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抛光机磨头抛光深度建模与实验 被引量:1
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作者 邵俊鹏 徐斌 李冲 《机械科学与技术》 CSCD 北大核心 2012年第5期713-717,共5页
为了研究抛光机磨头在垂直方向上的抛光量,分析了抛光机的结构和运行原理,以及磨块上的磨粒抛光瓷砖机理,分析结果得出磨头在垂直方向上以螺旋形轨迹抛光瓷砖。将磨块简化为刮刀模型,建立磨头在垂直方向上的抛光深度数学模型,并通过实... 为了研究抛光机磨头在垂直方向上的抛光量,分析了抛光机的结构和运行原理,以及磨块上的磨粒抛光瓷砖机理,分析结果得出磨头在垂直方向上以螺旋形轨迹抛光瓷砖。将磨块简化为刮刀模型,建立磨头在垂直方向上的抛光深度数学模型,并通过实验验证了所建模型的正确性。 展开更多
关键词 抛光 磨头 磨块 抛光深度
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抛光腐蚀深度对多晶硅片抛光与位错刻蚀效果的影响 被引量:2
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作者 周剑 辛超 +4 位作者 魏秀琴 周潘兵 周浪 张运锋 张美霞 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第2期213-217,共5页
对抛光液新旧程度、抛光时间、抛光腐蚀深度等条件对多晶硅片抛光与位错刻蚀显示效果的影响进行实验研究。发现多晶硅片抛光效果与抛光时间无直接对应关系,而取决于抛光腐蚀深度。当硅片抛光腐蚀深度小于45μm时,抛光效果不佳,而大于此... 对抛光液新旧程度、抛光时间、抛光腐蚀深度等条件对多晶硅片抛光与位错刻蚀显示效果的影响进行实验研究。发现多晶硅片抛光效果与抛光时间无直接对应关系,而取决于抛光腐蚀深度。当硅片抛光腐蚀深度小于45μm时,抛光效果不佳,而大于此深度时,抛光效果良好。多晶硅片抛光腐蚀深度会明显影响之后刻蚀显示的位错密度,较浅时得到的位错密度值将偏高,影响区的深度大于19μm。提出一个表征化学腐蚀抛光液新旧程度的参数——硅溶解系数K,给出了抛光腐蚀速率、抛光液表观色泽与K值之间的明确对应关系。 展开更多
关键词 抛光 多晶硅片 位错 抛光腐蚀深度
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基于全因子实验设计的离子抛光工艺研究 被引量:11
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作者 马晓丽 刘礼 +2 位作者 王立强 李晓玲 曹力军 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2019年第3期276-280,共5页
材料学院检测分析中心利用离子抛光设备在电镜制样服务中发现,金属基复合材料的送样率很高,但缺乏标准制样工艺研究。本文针对钛基复合材料,设计了离子抛光两因素四水平的全因子试验。两因素分别为加速电压和抛光时间,其中加速电压的水... 材料学院检测分析中心利用离子抛光设备在电镜制样服务中发现,金属基复合材料的送样率很高,但缺乏标准制样工艺研究。本文针对钛基复合材料,设计了离子抛光两因素四水平的全因子试验。两因素分别为加速电压和抛光时间,其中加速电压的水平为3 kV、4 kV、5 kV和6 kV,抛光时间为2 h、4 h、6 h和8 h。抛光宽度、抛光深度和抛光面积为离子抛光形态主要的表征参数。观察不同抛光工艺参数条件下的抛光形态,并利用软件对抛光成形参数进行量化和对比计算。利用方差分析验证了主效应和交互效应的模型准确性,并对离子抛光的成形参数进行了回归分析和范围预测。该研究可以为材料离子抛光工艺提供检测服务案例,建立标准制样工艺,以减小实验周期和成本,提高电镜制样效率。 展开更多
关键词 加速电压 抛光时间 抛光宽度 抛光深度 抛光面积
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钛合金TC4的超硬磨料柔性抛光轮数控抛光试验研究 被引量:2
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作者 朱正清 陈志同 《航空制造技术》 CSCD 北大核心 2022年第4期56-62,共7页
航空发动机叶片钛合金材料在数控磨抛加工中容易发生烧伤及黏附现象,针对常用的TC4材料开展了超硬磨料柔性抛光轮数控抛光试验研究。分析了超硬磨料柔性抛光轮抛光参数中转速、进给速度、预压量及行距对抛光去除深度及抛光后试件表面粗... 航空发动机叶片钛合金材料在数控磨抛加工中容易发生烧伤及黏附现象,针对常用的TC4材料开展了超硬磨料柔性抛光轮数控抛光试验研究。分析了超硬磨料柔性抛光轮抛光参数中转速、进给速度、预压量及行距对抛光去除深度及抛光后试件表面粗糙度的影响规律并通过正交试验分析了各抛光参数影响的主次关系。确认了钛合金试件抛光表面黏附物质成分,并同时分析了表面黏附物的形成原理。给出了TC4钛合金材料在超硬磨料柔性抛光轮数控抛光过程中工艺参数的选择策略,为TC4材料的航空发动机叶片和整体叶盘在超硬磨料柔性抛光轮数控抛光过程中提供理论依据和技术基础。 展开更多
关键词 TC4 柔性抛光 工艺参数 表面粗糙度 抛光去除深度
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