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题名单晶碳化硅电化学机械抛光液的组分设计与优化
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作者
顾志斌
王浩祥
宋鑫
康仁科
高尚
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机构
大连理工大学
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出处
《金刚石与磨料磨具工程》
CAS
北大核心
2024年第5期675-684,共10页
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基金
国家重点研发计划(2022YFB3404304)
国家自然科学基金(51975091,51991372)
河南省科技重大专项(221100230100)。
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文摘
单晶碳化硅具有高硬度和高化学惰性,化学机械抛光方法难以同时保证其加工效率和表面质量。电化学机械抛光具有较高的材料去除率,是加工碳化硅的一种有效方法。然而,目前针对碳化硅电化学机械抛光液的相关研究还较为缺乏。为此,首先通过单因素实验确定电化学机械抛光液中导电介质和磨粒种类,然后分析导电介质和磨粒浓度以及抛光液pH值对材料去除率和表面粗糙度的影响规律,最终确定抛光液的最佳参数。结果表明:在抛光液以NaCl为导电介质,SiO_(2)为抛光磨粒时,碳化硅具有较好的抛光效率和表面质量,其材料去除率和表面粗糙度随着NaCl浓度的增大而增大,随着磨粒浓度的增加先增大后趋于稳定;当NaCl浓度为0.6 mol/L、SiO_(2)质量分数为6%、抛光液pH值为7时,可以兼顾碳化硅抛光的材料去除率和表面粗糙度Sa,其值分别为2.388μm/h和0.514 nm。
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关键词
单晶碳化硅
电化学氧化
抛光液成分
表面粗糙度
材料去除率
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Keywords
single crystal SiC
electrochemical oxidation
polishing slurry compositions
surface roughness
material removal rate
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分类号
TG73
[金属学及工艺—刀具与模具]
TG58
[金属学及工艺—金属切削加工及机床]
TH162+.1
[机械工程—机械制造及自动化]
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