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一种抗辐照试验测试系统中RS485总线IO卡设计
被引量：
3
1
作者
李超
庄伟
颜敏
《太赫兹科学与电子信息学报》
2017年第2期333-337,共5页
介绍了基于RS485总线的远程IO卡在抗辐照测试系统中的实现(主要用于瞬时剂量率抗辐照试验、总剂量抗辐照试验等),包括USB转RS485接口模块、RS485转IO卡控制模块。采用FT232与隔离型RS485驱动器实现USB转RS485;使用32位控制器STM32与RS48...
介绍了基于RS485总线的远程IO卡在抗辐照测试系统中的实现(主要用于瞬时剂量率抗辐照试验、总剂量抗辐照试验等),包括USB转RS485接口模块、RS485转IO卡控制模块。采用FT232与隔离型RS485驱动器实现USB转RS485;使用32位控制器STM32与RS485隔离型驱动作为远程端IO输出设备。研制的RS485总线IO卡作为抗辐照测试系统的重要组成部分,完成了瞬态剂量率、总剂量试验和中子试验,并得到了测试数据。通过实际抗辐照试验环境验证,该模块具有现场布线要求低,可靠性高的特点,满足应用需求。
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关键词
RS485总线
抗辐照测试
单片机
IO卡
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职称材料
基于亿门级UltraScale+架构FPGA的单粒子效应测试方法
被引量：
2
2
作者
谢文虎
郑天池
+1 位作者
季振凯
杨茂林
《电子与封装》
2022年第7期7-12,共6页
UltraScale+架构FPGA采用16 nm FinFET工艺,功耗低且性能高,但存在粒子翻转阈值下降及多位翻转增多等风险。基于线性能量传输(LET)等效机理,选取^(7)Li^(3+)、^(19)F^(9)、^(35)Cl^(11,14+)、^(48)Ti^(10,15+)、^(74)Ge^(11,20+)、^(127...
UltraScale+架构FPGA采用16 nm FinFET工艺,功耗低且性能高,但存在粒子翻转阈值下降及多位翻转增多等风险。基于线性能量传输(LET)等效机理,选取^(7)Li^(3+)、^(19)F^(9)、^(35)Cl^(11,14+)、^(48)Ti^(10,15+)、^(74)Ge^(11,20+)、^(127)I^(15,25+)、^(181)Ta、^(209)Bi 8种重离子进行直接电离单粒子试验,建立单粒子闩锁(SEL)、翻转阈值、翻转截面及多位翻转的测定方法。结合LET通量及FinFET结构下的注射倾角,搭建甄别单位翻转及多位翻转的识别算法,能够实时处理并实现粒子翻转状态及多位翻转数据的可视化监控。所涉及的单粒子效应(SEE)分析方法能够较为全面地评估该电路的抗辐照特性。
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关键词
FINFET
SRAM型FPGA
单粒子效应
多位翻转
抗辐照测试
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职称材料
题名
一种抗辐照试验测试系统中RS485总线IO卡设计
被引量：
3
1
作者
李超
庄伟
颜敏
机构
中国电子科技集团公司第
出处
《太赫兹科学与电子信息学报》
2017年第2期333-337,共5页
文摘
介绍了基于RS485总线的远程IO卡在抗辐照测试系统中的实现(主要用于瞬时剂量率抗辐照试验、总剂量抗辐照试验等),包括USB转RS485接口模块、RS485转IO卡控制模块。采用FT232与隔离型RS485驱动器实现USB转RS485;使用32位控制器STM32与RS485隔离型驱动作为远程端IO输出设备。研制的RS485总线IO卡作为抗辐照测试系统的重要组成部分,完成了瞬态剂量率、总剂量试验和中子试验,并得到了测试数据。通过实际抗辐照试验环境验证,该模块具有现场布线要求低,可靠性高的特点,满足应用需求。
关键词
RS485总线
抗辐照测试
单片机
IO卡
Keywords
RS485
anti-radiation experiment
Micro Controller Unit(MCU)
IO card
分类号
TN606 [电子电信—电路与系统]
TP336 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
基于亿门级UltraScale+架构FPGA的单粒子效应测试方法
被引量：
2
2
作者
谢文虎
郑天池
季振凯
杨茂林
机构
无锡中微亿芯有限公司
出处
《电子与封装》
2022年第7期7-12,共6页
文摘
UltraScale+架构FPGA采用16 nm FinFET工艺,功耗低且性能高,但存在粒子翻转阈值下降及多位翻转增多等风险。基于线性能量传输(LET)等效机理,选取^(7)Li^(3+)、^(19)F^(9)、^(35)Cl^(11,14+)、^(48)Ti^(10,15+)、^(74)Ge^(11,20+)、^(127)I^(15,25+)、^(181)Ta、^(209)Bi 8种重离子进行直接电离单粒子试验,建立单粒子闩锁(SEL)、翻转阈值、翻转截面及多位翻转的测定方法。结合LET通量及FinFET结构下的注射倾角,搭建甄别单位翻转及多位翻转的识别算法,能够实时处理并实现粒子翻转状态及多位翻转数据的可视化监控。所涉及的单粒子效应(SEE)分析方法能够较为全面地评估该电路的抗辐照特性。
关键词
FINFET
SRAM型FPGA
单粒子效应
多位翻转
抗辐照测试
Keywords
FinFET
SRAM FPGA
single event effect
multi bit upset
irradiation resistance test
分类号
TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
一种抗辐照试验测试系统中RS485总线IO卡设计
李超
庄伟
颜敏
《太赫兹科学与电子信息学报》
2017
3
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职称材料
2
基于亿门级UltraScale+架构FPGA的单粒子效应测试方法
谢文虎
郑天池
季振凯
杨茂林
《电子与封装》
2022
2
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