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氧化钇稳定立方氧化锆掺杂晶体的吸收光谱和辐照变色 被引量:2
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作者 刘建成 张道标 +1 位作者 冯锡淇 唐元汾 《矿物岩石地球化学通报》 CAS CSCD 1989年第4期253-254,共2页
稀土元素、铁族元素、铬、钒、钛和其它许多元素都能进入ZrO<sub>2</sub>晶体,某些杂质的浓度高达10%也不会改变其晶相的均一性。大多数杂质能以各种价态存在于ZrO<sub>2</sub>固溶体中。用“壳烙”冷坩埚技... 稀土元素、铁族元素、铬、钒、钛和其它许多元素都能进入ZrO<sub>2</sub>晶体,某些杂质的浓度高达10%也不会改变其晶相的均一性。大多数杂质能以各种价态存在于ZrO<sub>2</sub>固溶体中。用“壳烙”冷坩埚技术生长了氧化钇稳定的立方氧化锆(YSCZ)掺杂晶体。 展开更多
关键词 立方氧化锆 掺杂晶体 氧化钇 均一性 吸收谱 吸收边 波长范围 峰值位置 卜射 最大峰值
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ZnWO_4单晶生长及其掺杂改性的研究 被引量:4
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作者 臧竞存 田玉金 +1 位作者 何景棠 朱国义 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 1989年第1期24-28,共5页
介绍钨酸锌单晶的生长及掺杂各种氧化物对晶体性能的影响,并对ZnWO_4:Mg,ZnWO_4:Cd,ZnWO_4:Sb,ZnWO_4:Ti,ZnWO_4:Ge,ZnWO_4:Ce晶体的发光效率进行了测定。结果表明,如果其吸收限移向高能端,相应的发光效率有所增加。
关键词 单晶生长 钨酸锌 晶体 掺杂晶体
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KCdF_3晶体中Cr^(3+)-Li^+中心局域结构研究 被引量:2
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作者 杨子元 屈绍波 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期12-15,共4页
利用零场分裂参量与晶体结构之间的定量关系 ,研究了双掺杂晶体KCdF3 ∶Cr3 + ,Li+ 的局域结构。指出 ,对于KCdF3 ∶Cr3 + ,Li+ 晶体 ,四角晶场的形成包含两个方面 :( 1 )由于电荷补偿而产生的等效电荷形成的四角对称晶场 ;( 2 )Cr3 + ... 利用零场分裂参量与晶体结构之间的定量关系 ,研究了双掺杂晶体KCdF3 ∶Cr3 + ,Li+ 的局域结构。指出 ,对于KCdF3 ∶Cr3 + ,Li+ 晶体 ,四角晶场的形成包含两个方面 :( 1 )由于电荷补偿而产生的等效电荷形成的四角对称晶场 ;( 2 )Cr3 + 的局域结构发生晶格畸变而产生的四角对称晶场。事实上 ,当Cr3 + 和Li+ 掺入KCdF3晶体时 ,Cr3 + 代替了Cd2 + 离子 ;由于Cr3 + 离子与Cd2 + 离子的半径不同、电荷不同、质量不同 ,导致Cr3 + 的局域结构发生晶格畸变 ,由此而产生四角对称晶场 ;由于电荷补偿 ,Li+ 离子取代了 [0 0 1 ]方向与Cr3 + 离子邻近的Cd2 + 离子 ,由此产生的等效电荷而形成的四角晶场。这样 ,Cr3 + 的局域结构由Oh 对称变为C4v点对称。文中建立了ZFS参量和晶体结构之间的定量关系。在考虑晶格畸变和等效电荷的基础上 ,研究了KCdF3 ∶Cr3 + ,Li+ 晶体的ZFS参量 ,理论结果和实验符合很好。得到了F-离子向中心离子分别移动为ΔR1=0 0 0 2 68nm ,ΔR2 =0 0 0 1nm ,ΔR3 =0 0 0 1 65nm。 展开更多
关键词 KCF3:C^3+ L^+ 零场分裂 电荷补偿 局域结构 四角晶场 晶格畸变 掺杂晶体材料
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上海硅酸盐所中红外激光晶体研究取得进展
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《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2016年第11期264-265,共2页
中红外激光(2~5μm)覆盖多个大气传输窗口及众多分子化学键吸收峰“指纹”区域,在空间光通讯、环境监测、医疗、军事等领域均有重要的应用前景。产生中红外激光的技术众多,其中基于直接泵浦稀土掺杂晶体的中红外激光技术,具有结... 中红外激光(2~5μm)覆盖多个大气传输窗口及众多分子化学键吸收峰“指纹”区域,在空间光通讯、环境监测、医疗、军事等领域均有重要的应用前景。产生中红外激光的技术众多,其中基于直接泵浦稀土掺杂晶体的中红外激光技术,具有结构简单、可连续输出、光束质量高等优点。 展开更多
关键词 中红外激光 上海硅酸盐所 激光晶体 激光技术 大气传输 环境监测 掺杂晶体 连续输出
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The Effects of Different Hydrothermal Preparation Conditions on the Properties of ZnO Nano-materials
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作者 XIA Ziwen LIANG Ping +3 位作者 FENG Yang YANG Weiye PENG Hongyan ZHAO Shihua 《材料导报》 北大核心 2025年第16期15-26,共12页
ZnO is a highly significant II-VI semiconductor known for its excellent optoelectronic properties,making it widely applicable and promising for use in light-emitting devices,solar cells,lasers,and photodetectors.The m... ZnO is a highly significant II-VI semiconductor known for its excellent optoelectronic properties,making it widely applicable and promising for use in light-emitting devices,solar cells,lasers,and photodetectors.The methods for preparing ZnO are diverse,and among them,the hydrothermal method is favored for its simplicity,ease of operation,and low cost,making it an optimal choice for ZnO single-crystal growth.Most studies investigating the effects of different hydrothermal experimental parameters on the morphology and performance of ZnO nano-materials typically focus on only 2—3 variable parameters,with few examining the impact of all possible experimental parameter changes on ZnO nano-mate-rials.The principles of the hydrothermal method and its advantages in nano-material preparation were briefly introduced in this article.The detailed discussion on the influence of various experimental parameters on the preparation of ZnO nano-materials was provided,which including reaction materials,Zn^(2+)/OH^(-)ratio,reaction time and temperature,additives,experimental equipment,and annealing conditions.The review co-vers how different experimental parameters affect the morphology and performance of the materials,as well as how different rare earth doping elements influence the performance of ZnO nano-materials.It is hoped that this work will contribute to future research on the hydrothermal synthesis of nano-materials. 展开更多
关键词 hydrothermal method reaction condition ZNO DOPING nano-material crystalline structureH
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关于KMgF_3:Mn^(2+)的基态立方零场分裂
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作者 谢军楷 赵尚勃 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 1990年第S1期108-108,共1页
KMgF_3:Mn^(2+)晶体中Mn^(2+)离子处于近似的六配位八面体对称晶场中,基态零场分裂参量a(即自旋哈密顿参量)已被测出,d—d跃迁吸收谱已被Sibley等人测出。Betty等人用自旋相关模型(SCCF)对其光谱进行了理论计算,其结果不令人满意。一般... KMgF_3:Mn^(2+)晶体中Mn^(2+)离子处于近似的六配位八面体对称晶场中,基态零场分裂参量a(即自旋哈密顿参量)已被测出,d—d跃迁吸收谱已被Sibley等人测出。Betty等人用自旋相关模型(SCCF)对其光谱进行了理论计算,其结果不令人满意。一般而言,统一地计算掺杂晶体的吸收谱和零场分裂参量是一个困难的问题,尤其对d^5系问题就更加困难;Low et al甚至断言用简单的晶体场模型不可能统一地分析Mn^(2+)离子的立方零场分裂和光谱。因此,到目前为止,尚未见到KMgF_3晶体中Mn^(2+)离子的光谱和立方零场分裂值的统一理论解释。本文利用O_h点群表象强场方案,构造了d~系O_h点群的严格的完全能量矩阵,用以统一分析KMgF_3晶体中Mn^(2+)的光谱和立方零场分裂。 展开更多
关键词 零场 KMgF3:Mn 晶体 掺杂晶体 自旋相关 晶场 吸收谱 理论解释 点群 八面体
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激光工作物质
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《中国光学》 EI CAS 1996年第6期12-12,共1页
TN244 96063587MOCVD生长带有MQB的量子阱激光器材料=MOCVD grown quantum well laser materialswith MQB[刊,中]/章其麟,关兴国,刘英斌,张亚德,张荣桂(电子部第13研究所.四川,重庆(632163))//半导体情报.-1995,32(4).-1-7用MOCV... TN244 96063587MOCVD生长带有MQB的量子阱激光器材料=MOCVD grown quantum well laser materialswith MQB[刊,中]/章其麟,关兴国,刘英斌,张亚德,张荣桂(电子部第13研究所.四川,重庆(632163))//半导体情报.-1995,32(4).-1-7用MOCVD生长发射波长为808 nm的Al-GaAs/GaAs量子阱激光材料。通过在激光器材料的波导中加入多量子势垒层,有效地限制电子在阱内的复合以及高能电子溢出阱外,从而降低了激光器的阈值电流,提出了它的特征温度。增加了MQB后,器件的阈值电流密度I<sub>th</sub>从原来的400-600A/cm<sup>2</sup>下降到300-400A/cm<sup>2</sup>,特征温度从160K提高到210K。图10表3参5(吴淑珍)TN244 96063588NaF及其掺杂晶体F<sub>2</sub>心的二向色性研究=Thedichromatic properties of F<sub>2</sub> centers in NaFand doped crystals[刊,中]/冯志萍,王存达。 展开更多
关键词 特征温度 量子阱激光器 二向色性 量子势垒 激光材料 高能电子 掺杂晶体 发射波长 生长带 半导体
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