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电子横向运动对共振隧穿的影响
被引量：
2
1
作者
宫箭
班士良
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第1期33-36,共4页
讨论了电子横纵方向运动耦合时的隧穿现象。对CdSe/Zn1-xCdxSe方形双势垒结构和抛物形双势垒结构的数值计算表明 ,在零偏压和非零偏压情况下 ,电子横向运动对共振隧穿的影响是不容忽略的。
关键词
共振隧穿
耦合效应
透射系数
电子横向运动
蓝光发射器
半导体
异质结构
GaAs/Ga1-xAlxAs
方
形
双
势垒
抛物形双势垒
在线阅读
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职称材料
题名
电子横向运动对共振隧穿的影响
被引量：
2
1
作者
宫箭
班士良
机构
内蒙古大学物理系
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第1期33-36,共4页
基金
国家自然科学基金
教育部高等学校骨干教师资助计划项目
+1 种基金
教育部留学回国人员基金
内蒙古自治区"3 2 1"人才工程基金
文摘
讨论了电子横纵方向运动耦合时的隧穿现象。对CdSe/Zn1-xCdxSe方形双势垒结构和抛物形双势垒结构的数值计算表明 ,在零偏压和非零偏压情况下 ,电子横向运动对共振隧穿的影响是不容忽略的。
关键词
共振隧穿
耦合效应
透射系数
电子横向运动
蓝光发射器
半导体
异质结构
GaAs/Ga1-xAlxAs
方
形
双
势垒
抛物形双势垒
Keywords
resonant tunneling
coupling effect
transmission coefficient
分类号
O471.1 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
电子横向运动对共振隧穿的影响
宫箭
班士良
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
2
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