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题名一种低相位噪声的毫米波压控振荡器
被引量：4
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作者
刘武广
王增双
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机构
中国电子科技集团公司第二十九研究所
中国电子科技集团公司第十三研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021年第9期686-689,743,共5页
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文摘
基于推推振荡器结构设计了一种低相位噪声的毫米波压控振荡器,相比传统采用直接振荡和倍频实现的振荡器,该振荡器具有体积小、相位噪声低及电路简单等优点。振荡器中的谐振电路采用多级串联谐振,电感采用微带线的形式,提高了谐振器的品质因数,进而降低了振荡器的相位噪声,且在谐振电路通过微带耦合方式实现了基频输出。基于GaAs异质结双极晶体管(HBT)工艺对振荡器进行了设计和流片,芯片尺寸为1.8 mm×1.4 mm。在5 V工作电压和0~13 V调谐电压条件下,振荡器的输出频率为42.1~46.2 GHz,电流为120 mA,输出功率为1 dBm, 1/2次谐波抑制大于15 dB,相位噪声为-60 dBc/Hz@10 kHz、-85 dBc/Hz@100 kHz和-105 dBc/Hz@1 MHz。
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关键词
推推振荡器
低相位噪声
毫米波
异质结双极晶体管(HBT)
单片微波集成电路(MMIC)
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Keywords
push-push oscillator
low phase noise
millimeter wave
heterojunction bipolar transistor(HBT)
monolithic microwave integrated circuit(MMIC)
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分类号
TN43
[电子电信—微电子学与固体电子学]
TN752
[电子电信—电路与系统]
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