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激光掺杂制备晶体硅太阳电池研究进展
被引量：
5
1
作者
李涛
周春兰
+4 位作者
赵雷
李海玲
刁宏伟
刘振刚
王文静
《电工技术学报》
EI
CSCD
北大核心
2011年第12期141-147,共7页
激光掺杂具有可控性强,工艺简单,对材料造成的激光诱导损伤小等优点,是制备高效晶体硅太阳电池理想的技术选择。本文总结了国内外激光掺杂的研究工作,介绍了掺杂制备晶体硅太阳电池主要激光技术,分析了激光能量密度、激光脉冲个数、激...
激光掺杂具有可控性强,工艺简单,对材料造成的激光诱导损伤小等优点,是制备高效晶体硅太阳电池理想的技术选择。本文总结了国内外激光掺杂的研究工作,介绍了掺杂制备晶体硅太阳电池主要激光技术,分析了激光能量密度、激光脉冲个数、激光波长,和材料表面织构与否对激光掺杂效果的影响,以及激光掺杂制备的晶体硅太阳电池的优势特点。
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关键词
激光
掺杂
激光诱导损伤
掺杂
浓度
掺杂深度
晶体硅太阳电池
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职称材料
高镍LiNi_(0.8)Co_(0.1)Mn_(0.1)O_(2)锂电正极材料的制备及界面改性研究
被引量：
2
2
作者
王恩通
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第2期2161-2165,共5页
利用高温固相法和深度掺杂改性工艺,制备了具有空白和表面改性的高镍LiNi_(0.8)Co_(0.1)Mn_(0.1)O_(2)(NCM811)三元锂电正极材料。采用SEM、XRD和EDS等分别对空白和表面改性的NCM811正极材料的表面形貌、晶格结构、二次球颗粒内部元素...
利用高温固相法和深度掺杂改性工艺,制备了具有空白和表面改性的高镍LiNi_(0.8)Co_(0.1)Mn_(0.1)O_(2)(NCM811)三元锂电正极材料。采用SEM、XRD和EDS等分别对空白和表面改性的NCM811正极材料的表面形貌、晶格结构、二次球颗粒内部元素分布进行测试,并将材料组装成半电池进行电化学性能研究。结果表明,Al和Zr元素的深度掺杂对NCM811正极材料的一次颗粒生长产生了明显的影响,可改变材料的表层一次颗粒形貌,并造成材料峰位的偏移;Al和Zr元素掺杂主要集中在二次球颗粒表层,并且呈梯度分布,其表面扩散厚度可达1μm,远大于普通低温包覆工艺(扩散厚度<0.3μm);Al和Zr元素深度掺杂使NCM811正极材料的首次放电容量降低了1.8 mAh/g,5 C倍率放电保持率提高了1.6%,50圈循环容量保持率提高了9.7%,大幅提高了NCM811正极材料循环稳定性能。
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关键词
NCM811正极材料
表面改性
深度
掺杂
电性能
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职称材料
题名
激光掺杂制备晶体硅太阳电池研究进展
被引量：
5
1
作者
李涛
周春兰
赵雷
李海玲
刁宏伟
刘振刚
王文静
机构
中国科学院电工研究所太阳能热利用及光伏系统重点实验室北京
出处
《电工技术学报》
EI
CSCD
北大核心
2011年第12期141-147,共7页
基金
中国科学院知识创新工程重要方向资助项目(KGCX2-YW-382)
文摘
激光掺杂具有可控性强,工艺简单,对材料造成的激光诱导损伤小等优点,是制备高效晶体硅太阳电池理想的技术选择。本文总结了国内外激光掺杂的研究工作,介绍了掺杂制备晶体硅太阳电池主要激光技术,分析了激光能量密度、激光脉冲个数、激光波长,和材料表面织构与否对激光掺杂效果的影响,以及激光掺杂制备的晶体硅太阳电池的优势特点。
关键词
激光
掺杂
激光诱导损伤
掺杂
浓度
掺杂深度
晶体硅太阳电池
Keywords
Laser doping, laser-induced silicon solar cells damage, dopant concentration, doping depth, crystalline
分类号
TN2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
高镍LiNi_(0.8)Co_(0.1)Mn_(0.1)O_(2)锂电正极材料的制备及界面改性研究
被引量：
2
2
作者
王恩通
机构
吕梁学院化学化工系
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第2期2161-2165,共5页
基金
山西省高等学校科技创新项目(2020L0681)。
文摘
利用高温固相法和深度掺杂改性工艺,制备了具有空白和表面改性的高镍LiNi_(0.8)Co_(0.1)Mn_(0.1)O_(2)(NCM811)三元锂电正极材料。采用SEM、XRD和EDS等分别对空白和表面改性的NCM811正极材料的表面形貌、晶格结构、二次球颗粒内部元素分布进行测试,并将材料组装成半电池进行电化学性能研究。结果表明,Al和Zr元素的深度掺杂对NCM811正极材料的一次颗粒生长产生了明显的影响,可改变材料的表层一次颗粒形貌,并造成材料峰位的偏移;Al和Zr元素掺杂主要集中在二次球颗粒表层,并且呈梯度分布,其表面扩散厚度可达1μm,远大于普通低温包覆工艺(扩散厚度<0.3μm);Al和Zr元素深度掺杂使NCM811正极材料的首次放电容量降低了1.8 mAh/g,5 C倍率放电保持率提高了1.6%,50圈循环容量保持率提高了9.7%,大幅提高了NCM811正极材料循环稳定性能。
关键词
NCM811正极材料
表面改性
深度
掺杂
电性能
Keywords
NCM811 cathode material
surface modification
deep doping
electrical properties
分类号
TM912 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
激光掺杂制备晶体硅太阳电池研究进展
李涛
周春兰
赵雷
李海玲
刁宏伟
刘振刚
王文静
《电工技术学报》
EI
CSCD
北大核心
2011
5
在线阅读
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职称材料
2
高镍LiNi_(0.8)Co_(0.1)Mn_(0.1)O_(2)锂电正极材料的制备及界面改性研究
王恩通
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021
2
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职称材料
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