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红外和雷达复合隐身材料——掺杂氧化物半导体
被引量：
42
1
作者
马格林
曹全喜
黄云霞
《红外技术》
CSCD
北大核心
2003年第4期77-80,共4页
从红外隐身、雷达隐身原理及电磁波在半导体表面层的吸收和反射的机理出发 ,从理论上分析了掺杂氧化物半导体材料同时实现红外和雷达隐身的可能性 ,指出ZAO(掺铝氧化锌 )作为红外和雷达隐身复合隐身材料是很有发展前景的。
关键词
掺杂氧化物半导体
红外隐身
雷达隐身
隐身材料
ZA0
掺铝
氧化
锌
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职称材料
题名
红外和雷达复合隐身材料——掺杂氧化物半导体
被引量：
42
1
作者
马格林
曹全喜
黄云霞
机构
西安电子科技大学
出处
《红外技术》
CSCD
北大核心
2003年第4期77-80,共4页
文摘
从红外隐身、雷达隐身原理及电磁波在半导体表面层的吸收和反射的机理出发 ,从理论上分析了掺杂氧化物半导体材料同时实现红外和雷达隐身的可能性 ,指出ZAO(掺铝氧化锌 )作为红外和雷达隐身复合隐身材料是很有发展前景的。
关键词
掺杂氧化物半导体
红外隐身
雷达隐身
隐身材料
ZA0
掺铝
氧化
锌
Keywords
camouflage material, doped semiconductor oxide, ITO, ZAO
分类号
TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]
TN304.21 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
红外和雷达复合隐身材料——掺杂氧化物半导体
马格林
曹全喜
黄云霞
《红外技术》
CSCD
北大核心
2003
42
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