期刊文献+
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
大动态范围CMOS图像传感器指数时间采样电路的改进
1
作者 卞育华 卢结成 鄢铭 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2009年第7期105-108,共4页
分析了现有指数时间采样重置电路的结构和写SRAM的工作时序,设计了一种新型的单稳态脉冲生成电路,加入到像素电路中形成新的SRAM写模式.采用此方法使得单个像素的平均写SRAM次数由2-1/2N次降为1次,消除了大动态范围CMOS图像传感器中SRA... 分析了现有指数时间采样重置电路的结构和写SRAM的工作时序,设计了一种新型的单稳态脉冲生成电路,加入到像素电路中形成新的SRAM写模式.采用此方法使得单个像素的平均写SRAM次数由2-1/2N次降为1次,消除了大动态范围CMOS图像传感器中SRAM的无效写操作.在CSM0.35μm2P4M3.3V的工艺条件下,利用Cadence Spectre和Hspice工具分别对单稳态脉冲电路和改进后的像素电路进行了仿真实验,证明了此方法的有效性. 展开更多
关键词 CMOS图像传感器 指数时间采样重置 单稳态脉冲 SRAM写模式
在线阅读 下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部