制备及其光学与磁学性质 被引量：4
12
作者 陈翔 杨文宇 +4 位作者 张慧钦 邹明忠 庄彬 林应斌 黄志高 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第5期1328-1333,共6页
用注射超声喷雾法将前驱体由针管直接送入超声喷头内,在石英基板上制备Zn_(1-x)Cr_xO(x=0.0,0.01,0.03,0.05)薄膜。采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、荧光光谱仪、紫外-可见分光光度计、振动样品磁强计(VSM)等对薄膜的结构、光学和磁... 用注射超声喷雾法将前驱体由针管直接送入超声喷头内,在石英基板上制备Zn_(1-x)Cr_xO(x=0.0,0.01,0.03,0.05)薄膜。采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、荧光光谱仪、紫外-可见分光光度计、振动样品磁强计(VSM)等对薄膜的结构、光学和磁学性质进行测量。实验结果表明,未掺杂的ZnO薄膜为六角纤锌矿结构,沿着c轴(002)择优取向,而Cr掺杂抑制了薄膜的c轴择优取向性;掺杂后的薄膜平均晶粒尺寸均增大,且当x=3%时,晶粒尺寸最大,达31.4nm。扫描电镜(SEM)下薄膜呈球形颗粒状,并且在x=5%下,薄膜出现了长条状的微观形貌。Cr掺杂使样品的光致发光谱(PL)发生了很大的变化:未掺杂的样品的PL谱在378nm处存在一个紫外发射峰,对应于550nm附近还存在一个由于缺陷态引起的绿光发射峰;掺Cr样品只有在350~550nm的很宽的范围内存在一个发射峰,对其进行高斯拟合后,发现掺Cr量为x=1%,3%,5%下样品均存在V_(Zn)(锌空位)、Zn_i(Zn间隙位)、V_(Zn)^-(带一个电子的锌空位)内部缺陷态,且当x=3%时,V_(Zn)最多。Cr的掺杂使得薄膜的带隙增大,并且x=3%时,禁带宽度最大,达到3.374eV。掺Cr的三个样品均具有室温铁磁性,且x=3%样品的磁化强度最大,其与V_(Zn)(锌空位)最大相对应,验证了Cr^(3+)和V_(Zn)的缺陷复合体是ZnO∶Cr样品具有稳定的铁磁有序的最有利条件的理论预测。 展开更多
关键词 超声喷雾法 Cr掺杂ZnO薄膜 光学性能 磁学性质
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Sn-Al共掺杂ZnO薄膜的制备及其光电性能 被引量：7
13
作者 刘涛 赵小如 金宁 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第3期740-745,763,共7页
采用溶胶凝胶法在普通载玻片上制备了Sn-Al共掺杂Zn O薄膜(ZASO薄膜)。利用XRD、扫描电子显微镜、霍尔测试仪、双电测四探针测试仪和紫外-可见分光光度计等设备,研究了Sn-Al掺杂浓度、预烧温度对氧化锌薄膜的晶体结构和光电性能的影响... 采用溶胶凝胶法在普通载玻片上制备了Sn-Al共掺杂Zn O薄膜(ZASO薄膜)。利用XRD、扫描电子显微镜、霍尔测试仪、双电测四探针测试仪和紫外-可见分光光度计等设备,研究了Sn-Al掺杂浓度、预烧温度对氧化锌薄膜的晶体结构和光电性能的影响。结果表明:预烧温度为500℃,Sn、Al掺杂浓度分别为1.0at%时,得到的ZASO薄膜的综合光电性能最好,晶粒尺寸较大,方块电阻可达3.3 kΩ/□,光学透过率达92.9%。 展开更多
关键词 溶胶凝胶法 Sn-Al掺杂ZnO薄膜(ZASO) 掺杂浓度 预烧温度
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CVD法制备Sb掺杂SnO_2薄膜的结构与性能研究 被引量：7
14
作者 谢莲革 沃银花 +4 位作者 汪建勋 沈鸽 翁文剑 刘起英 韩高荣 《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期1824-1828,共5页
采用化学气相沉积法(CVD)制备了Sb掺杂SnO2薄膜(ATO),研究了Sb掺杂量对ATO薄膜结构和性能的影响.利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)等分析手段对所制得薄膜的结构、形貌、成分等进行了表征,XRD结果表明在基板温... 采用化学气相沉积法(CVD)制备了Sb掺杂SnO2薄膜(ATO),研究了Sb掺杂量对ATO薄膜结构和性能的影响.利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)等分析手段对所制得薄膜的结构、形貌、成分等进行了表征,XRD结果表明在基板温度为665℃时能够制得结晶性能较好的多晶薄膜,XPS分析确定掺杂后的Sb以Sb5+离子形式存在.讨论了Sb掺杂量对方块电阻、透射率和反射率等薄膜性质的影响,结果表明,当Sb掺杂量为2%时取得最小方块电阻为7.8Ω/□,在可见光区薄膜的透射率和反射率随着Sb掺杂量的增加呈下降趋势.最后探讨了Sb掺杂SnO2薄膜的显色特性,认为Sb5+离子的本征吸收是薄膜显色的主要原因. 展开更多
关键词 化学气相沉积(CVD) Sb掺杂SnO2薄膜 掺杂量
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种子层及掺杂浓度对溶胶-凝胶法制备ZnO∶Al薄膜光电性能的影响 被引量：5
15
作者 彭寿 汤永康 +5 位作者 王芸 金良茂 甘治平 王东 王萍萍 操芳芳 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期543-549,共7页
本文采用溶胶-凝胶法以提拉的方式在普通玻璃基底上制备出n型掺杂具有优良光电性能的氧化锌掺铝（AZO）薄膜,并以磁控溅射AZO薄膜为种子层引导液相法所制备AZO薄膜生长。Al掺杂浓度区间为0.25at%～5.00at%。通过X射线衍射仪、场发射扫... 本文采用溶胶-凝胶法以提拉的方式在普通玻璃基底上制备出n型掺杂具有优良光电性能的氧化锌掺铝（AZO）薄膜,并以磁控溅射AZO薄膜为种子层引导液相法所制备AZO薄膜生长。Al掺杂浓度区间为0.25at%～5.00at%。通过X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜、轮廓仪、方块电阻测试仪、霍尔效应测试仪、紫外-可见-红外分光光度计分别研究了薄膜物相、微观结构、膜厚及光电性能,进一步分析了Al掺杂浓度、种子层对薄膜光电性能的影响。结果表明：经10次提拉所制备薄膜可见光透过率85%以上。Al掺杂浓度、种子层的引入对AZO薄膜的光电性能有重要影响。无种子层时,掺杂浓度为0.50at%的AZO薄膜在5%H2、95%N2还原气氛下于550℃保温60 min得到最优电学性能,方块电阻约为166Ω/□,电阻率约为1.99×10-3Ω·cm;预镀AZO种子层所制备薄膜方块电阻下降到约42Ω/□,电阻率下降到约7.56×10-4Ω·cm。 展开更多
关键词 Al掺杂浓度 种子层 铝掺杂氧化锌薄膜 光电性能
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电沉积Co掺杂ZnO薄膜的光致发光及磁性研究 被引量：2
16
作者 王爱华 宋海珍 +3 位作者 刘旭焱 张萍 宋金璠 姬晓旭 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第4期742-746,共5页
在ITO衬底上电沉积了Co掺杂ZnO薄膜。X射线粉末衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)结果表明Co掺杂并没有改变ZnO的六角纤锌矿结构,但可以在一定程度上改变晶体的形貌。室温光致发光光谱(PL)结果表明Co掺杂导致薄膜的带隙变窄。磁性测试结... 在ITO衬底上电沉积了Co掺杂ZnO薄膜。X射线粉末衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)结果表明Co掺杂并没有改变ZnO的六角纤锌矿结构,但可以在一定程度上改变晶体的形貌。室温光致发光光谱(PL)结果表明Co掺杂导致薄膜的带隙变窄。磁性测试结果表明,10%Co掺杂样品室温下呈现顺磁性,而5%Co掺杂样品在室温下呈现铁磁性,我们认为其铁磁性是由Co掺杂引起的缺陷导致的。 展开更多
关键词 Co掺杂ZnO薄膜 电沉积 光致发光 磁性
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银掺杂ZnO薄膜光电功能材料的研究进展 被引量：2
17
作者 段理 于晓晨 +1 位作者 王卓 樊小勇 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第19期132-135,142,共5页
近年来人们发现利用银掺杂方案能制备出导电性良好的p型ZnO薄膜,并能增强ZnO的紫外发光强度,还可以形成各种纳米微结构从而产生一些新的特性。这很可能为ZnO基光电器件的应用提供新思路。综述了几年来国内外在银掺杂ZnO薄膜的电学性质... 近年来人们发现利用银掺杂方案能制备出导电性良好的p型ZnO薄膜,并能增强ZnO的紫外发光强度,还可以形成各种纳米微结构从而产生一些新的特性。这很可能为ZnO基光电器件的应用提供新思路。综述了几年来国内外在银掺杂ZnO薄膜的电学性质、光学性质和结构方面的研究进展,并探讨了目前存在的问题及今后研究的方向。 展开更多
关键词 银掺杂ZnO薄膜 P型 光电特性
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Ag、Al掺杂对ZnO薄膜结构和光学性能的影响 被引量：2
18
作者 秦秀娟 王佳宁 +3 位作者 卜立敏 孙丽 孟惠民 刘日平 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 2008年第5期10-13,共4页
采用两种溶胶-凝胶工艺在普通玻璃基片上制备Ag:ZnO和Al:ZnO薄膜,通过XRD、UV-Vis吸收谱等分析方法,研究掺杂Ag和Al对半导体ZnO薄膜的组织结构和光学性能的影响。分析表明:掺杂Ag和Al对ZnO薄膜结构的影响因成胶工艺不同而有差异。但掺... 采用两种溶胶-凝胶工艺在普通玻璃基片上制备Ag:ZnO和Al:ZnO薄膜,通过XRD、UV-Vis吸收谱等分析方法,研究掺杂Ag和Al对半导体ZnO薄膜的组织结构和光学性能的影响。分析表明:掺杂Ag和Al对ZnO薄膜结构的影响因成胶工艺不同而有差异。但掺杂离子对ZnO薄膜光学性能的影响结论是一致的。即Al3+离子掺杂显著减小了晶粒尺寸,薄膜禁带宽度增大,紫外—可见光吸收边出现蓝移。Ag+离子掺杂增大了晶粒尺寸,薄膜禁带宽度减小,紫外—可见光吸收边出现红移。 展开更多
关键词 掺杂ZnO薄膜 溶胶-凝胶法 结构特性 光学特性
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基于反应气体和生长温度的Nb掺杂TiO_2薄膜相图研究 被引量：3
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作者 王贺权 李海峰 +2 位作者 杜宇 巴德纯 吕伯超 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第9期910-914,共5页
应用射频磁控溅射设备在超白玻璃和石英玻璃等非晶基体上生长Nb掺杂TiO2薄膜。在固定的电源功率、频率、靶基距和溅射时间的条件下,通过改变基体温度、反应气体及其含量,可以得到相对准确的晶相分布图。在还原气体环境随着基体温度的增... 应用射频磁控溅射设备在超白玻璃和石英玻璃等非晶基体上生长Nb掺杂TiO2薄膜。在固定的电源功率、频率、靶基距和溅射时间的条件下,通过改变基体温度、反应气体及其含量,可以得到相对准确的晶相分布图。在还原气体环境随着基体温度的增加得到了金红石相的Nb掺杂TiO2薄膜;在氧化气体环境中,不同的基体温度和不同的氧化气体含量能够生长出较为纯净的锐钛矿相及锐钛矿相和金红石相的混相。通过此相图的研究能够为制备良好的透明导电薄膜奠定实验基础。 展开更多
关键词 Nb掺杂TiO2薄膜 反应气体 生长温度 相图
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ZnO缓冲层上低温生长Al掺杂的ZnO薄膜 被引量：2
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作者 马李刚 马书懿 +1 位作者 陈海霞 黄新丽 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第8期1516-1519,共4页
采用射频磁控溅射法在ZnO缓冲层上制备了不同Al掺杂量的ZnO(AZO)薄膜。利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光(PL)等表征技术,研究了AZO薄膜的微观结构、表面形貌和发光特性。结果表明,随着Al掺杂量的增加,ZnO薄膜的择优... 采用射频磁控溅射法在ZnO缓冲层上制备了不同Al掺杂量的ZnO(AZO)薄膜。利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光(PL)等表征技术,研究了AZO薄膜的微观结构、表面形貌和发光特性。结果表明,随着Al掺杂量的增加,ZnO薄膜的择优取向性发生了改变,且当Al的掺杂量为0.81%(原子分数)时,(002)衍射峰与其它衍射峰强度的比值达到最大,表明适合的Al掺杂使ZnO薄膜的择优取向性得到了改善。在可见光范围内薄膜的平均透过率超过70%。通过对样品光致发光(PL)谱的研究,发现所有样品出现了3个发光峰,分别对应于以444nm(2.80eV)、483nm(2.57eV)为中心的蓝光发光峰和以521nm(2.38eV)为中心较弱的绿光峰。并对样品的发光机理进行了详细的探讨。 展开更多
关键词 磁控溅射法 ZnO缓冲层 Al掺杂ZnO薄膜 XRD 光致发光
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