石英光纤抗辐照加固的研究 被引量：15

1

作者 李荣玉 殷宗敏 +1 位作者 王建华 刘锐 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期215-217,共3页

研究了石英光纤辐照后的损耗，讨论了石英光纤抗辐射加固的方法，得出了石英光纤中有色离子（如Ｆｅ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｎｉ等）不利于抗辐照的结果．由于光纤辐照后的恢复特性，辐射引起的损耗与辐照剂量速率有关，辐照剂量速... 研究了石英光纤辐照后的损耗，讨论了石英光纤抗辐射加固的方法，得出了石英光纤中有色离子（如Ｆｅ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｎｉ等）不利于抗辐照的结果．由于光纤辐照后的恢复特性，辐射引起的损耗与辐照剂量速率有关，辐照剂量速率越大，它承受的总剂量越小；且实验研究发现，预辐照对提高光纤的抗辐照性能有好处． 展开更多

关键词 石英光纤 损耗 抗辐照性能 抗辐照加固 光透过率

在线阅读 下载PDF 职称材料

基于FPGA的抗辐照加固波控单元设计 被引量：3

2

作者 肖文光 姚佰栋 《太赫兹科学与电子信息学报》 北大核心 2019年第3期541-545,共5页

针对静态随机存取存储器(SRAM)型现场可编程门阵列(FPGA)在星载波控单元应用中存在单粒子翻转效应的问题,提出一种基于自主刷新控制电路的抗辐照加固星载波控单元设计方案。该方案构建了以国产芯片BSV2CQRH为主的控制电路,对FPGA控制器X... 针对静态随机存取存储器(SRAM)型现场可编程门阵列(FPGA)在星载波控单元应用中存在单粒子翻转效应的问题,提出一种基于自主刷新控制电路的抗辐照加固星载波控单元设计方案。该方案构建了以国产芯片BSV2CQRH为主的控制电路,对FPGA控制器XQR2V3000内部配置位定时刷新,采用低电压差分信号(LVDS)通信方式控制抗辐照LVDS接口芯片,完成与前级波控管理平台波控码的收发,同时控制晶体管晶体管逻辑门(TTL)驱动器以同步串行方式完成10路移相器内部波控码的更新。测试结果表明,3.125 MHz串行时钟频率下布相时间小于50 μs,采样脉冲下降沿均位于数据码元的1/2长度处,数据保持时间满足采样要求,实现了设计目标。 展开更多

关键词 抗辐照加固 波控单元 刷新控制 BSV2CQRH芯片

在线阅读 下载PDF 职称材料

航天电子元器件抗辐照加固工艺 被引量：11

3

作者 孙慧 徐抒岩 +1 位作者 孙守红 张伟 《电子工艺技术》 2013年第1期44-46,共3页

介绍了空间辐射环境及电子元器件抗辐照处理的必要性;阐述了影响抗辐照加固性能的主要因素。结合实际工程应用,对于抗辐照加固工艺过程进行了着重说明,列举了抗辐照加固环节所应注意的一些要点。

关键词 空间辐射 抗辐照加固 电子元器件

在线阅读 下载PDF 职称材料

一种抗辐照加固1553B总线差分接收器的研制

4

作者 季轻舟 杨力宏 +1 位作者 肖娟 汪西虎 《电子科技》 2011年第9期56-58,61,共4页

介绍了一种低功耗的抗辐照加固5 V1 Mbit.s-11553B总线差分接收器的研制,该电路可实现总线信号接收的功能。电路设计采用商用BCDMOS Process,不仅对总线上的高频噪声有滤波作用,而且对总线上的共模信号进行抑制,在解决输出脉宽、接收阈... 介绍了一种低功耗的抗辐照加固5 V1 Mbit.s-11553B总线差分接收器的研制,该电路可实现总线信号接收的功能。电路设计采用商用BCDMOS Process,不仅对总线上的高频噪声有滤波作用,而且对总线上的共模信号进行抑制,在解决输出脉宽、接收阈值、输出多脉冲、输出脉宽展宽、总线偏移等问题的同时,降低了芯片的功耗。此外,基于普通商用体硅BCD工艺线,通过版图设计对闩锁效应、场区和电参数的辐射效应进行加固。流片测试试验结果表明,电路的性能良好,可广泛用于1553总线系统。 展开更多

关键词 1553B总线 体硅BCD工艺 抗辐照加固

在线阅读 下载PDF 职称材料

一种低功耗抗辐照加固256kb SRAM的设计 被引量：9

5

作者 李海霞 李卫民 +1 位作者 谭建平 陆时进 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2007年第7期142-145,共4页

设计了一个低功耗抗辐照加固的256kb SRAM。为实现抗辐照加固,采用了双向互锁存储单元(DICE)结构以及抗辐照加固版图技术。提出了一种新型的灵敏放大器,采用了一种改进的采用虚拟单元的自定时逻辑来实现低功耗。与采用常规控制电路的SRA... 设计了一个低功耗抗辐照加固的256kb SRAM。为实现抗辐照加固,采用了双向互锁存储单元(DICE)结构以及抗辐照加固版图技术。提出了一种新型的灵敏放大器,采用了一种改进的采用虚拟单元的自定时逻辑来实现低功耗。与采用常规控制电路的SRAM相比,读功耗为原来的11%,读取时间加快19%。 展开更多

关键词 SRAM 抗辐照加固 灵敏放大器 低功耗

在线阅读 下载PDF 职称材料

航天大功率器件的钽皮抗辐照加固 被引量：1

6

作者 张峻 何宗鹏 +1 位作者 张彬彬 万成安 《航天制造技术》 2015年第4期32-34,共3页

介绍了航天大功率器件的钽皮抗辐照加固工艺过程。针对功率器件底部散热型和顶部散热型的不同特点,分别设计有针对性的加固方式,在确保抗辐照加固效果的同时兼顾产品的散热需求。通过温度循环和剪切力试验对粘固效果进行验证,确认了抗... 介绍了航天大功率器件的钽皮抗辐照加固工艺过程。针对功率器件底部散热型和顶部散热型的不同特点,分别设计有针对性的加固方式,在确保抗辐照加固效果的同时兼顾产品的散热需求。通过温度循环和剪切力试验对粘固效果进行验证,确认了抗辐照加固的高质量和高可靠。 展开更多

关键词 钽皮 电子元器件 抗辐照加固

在线阅读 下载PDF 职称材料

基于BiCMOS抗辐照加固技术的工艺研究

7

作者 庄立强 卢宇 +3 位作者 马霞 李应龙 杨静 雷亚平 《集成电路应用》 2023年第10期38-40,共3页

阐述BiCMOS抗辐照加固技术,包括材料选择、设计优化与布局、加固工艺流程,探讨低界面态栅氧化制备工艺和复合层钝化工艺等关键技术,对工艺参数优化和流程改进进行探索,对技术进行评估和测试。最终实现符合设计要求的抗辐照总剂量≥300Kr... 阐述BiCMOS抗辐照加固技术,包括材料选择、设计优化与布局、加固工艺流程,探讨低界面态栅氧化制备工艺和复合层钝化工艺等关键技术,对工艺参数优化和流程改进进行探索,对技术进行评估和测试。最终实现符合设计要求的抗辐照总剂量≥300Krad(Si)的产品。 展开更多

关键词 集成电路制造 BICMOS 辐照效应 抗辐照加固

在线阅读 下载PDF 职称材料

抗辐照加固计算机技术

8

作者 王巧玉 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1991年第4期11-15,共5页

本文评述了国外抗辐照加固计算机的发展概况.重点剖析了SCP-STAR CMOS/SOS 抗辐照加固计算机采用的关键技术.对444R^2空间处理机、SPA空问处理机阵列及SECS80等三种典型机种的特点进行了简要分析.

关键词 抗辐照加固计算机 电子器件 电子系统 印刷电路板

全文增补中

深亚微米工艺EEPROM单元加固设计及辐照性能 被引量：2

9

作者 周昕杰 李蕾蕾 +1 位作者 徐睿 于宗光 《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期518-521,共4页

当普通EEPROM单元在太空中应用时,会受到辐照效应的影响,导致单元可靠性降低,寿命缩短,为此,基于0.18μm工艺,设计出一种新型抗辐照EEPROM单元.新单元采用环形栅和场区隔离管加固结构.加固后,单元面积为9.56μm2,抗总剂量效应能力大于1 ... 当普通EEPROM单元在太空中应用时,会受到辐照效应的影响,导致单元可靠性降低,寿命缩短,为此,基于0.18μm工艺,设计出一种新型抗辐照EEPROM单元.新单元采用环形栅和场区隔离管加固结构.加固后,单元面积为9.56μm2,抗总剂量效应能力大于1 500 Gy,抗辐照能力明显优于普通结构.为明确失效机制,基于新单元结构在辐照条件下的阈值退化曲线,分析了辐照效应对存储单元的影响,并与普通单元的辐照效应相比较.结果表明:总剂量效应引起的边缘寄生管源/漏端漏电及场氧下漏电是深亚微米工艺EEPROM失效的主要机制.新单元针对失效机制的加固设计,提高了抗辐照能力和可靠性.该设计为满足太空应用中抗辐照存储器的需要,提供了良好的基础. 展开更多

关键词 总剂量效应 EEPROM 抗辐照加固

在线阅读 下载PDF 职称材料

改善辐照加固设计流水线型模数转换器性能的抖动电路技术

10

作者 余金山 梁盛铭 +5 位作者 马卓 王育新 张瑞涛 刘涛 李婷 俞宙 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第1期129-132,137,共5页

提出了一种能够改善高精度辐照加固设计流水线型模数转换器(ADC)动态性能指标的减式抖动电路技术.其中,基于深度伪随机数生成器所产生的伪随机数来驱动高精度数模转换器而生成所需的抖动信号,将抖动信号与ADC的输入信号相加输送给ADC进... 提出了一种能够改善高精度辐照加固设计流水线型模数转换器(ADC)动态性能指标的减式抖动电路技术.其中,基于深度伪随机数生成器所产生的伪随机数来驱动高精度数模转换器而生成所需的抖动信号,将抖动信号与ADC的输入信号相加输送给ADC进行量化,并将抖动信号从ADC量化输出中减去,以降低ADC的信噪比.结果表明,所提出的抖动电路技术能够改善ADC的静态和动态性能,特别是在ADC量化小的输入信号时. 展开更多

关键词 抖动 流水线 抗辐照加固设计 模数转换器

在线阅读 下载PDF 职称材料

星载遥感高光谱成像仪电子学抗辐照设计

11

作者 刘永征 陈小来 +3 位作者 张昕 孔亮 刘学斌 石兴春 《航天器工程》 CSCD 北大核心 2023年第1期82-89,共8页

高光谱成像载荷在高空间分辨率、光谱分辨率及大幅宽等方面指标需求不断提升,使得星载遥感的抗辐照设计问题愈发明显,文章提出了针对任务需求从器件级、电路级以及载荷分系统级分层设计兼顾成本的设计方法,以增强高光谱成像仪抗辐照能... 高光谱成像载荷在高空间分辨率、光谱分辨率及大幅宽等方面指标需求不断提升,使得星载遥感的抗辐照设计问题愈发明显,文章提出了针对任务需求从器件级、电路级以及载荷分系统级分层设计兼顾成本的设计方法,以增强高光谱成像仪抗辐照能力。该方法依据分系统各层级、各功能模块抗辐照能力水平高低,从器件选用把控、电路应用加固到整个载荷的整体屏蔽优化的具体实际应用,对应用情况进行分析计算及优化迭代、等效测试试验验证,实现了抗辐照能力和研发成本合理平衡。通过在多个遥感系列卫星高分辨率高光谱成像仪上的成功应用,结果表明:该高光谱成像仪的抗辐照设计方法具有科学性和稳健性,有效提升了卫星载荷的可靠性和研制效率。 展开更多

关键词 抗辐照设计 抗辐照加固 分层级设计 高光谱成像仪 高速成像电路

在线阅读 下载PDF 职称材料

多功能三通道200 Mb/s抗辐照SpaceWire节点控制器设计与实现 被引量：1

12

作者 刘欢 陈卫国 +1 位作者 王剑峰 吴龙胜 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2017年第11期108-113,118,共7页

针对航天器应用,提出了一种多功能、三通道高可靠速率可达200 Mb/s的SpaceWire节点控制器设计实现方案.通过DS高速时钟恢复技术、单粒子翻转容错设计、芯片多时钟域划分实现了高可靠、多功能的抗辐照SpaceWire节点控制器.

关键词 SPACEWIRE 多功能 抗辐照加固

在线阅读 下载PDF 职称材料

一种抗辐照的光电探测芯片设计 被引量：1

13

作者 何林彦 罗萍 +1 位作者 周枭 凌荣勋 《太赫兹科学与电子信息学报》 北大核心 2019年第3期515-518,535,共5页

光电耦合器的核心模块是光电探测芯片。介绍了一种抗辐照光电探测芯片的设计,该电路基于 0.5 μm 标准互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺研制,内部包含跨阻放大器(TIA)、基准源和比较器等模块电路,并通过电路结构和版图设计进行抗辐照加... 光电耦合器的核心模块是光电探测芯片。介绍了一种抗辐照光电探测芯片的设计,该电路基于 0.5 μm 标准互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺研制,内部包含跨阻放大器(TIA)、基准源和比较器等模块电路,并通过电路结构和版图设计进行抗辐照加固。测试结果表明,抗总剂量能力达到 200 krad(Si),同时,该芯片数据传输速率可达 10 MBd,其输入高电流范围为 6~18 mA。 展开更多

关键词 光电探测芯片 抗辐照加固 总剂量效应 跨阻放大器

在线阅读 下载PDF 职称材料

基于中间件的抗辐射加固仿真云平台技术研究

14

作者 王淳 党佳乐 +2 位作者 万波 刘刚 刘锦辉 《空间控制技术与应用》 CSCD 北大核心 2020年第3期18-27,共10页

航空航天的飞速发展对抗辐射加固仿真提出了更高的标准和要求.提出了一种基于可组合可重用中间件的云仿真平台.该平台中,仿真软件采用虚拟机+docker的方式进行部署,以降低虚拟机的功耗并避免资源浪费.在该平台架构上,首先提出了基于微... 航空航天的飞速发展对抗辐射加固仿真提出了更高的标准和要求.提出了一种基于可组合可重用中间件的云仿真平台.该平台中,仿真软件采用虚拟机+docker的方式进行部署,以降低虚拟机的功耗并避免资源浪费.在该平台架构上,首先提出了基于微服务的可组合可重用仿真中间件通用模型.然后在通用模型基础上设计并实现了典型抗辐射加固仿真场景下的关键中间件,包括模型显示中间件和脚本转换中间件.最后通过Petri网动态组合仿真中间件来完成仿真任务.结果表明以云平台为基础,可重用可组合中间件为核心的仿真平台架构能够有效提高仿真平台的可重用性、可扩展性和灵活性. 展开更多

关键词 抗辐照加固仿真 仿真云平台 仿真中间件 通用模型

在线阅读 下载PDF 职称材料

一款深亚微米抗辐照芯片的设计与实现 被引量：1

15

作者 邹文英 高丽 +2 位作者 谢雨蒙 周昕杰 郭刚 《电子与封装》 2022年第7期34-37,共4页

设计了一款适用于航空航天领域的深亚微米抗辐照四路串口收发电路,重点介绍了逻辑设计、后端设计和抗辐照加固设计。电路采用0.18μm CMOS工艺加工,使用工艺加固、单元加固及电路设计加固等多层次加固技术,有效地提高了电路的抗辐照能力。

关键词 收发器 深亚微米 抗辐照加固

在线阅读 下载PDF 职称材料

GaN器件辐照效应与LDO电路的单粒子敏感点协同设计研究

16

作者 朱峻岩 张优 +4 位作者 王鹏 黄伟 张卫 邱一武 周昕杰 《电子与封装》 2024年第1期61-67,共7页

创新地开展p型栅GaN器件的单粒子辐照与建模研究,提取的单粒子激励电流被加载用于全GaN的低压差线性稳压器(LDO)稳压电路的单粒子设计中,获得了该电路单粒子敏感节点,最终得到该节点在重载状态与轻载状态时对应的单粒子瞬态(SET)响应分... 创新地开展p型栅GaN器件的单粒子辐照与建模研究,提取的单粒子激励电流被加载用于全GaN的低压差线性稳压器(LDO)稳压电路的单粒子设计中,获得了该电路单粒子敏感节点,最终得到该节点在重载状态与轻载状态时对应的单粒子瞬态(SET)响应分别为500 mV/60 ns,1210 mV/60 ns。上述研究建立起GaN器件-全GaN基电路的T-CAD/SPICE单粒子效应协同设计方法。 展开更多

关键词 GaN辐照效应 GaN LDO 抗辐照加固 p型栅GaN器件

在线阅读 下载PDF 职称材料

新型抗总剂量辐照高压LDMOS结构

17

作者 冯垚荣 《电子产品世界》 2019年第11期58-62,共5页

通过分析低压MOS中存在的漏电路径,针对高压LDMOS面积大,最小宽长比有限制的特点,提出了一种更加适用于高压LDMOS的新型抗总剂量辐照结构。器件仿真结果显示,新结构在实现500 krad(Si)的抗辐照能力,并且新结构不会增加面积消耗,与现有... 通过分析低压MOS中存在的漏电路径,针对高压LDMOS面积大,最小宽长比有限制的特点,提出了一种更加适用于高压LDMOS的新型抗总剂量辐照结构。器件仿真结果显示,新结构在实现500 krad(Si)的抗辐照能力,并且新结构不会增加面积消耗,与现有工艺完全兼容。 展开更多

关键词 总剂量效应 高压LDMOS 抗辐照加固 辐射致漏电路径

在线阅读 下载PDF 职称材料

面向空间辐照环境的星载高速数字接口芯片设计方法 被引量：1

18

作者 邹家轩 于宗光 +2 位作者 魏敬和 陈珍海 李鹏伟 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第6期58-65,共8页

针对空间应用的高速串行接口芯片易受单粒子辐照而出现误码的问题,提出了一种面向空间辐照环境的星载高速数字接口芯片设计方法。首先,针对空间辐照诱发单比特错误导致高速串行接口传输出错问题,计算辐照时的高速串行接口误码率最劣值;... 针对空间应用的高速串行接口芯片易受单粒子辐照而出现误码的问题,提出了一种面向空间辐照环境的星载高速数字接口芯片设计方法。首先,针对空间辐照诱发单比特错误导致高速串行接口传输出错问题,计算辐照时的高速串行接口误码率最劣值;然后,通过误码率最劣值计算出辐照环境下高速串行接口无误码传输所需的增益;最后,采用叠加编码增益及辐照干扰的高速串行接口链路评价模型,计算出高速串行接口物理编码子层(PCS)中不同编码方式的编码增益,并评估编码增益对辐照降低高速串行接口误码率的补偿效果,根据补偿效果选择RS-8B/10B级联编码作为PCS编码。采用该高速数字接口芯片设计方法设计了一款速率为3.125 Gb/s的抗辐照高速串行接口芯片,其面积为4.84 mm^2,典型功耗为207 mW。单粒子辐照试验结果表明,对比传统设计方法,新的设计方法将芯片的单比特错误阈值提升了9 MeV·cm^2/mg。 展开更多

关键词 单粒子辐照 抗辐照加固 高速串行接口 RS编码 8B/10B编码

在线阅读 下载PDF 职称材料

星载辐照剂量深度分布探测仪设计 被引量：1

19

作者 孙莹 张斌全 +12 位作者 张效信 张鑫 张申毅 沈国红 常峥 王春琴 孙越强 宗位国 郭建广 薛炳森 张立国 陈强 张如意 《空间科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第5期793-799,共7页

空间带电粒子对在轨航天器会产生辐照剂量效应,严重时可导致星载设备及航天器等的性能衰减及寿命下降,因此采用了星内多点多方位的辐照总剂量探测技术.在中国首次采用深度剂量监测方案.每个探头设置5个剂量监测点,对应屏蔽厚度分别为0(... 空间带电粒子对在轨航天器会产生辐照剂量效应,严重时可导致星载设备及航天器等的性能衰减及寿命下降,因此采用了星内多点多方位的辐照总剂量探测技术.在中国首次采用深度剂量监测方案.每个探头设置5个剂量监测点,对应屏蔽厚度分别为0(开窗),1mm,2.5mm,3.5mm,6mm的铝结构,探测剂量总量程为2×10^(6)rad(Si),最高灵敏度为1rad(Si).所设计的星载辐照剂量深度分布探测仪可以对卫星在轨遭受的辐照剂量进行实时监测和预警,其探测结果用于研究星内剂量深度分布,对卫星载荷在轨工作状态进行分析评估,并为后续卫星的抗辐照加固设计提供依据. 展开更多

关键词 辐照剂量 剂量深度分布监测 抗辐照加固 空间环境

在线阅读 下载PDF 职称材料

高能电子辐照对三结GaAs激光电池特性的影响 被引量：1

20

作者 韩堰辉 孙玉润 +4 位作者 王安成 施祥蕾 李彬 孙利杰 董建荣 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第2期170-176,共7页

研究了能量为1 MeV的电子辐照对三结GaAs激光电池(LPC)性能的影响。不同剂量电子辐照后三结GaAs LPC光照下的I-V特性测试结果表明,三结GaAs LPC短路电流、开路电压和最大输出功率的衰减随电子辐照剂量的提高而增大。通过测量不同波长激... 研究了能量为1 MeV的电子辐照对三结GaAs激光电池(LPC)性能的影响。不同剂量电子辐照后三结GaAs LPC光照下的I-V特性测试结果表明,三结GaAs LPC短路电流、开路电压和最大输出功率的衰减随电子辐照剂量的提高而增大。通过测量不同波长激光照射下三结GaAs LPC的宽电压范围I-V曲线,确定了各子电池对应的光生电流,结果显示各子电池光生电流衰减随辐照剂量增加而不同程度地增大,越靠近衬底的子电池电流衰退越严重。利用wxAMPS软件模拟了各子电池光生电流随缺陷密度的变化关系,结合实验和模拟结果得到了各子电池辐照后的缺陷密度及缺陷引入率,结果表明各子电池受电子辐照后的缺陷引入率大致相同,约为6.7。可通过优化各结子电池厚度达到提高三结GaAs LPC抗辐照性能的目的。 展开更多

关键词 三结激光电池(LPC) 电子辐照损伤 缺陷密度 电学性能退化 抗辐照加固

在线阅读 下载PDF 职称材料