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硅和碳化硅MOSFET中PN结SEM图像掺杂衬度分析
1
作者
冯文洁
蔡亚辉
+3 位作者
付祥和
黄丹阳
王丹
贺永宁
《电子科技大学学报》
北大核心
2025年第3期347-352,共6页
PN结是半导体器件结构的基础,对PN结掺杂剂分布的量测直接关系到器件的性能和可靠性。对于掺杂剂分析,二次电子图像展示了巨大的潜力。基于扫描电子显微镜对硅基MOSFET和碳化硅MOSFET的PN结进行量测,发现硅和碳化硅两种材料的掺杂衬度...
PN结是半导体器件结构的基础,对PN结掺杂剂分布的量测直接关系到器件的性能和可靠性。对于掺杂剂分析,二次电子图像展示了巨大的潜力。基于扫描电子显微镜对硅基MOSFET和碳化硅MOSFET的PN结进行量测,发现硅和碳化硅两种材料的掺杂衬度存在明显差异。为探究该差异产生机理,利用样品电流法测量相关材料的二次电子发射系数。分析测试结果发现,掺杂半导体衬度产生与表面态有关,对二次电子图像在半导体量测中的应用具有指导意义。
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关键词
掺杂半导体衬度
扫描电子显微镜
二次电子
表面态
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职称材料
题名
硅和碳化硅MOSFET中PN结SEM图像掺杂衬度分析
1
作者
冯文洁
蔡亚辉
付祥和
黄丹阳
王丹
贺永宁
机构
西安交通大学微电子学院
国防科技大学电子科学学院
出处
《电子科技大学学报》
北大核心
2025年第3期347-352,共6页
文摘
PN结是半导体器件结构的基础,对PN结掺杂剂分布的量测直接关系到器件的性能和可靠性。对于掺杂剂分析,二次电子图像展示了巨大的潜力。基于扫描电子显微镜对硅基MOSFET和碳化硅MOSFET的PN结进行量测,发现硅和碳化硅两种材料的掺杂衬度存在明显差异。为探究该差异产生机理,利用样品电流法测量相关材料的二次电子发射系数。分析测试结果发现,掺杂半导体衬度产生与表面态有关,对二次电子图像在半导体量测中的应用具有指导意义。
关键词
掺杂半导体衬度
扫描电子显微镜
二次电子
表面态
Keywords
doped semiconductor contrast
scanning electron microscopy
secondary electrons
surface states
分类号
TN307 [电子电信—物理电子学]
O475 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
硅和碳化硅MOSFET中PN结SEM图像掺杂衬度分析
冯文洁
蔡亚辉
付祥和
黄丹阳
王丹
贺永宁
《电子科技大学学报》
北大核心
2025
0
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