-
题名硅基太赫兹压控振荡器研究进展
- 1
-
-
作者
陈尚轩
鲁成健
陈卓恒
成彬彬
程序
-
机构
中国工程物理研究院电子工程研究所
中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心
海南大学热带农林学院
-
出处
《固体电子学研究与进展》
2025年第2期34-46,共13页
-
基金
国家重点研发计划资助项目(2020YFB1805702)。
-
文摘
太赫兹技术近年来的快速发展推动着太赫兹振荡器以及压控振荡器的设计与实现。随着半导体工艺(如CMOS,SiGe,GaAs等)的进步,使得高集成度、低功耗、低相位噪声的高频振荡器以及压控振荡器的实现成为可能。本综述将讲述太赫兹振荡器关键技术及其最新研究进展,重点探讨不同类型的太赫兹振荡器设计方法,特别对提高输出功率和调谐范围等方面进行研究。通过对现有文献的综合分析,旨在为研究人员提供关于硅基太赫兹振荡器领域的全景式理解,为未来研究提供参考和指导。
-
关键词
毫米波通信
毫米波
太赫兹频率
推推振荡器
振荡器阵列
耦合振荡器
-
Keywords
millimeter-wave communication
millimeter-wave
terahertz frequency
push-push oscillator
oscillator array
coupled oscillator
-
分类号
TN43
[电子电信—微电子学与固体电子学]
TN74
[电子电信—电路与系统]
TN752
[电子电信—电路与系统]
-
-
题名一种低相位噪声的毫米波压控振荡器
被引量：2
- 2
-
-
作者
刘武广
王增双
-
机构
中国电子科技集团公司第二十九研究所
中国电子科技集团公司第十三研究所
-
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021年第9期686-689,743,共5页
-
文摘
基于推推振荡器结构设计了一种低相位噪声的毫米波压控振荡器,相比传统采用直接振荡和倍频实现的振荡器,该振荡器具有体积小、相位噪声低及电路简单等优点。振荡器中的谐振电路采用多级串联谐振,电感采用微带线的形式,提高了谐振器的品质因数,进而降低了振荡器的相位噪声,且在谐振电路通过微带耦合方式实现了基频输出。基于GaAs异质结双极晶体管(HBT)工艺对振荡器进行了设计和流片,芯片尺寸为1.8 mm×1.4 mm。在5 V工作电压和0~13 V调谐电压条件下,振荡器的输出频率为42.1~46.2 GHz,电流为120 mA,输出功率为1 dBm, 1/2次谐波抑制大于15 dB,相位噪声为-60 dBc/Hz@10 kHz、-85 dBc/Hz@100 kHz和-105 dBc/Hz@1 MHz。
-
关键词
推推振荡器
低相位噪声
毫米波
异质结双极晶体管(HBT)
单片微波集成电路(MMIC)
-
Keywords
push-push oscillator
low phase noise
millimeter wave
heterojunction bipolar transistor(HBT)
monolithic microwave integrated circuit(MMIC)
-
分类号
TN43
[电子电信—微电子学与固体电子学]
TN752
[电子电信—电路与系统]
-
