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液晶分子在高分子膜上的排列记忆效应
被引量：
3
1
作者
乌日娜
于涛
+3 位作者
彭增辉
张力
阮圣平
宣丽
《液晶与显示》
CAS
CSCD
2003年第5期338-341,共4页
通过测量高分子膜聚酰亚胺由排列记忆效应产生的锚定强度,对锚定强度随记忆时间的变化进行定量描述。聚酰亚胺膜表面的锚定强度随着记忆时间的增加逐渐增大,大约经过20h后达到饱和,其归一化饱和值大约为30μm-1。
关键词
液晶分子
高分子膜
排列记忆效应
锚定强度
记忆
时间
聚酰亚胺
液晶显示器
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职称材料
题名
液晶分子在高分子膜上的排列记忆效应
被引量：
3
1
作者
乌日娜
于涛
彭增辉
张力
阮圣平
宣丽
机构
中国科学院激发态重点研究实验室
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
2003年第5期338-341,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(19974046
59973020)
+1 种基金
吉林省科委基金资助项目(20010579)
中国科学院"百人计划"资助项目(19990359)
文摘
通过测量高分子膜聚酰亚胺由排列记忆效应产生的锚定强度,对锚定强度随记忆时间的变化进行定量描述。聚酰亚胺膜表面的锚定强度随着记忆时间的增加逐渐增大,大约经过20h后达到饱和,其归一化饱和值大约为30μm-1。
关键词
液晶分子
高分子膜
排列记忆效应
锚定强度
记忆
时间
聚酰亚胺
液晶显示器
Keywords
liquid crystal
memory alignment effect
anchoring strength
分类号
O753.2 [理学—晶体学]
TN873.93 [电子电信—信息与通信工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
液晶分子在高分子膜上的排列记忆效应
乌日娜
于涛
彭增辉
张力
阮圣平
宣丽
《液晶与显示》
CAS
CSCD
2003
3
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