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高功率窄脉宽半导体激光激励器设计
被引量：
11
1
作者
阎得科
孙传东
+2 位作者
冯莉
何浩东
朱少岚
《应用光学》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第1期165-169,共5页
为了获得高功率窄脉宽半导体激光,设计了半导体激光器相应的激励单元,论述MOSFET作为高速开关的工作机理,分析基于MOSFET作为高速开关产生窄的大电流脉冲的电路模型。为了使MOSFET开关速度尽可能快,根据前述分析,提出推挽式MOSFET栅极...
为了获得高功率窄脉宽半导体激光,设计了半导体激光器相应的激励单元,论述MOSFET作为高速开关的工作机理,分析基于MOSFET作为高速开关产生窄的大电流脉冲的电路模型。为了使MOSFET开关速度尽可能快,根据前述分析,提出推挽式MOSFET栅极驱动方式并设计了触发窄脉冲的发生电路。当激光二极管接入放电回路时,实验表明:激光二极管输出光的峰值功率可达67.5 W,脉宽约为20 ns。最后,简要分析了影响光脉冲宽度的因素。
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关键词
能量压缩技术
MOSFET高速开关
推挽式驱动
窄脉冲
高功率激光
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职称材料
题名
高功率窄脉宽半导体激光激励器设计
被引量：
11
1
作者
阎得科
孙传东
冯莉
何浩东
朱少岚
机构
中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室
中国科学院研究生院
出处
《应用光学》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第1期165-169,共5页
文摘
为了获得高功率窄脉宽半导体激光,设计了半导体激光器相应的激励单元,论述MOSFET作为高速开关的工作机理,分析基于MOSFET作为高速开关产生窄的大电流脉冲的电路模型。为了使MOSFET开关速度尽可能快,根据前述分析,提出推挽式MOSFET栅极驱动方式并设计了触发窄脉冲的发生电路。当激光二极管接入放电回路时,实验表明:激光二极管输出光的峰值功率可达67.5 W,脉宽约为20 ns。最后,简要分析了影响光脉冲宽度的因素。
关键词
能量压缩技术
MOSFET高速开关
推挽式驱动
窄脉冲
高功率激光
Keywords
power compression technology
fast MOSFET switch
push-pull driving
narrow pulse
high power laser
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高功率窄脉宽半导体激光激励器设计
阎得科
孙传东
冯莉
何浩东
朱少岚
《应用光学》
CAS
CSCD
北大核心
2011
11
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