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高功率离子源功率对持续高功率反应磁控溅射沉积Al_(2)O_(3)薄膜的影响
1
作者
邹云霄
杨东杰
+3 位作者
刘亮亮
刘瑶瑶
李春伟
吴忠振
《中国表面工程》
北大核心
2025年第2期19-26,共8页
氧化铝膜层在光学和半导体领域具有广泛的应用。持续高功率磁控溅射(Continuous high-power magnetron sputtering)技术在反应溅射时具有较宽的工艺窗口,因此是制备氧化铝膜层的最佳途径之一。但由于C-HPMS较高的Al溅射速度,制备的氧化...
氧化铝膜层在光学和半导体领域具有广泛的应用。持续高功率磁控溅射(Continuous high-power magnetron sputtering)技术在反应溅射时具有较宽的工艺窗口,因此是制备氧化铝膜层的最佳途径之一。但由于C-HPMS较高的Al溅射速度,制备的氧化铝薄膜往往呈现氧含量不足的现象。对此,采用高功率离子源辅助离化氧气,以提升其反应活性,进而增加制备氧化层中的氧含量。研究结果表明,高功率离子源放电可以大幅提升O_(2)气的离化,使得Al和O化合的活性随离子源功率的提高,制备的氧化铝膜层更加致密,沉积速率也得到提升,膜层中的Al/O比例从0.95降低至0.64。同时,制备的氧化铝膜层的透过率68.8%提升至93.1%,耐击穿性能从20.8 V/μm提升至72.4 V/μm,膜层硬度从12.48 GPa提升至14.45 GPa,体现出明显的促进效果。
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关键词
持续
高
功率
磁控溅射
(
c-hpms
)
氧化铝
离子源辅助
高
功率
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职称材料
题名
高功率离子源功率对持续高功率反应磁控溅射沉积Al_(2)O_(3)薄膜的影响
1
作者
邹云霄
杨东杰
刘亮亮
刘瑶瑶
李春伟
吴忠振
机构
东北林业大学家居与艺术设计学院
北京大学深圳研究生院新材料学院
洛阳船舶材料研究所海洋腐蚀与防护国家重点室
出处
《中国表面工程》
北大核心
2025年第2期19-26,共8页
基金
国家重点研发计划(2023YFA1608802)
国家自然科学基金青年科学基金(52305174)
中国博士后科学基金(2024M750089)。
文摘
氧化铝膜层在光学和半导体领域具有广泛的应用。持续高功率磁控溅射(Continuous high-power magnetron sputtering)技术在反应溅射时具有较宽的工艺窗口,因此是制备氧化铝膜层的最佳途径之一。但由于C-HPMS较高的Al溅射速度,制备的氧化铝薄膜往往呈现氧含量不足的现象。对此,采用高功率离子源辅助离化氧气,以提升其反应活性,进而增加制备氧化层中的氧含量。研究结果表明,高功率离子源放电可以大幅提升O_(2)气的离化,使得Al和O化合的活性随离子源功率的提高,制备的氧化铝膜层更加致密,沉积速率也得到提升,膜层中的Al/O比例从0.95降低至0.64。同时,制备的氧化铝膜层的透过率68.8%提升至93.1%,耐击穿性能从20.8 V/μm提升至72.4 V/μm,膜层硬度从12.48 GPa提升至14.45 GPa,体现出明显的促进效果。
关键词
持续
高
功率
磁控溅射
(
c-hpms
)
氧化铝
离子源辅助
高
功率
Keywords
continuous high-power magnetron sputtering(
c-hpms
)
alumina
ion source assisting
high power
分类号
TG174 [金属学及工艺—金属表面处理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高功率离子源功率对持续高功率反应磁控溅射沉积Al_(2)O_(3)薄膜的影响
邹云霄
杨东杰
刘亮亮
刘瑶瑶
李春伟
吴忠振
《中国表面工程》
北大核心
2025
0
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职称材料
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