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高温退火时NTDFZSi中产生的过剩载流子
1
作者
张维连
王志军
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第2期92-95,共4页
为了消除辐照损伤,获得准确的目标电阻率,中子嬗变掺杂区熔硅(NTDFZSi)通常采用750~850℃-2h的退火工艺。实践中发现,采用上述工艺退火后的NTDFZSi在大于1150℃-5h退火时,会出现电阻率下降的现象...
为了消除辐照损伤,获得准确的目标电阻率,中子嬗变掺杂区熔硅(NTDFZSi)通常采用750~850℃-2h的退火工艺。实践中发现,采用上述工艺退火后的NTDFZSi在大于1150℃-5h退火时,会出现电阻率下降的现象,下降幅度在10%~30%左右。不中照的FZSi则没有观察到这种现象。这表明,在1150℃以上长时间退火时,NTDFZSi中产生了过剩载流子,本文研究了这种现象产生的机理及其与辐照通量和原始晶体质量的关系。实验表明原始晶体微缺陷密度越高,辐照通量越大,电阻率偏离的程度越明显。本文认为多余载流子的产生来源于中子辐照造成的晶格损伤缺陷,并与原始单晶缺陷有关。
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关键词
辐照损伤
中子嬗变
掺杂区熔硅
载流子
退火
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职称材料
题名
高温退火时NTDFZSi中产生的过剩载流子
1
作者
张维连
王志军
机构
河北工业大学材料研究中心
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第2期92-95,共4页
文摘
为了消除辐照损伤,获得准确的目标电阻率,中子嬗变掺杂区熔硅(NTDFZSi)通常采用750~850℃-2h的退火工艺。实践中发现,采用上述工艺退火后的NTDFZSi在大于1150℃-5h退火时,会出现电阻率下降的现象,下降幅度在10%~30%左右。不中照的FZSi则没有观察到这种现象。这表明,在1150℃以上长时间退火时,NTDFZSi中产生了过剩载流子,本文研究了这种现象产生的机理及其与辐照通量和原始晶体质量的关系。实验表明原始晶体微缺陷密度越高,辐照通量越大,电阻率偏离的程度越明显。本文认为多余载流子的产生来源于中子辐照造成的晶格损伤缺陷,并与原始单晶缺陷有关。
关键词
辐照损伤
中子嬗变
掺杂区熔硅
载流子
退火
Keywords
NTDFZSi,Irradiation damage,Micro-defects,Thermal stability of resistivity,Carrier
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
TN304.05 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
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1
高温退火时NTDFZSi中产生的过剩载流子
张维连
王志军
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996
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